半導体基板処理チャンバにおいて、プロセス領域と排気ポートとの間のガスの流れを制御するための装置が提供される。本装置は半導体基板処理チャンバ内に支持され、半導体支持ペデスタルを少なくとも部分的に取り囲む、少なくとも一つの抑止プレートを含む。この抑止プレートはプロセス領域と排気ポートとの間を流れる少なくとも一つのガスの流れを制御する。

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膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）

本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

第１の態様において、導電性断片をターゲット基板の電極パッドへ移送するためのプログラム可能な移送装置が提供される。このプログラム可能な移送装置は、（１）移送基板と、（２）この移送基板に形成された複数の個々にアドレス可能な電極とを備えている。各電極は、ターゲット基板の電極パッドへ導電性断片を移送する間に導電性断片を選択的に引き付けて保持するように適応される。多数の他の態様も提供される。 （もっと読む）

プラズマ堆積を使用して、プロセスチャンバ内で基板を覆う膜を処理する方法及びシステムが提供される。プラズマは、該プロセスチャンバ内に形成され、該膜を処理するのに適切なプロセスガス混合物が、プロセス条件のセットの下で、該プロセスチャンバ内に流される。該プロセスガス混合物は、ケイ酸塩ガラスを堆積させるために、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを含んでもよく、該ガスは、場合により、具体的に所望される光特性を得るためにドープすることもできる。該プロセス条件を、パラメータの値、該膜の光特性及び該プロセス条件の間の相関関係に従って変更できるように、膜の処理中にパラメータがモニタされる。 （もっと読む）

下にあるバリア層に対する多孔性低誘電率膜の接着は、その上にある多孔性低誘電率膜より炭素含量が低く、シリコン酸化物が豊富な中間層を形成することにより向上する。この接着層は、多数の手法のうち一つを単独で又は組み合わせて利用して形成されてもよい。一つのアプローチでは、接着層は、低誘電率材料の堆積直前にＯ_２／ＣＯ_２／などの濃酸化ガスを導入してＳｉ前駆体を酸化することにより形成することができる。別のアプローチでは、α−テルピネン、シメン及びその他の酸素非含有有機物などの熱的に不安定な化学物質が、低誘電率膜の堆積前に除去される。また別のアプローチでは、ハードウェア又はシリコン非含有成分を導入する方式などの処理パラメータが変更されて、低誘電率膜の堆積の前に酸化物界面の形成を可能とすることもできる。さらに別のアプローチでは、吸収量、エネルギー又は熱アニール処理の使用などの電子ビーム処理のパラメータが制御され、バリアと低誘電率膜との間の界面で炭素種を除去することもできる。さらなるアプローチでは、低誘電率堆積の前に前処理プラズマが導入されバリア界面の加熱を増進することにより、低誘電率堆積ガスが導入され、低誘電率膜が堆積される時、薄い酸化物界面を形成することもできる。 （もっと読む）

ウエハ（１２）や他の基板を熱的に処理する装置（６０）及び方法（例えば、急速加熱処理）放射ランプ（２６）の列（２４）は、ウエハを加熱する為にウエハの裏側に放射を向ける。ウエハの表側は、パターン化された集積回路（１６）が形成されるが、放射反射器（２８）に面する。ウエハは、反射器の側から温度と反射率の為に熱的にモニタ（４０，４２）される。ランプがウエハの上方にあるとき、エッジリングは、ウエハをそのエッジ排除ゾーン（５２）で支持する。あるいは（図８）、リアクタ（１００）は、上方に向けられたランプ（２６）と、反射器（２８）を上方に含み、ウエハの表側に面する。 （もっと読む）

本発明は、アークチャンバの内面と反応することができるイオン化しうるソースガスのイオンの作用を、置換ガスのイオンをアークチャンバに導入することによって制御する方法であって、置換ガスイオンがソースガスのイオンより内面の物質とより化学的に反応する前記方法に関する。ソースガスイオンは、典型的には酸素イオンであり、そのとき置換ガスイオンはフッ素イオンであり、その場合、内面はタングステンを含んでいる。フッ素イオンは、例として、フッ素、四フッ化ケイ素又は三フッ化窒素から発生させることができる。 （もっと読む）

アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および１つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数ＲＦ源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。 （もっと読む）

本発明による実施形態は、半導体被加工物（８８２）の傾斜上の材料の堆積を低減する、またはなくすために単独または組み合わせて用いることができる種々の技術に関連する。一アプローチでは、傾斜領域へのガスの流れを妨げるためにシャドーリング（８８０）が基板（８８２）のエッジを覆っている。エッジをシャドーする間にウエハー全域で厚さの均一性を維持するために、シャドーリングのエッジ（８８０ａ）での形体がガスの流れをウエハーに向けて方向付ける。別のアプローチでは、基板ヒータ／支持部がパージガスを支持されている基板のエッジに流すように構成されている。これらのパージガスは、プロセスガスが基板エッジに達して傾斜領域上に材料が堆積するのを防ぐ。 （もっと読む）