一実施形態においては、基板上にシリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜を堆積させる方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板表面を約６００℃〜９００℃の範囲の温度に、プロセスチャンバ内の圧力を約１３Ｐａ（０.１トール）〜約２７ｋＰａ（２００トール）の範囲に維持しつつ、加熱するステップと、を含む前記が提供される。堆積ガスは、プロセスチャンバに供給され、ＳｉＨ_４、任意のゲルマニウム源ガス、エッチング剤、キャリヤガス、任意に少なくとも１つのドーパントガスを含んでいる。シリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜は、基板上に選択的且つエピタキシャル的に成長する。一実施形態は、シリコン含有膜とキャリヤガスとして不活性ガスを堆積させる方法を含んでいる。方法は、また、選択的シリコンゲルマニウムエピタキシャル膜を用いる電子デバイスの製造を含んでいる。 （もっと読む）

イオン注入器の性能を向上させることができるように、減速電極の１つ以上の開口部が成形されている複数の電極を備える減速レンズアセンブリを有するイオン注入器が提供される。一実施形態において、電極開口部は、概して楕円形状であり、該開口部を通過するビームの形状と概して一致する。別の態様においては、軸セグメントは、開口部の中心から該セグメントの端部における中間点まで該開口部の長さの４０％伸びている。該中心から該中間点までの各点で測定した該開口部の平均幅は、該開口部の最大幅よりも実質的に小さい。 （もっと読む）

開口部を画成する電極本体部を有する電極挿入部材が電極サポートフレームに挿入されているイオン注入器に、運動学的電極マウントが提供される。一実施形態において、該挿入部材の第１の運動学的整列ピンは該電極サポートフレームの第１の溝状運動学的整列表面と係合して、該電極サポートフレームに対する２つの直交方向に該第１の整列ピンを整列させる。加えて、該挿入部材の第２の運動学的整列ピンは該電極サポートフレームの第２の運動学的整列表面と係合して、該電極サポートフレームに対して回転方向に該挿入部材を整列させる。該挿入部材の複数のフランジが電極サポートフレームと係合して、該挿入部材を整列位置に保有し、かつ該電極挿入部材を該電極サポートフレームに電気的に結合する。該電極挿入部材と該電極サポートフレーム間に位置決めされたスプリングは、該電極サポートフレームに対する整列および保有位置で該電極挿入部材をバイアスする。別の実施形態において、該電極サポートフレームは整列ピンを有し、該挿入部材は整列スロットを有する。 （もっと読む）

基板を処理する方法であって、該基板上にアモルファス炭素を含む層を堆積させるステップと、その後、該層を少なくとも約３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板を約６００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長を１つ以上もつ電磁放射線にさらすステップと、を含む前記方法が提供される。任意に、層は、窒素、ホウ素、リン、フッ素、及びそれらの組合わせからなる群より選ばれたドーパントを更に含んでいる。一態様においては、アモルファス炭素を含む層は、反射防止コーティングと、電磁放射線を吸収し且つ基板の最上面をアニールする吸収層である。一態様においては、基板はレーザアニールプロセスにおいて電磁放射線にさらされる。 （もっと読む）

無電解堆積プロセス中の基板の温度を制御する方法及び装置。該装置は、流体配分部材より高い位置で基板を支持するように構成された堆積セルを含む。加熱された流体が該流体拡散部材から供給され、該基板の裏側に接触し、それによって該基板を加熱する。該加熱流体は、該基板の表面の全域で一定温度を維持するように構成されたアパーチャーから供給される。該方法は、該基板の表面の全域で一定の処理温度を生じるように構成されている構成で、加熱流体を拡散部材を介して該基板の裏側に向かって流すステップを含む。 （もっと読む）

ガス分配シャワーヘッド(1501)は、広範囲なシャワーヘッド対ウェハ間隔(y)にわたり均一厚みの膜の堆積を許容するように設計される。本発明の一実施形態によれば、フェースプレートへの入口オリフィス(1501a)の数、幅及び／又は深さを減少させて、流れ抵抗を増加し、これにより、フェースプレートの上流で圧力を高める。この高い上流のガス流圧力は、次いで、シャワーヘッドの縁部分に対してその中心部分を通して流れるガスの速度の変化を減少させ、これにより、ウェハの縁又は中心部分に堆積される膜の厚みの均一性を保証する。 （もっと読む）

走査システムに使用されるマルチビーム発生器であって、使用時にレーザビームを受け取って、偏向されたビームを発生し、前記偏向されたビームの偏向程度がＡＯＤ制御信号によって決定される音響光学偏光器（ＡＯＤ）と、前記偏向されたビームからの入力ビームアレイを発生する回折素子と、作動時に前記ＡＯＤ制御信号を発生し、前記走査システム上の誤差を生じる第１制御信号の特性を変化させる制御回路と、を含む、発生器 （もっと読む）

基板に金属をメッキする方法及び装置。本装置は、メッキ液を含有するように構成された液体ベースンと、液体ベースンの下の部分に配置された陽極液体容積と、液体ベースンの上の部分に配置された陰極液体容積と、陽極液体容積を陰極液体容積から分けるために配置されたイオン膜と、陽極液体容積の中央に配置されたメッキ電極と、陽極液体容積においてメッキ電極に隣接して配置された非メッキ電極とを含んでいる。 （もっと読む）

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を１つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および／またはコントロールするために使用される。 （もっと読む）

渦電流モニタリングシステムは、細長いコアを含んでもよい。１つ以上のコイルを、ウェハ上の１つ以上の導電性領域に結合できる振動磁界を発生するために、該細長いコアに結合することができる。該コアは、改善された分解能を実現できると共に、十分な信号強度を維持するように、該ウェハに対して移動させることができる。渦電流モニタリングシステムは、共振周波数で振動磁界を発生するＤＣ結合マージナル発振器を含んでもよく、この場合、該共振周波数は、１つ以上の導電性領域に対する変化の結果として変化させてもよい。渦電流モニタリングシステムは、リアルタイム・プロファイル制御を可能にするために用いることができる。 （もっと読む）