基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと、燐含有プロセスガスと、酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。 （もっと読む）

プロセスチャンバ構成要素の表面からタンタル含有堆積物を洗浄する方法は、構成要素の表面をＨＦとＨＮＯ_３の重量比が約１：８〜約１：３０の洗浄溶液に浸漬するステップを含んでいる。他の変形例においては、洗浄溶液はＫＯＨとＨ_２Ｏ_２のモル比が約６：１〜約１０：１である。銅表面を洗浄するのに適した更に他の変形例においては、洗浄溶液はＨＦと酸化剤を少なくとも約６：１のＨＦと酸化剤のモル比で含んでいる。表面をほとんど浸食することなくタンタル含有堆積物を表面から除去することができる。 （もっと読む）

二重周波数カソードを有するプラズマ増強型半導体処理チャンバ用二重周波数整合回路が提供される。この整合回路は、共通出力部に結合された可変分流器を備えた２つの整合回路を含む。この整合回路は、動作中、処理チャンバ内のプラズマの負荷に対し、独立したＲＦ電源の負荷を釣り合わせる。
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窒化シリコン層を形成する方法が記載される。本発明によれば、窒化シリコン層は、シリコンと窒素を含有するソースガス又はシリコン含有ソースガスと窒素含有ソースガスを低堆積温度（例えば、５５０℃未満）で熱分解して窒化シリコン層を形成することにより堆積される。その後、熱的に堆積した窒化シリコン層を水素ラジカルで処理して処理された窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

半導体基板処理チャンバで基板の現場データを取得するための方法及び装置が提供される。装置は、基板に関するデータを取得するための光学アセンブリと、光学アセンブリを基板に対して２次元で横方向に移動するため用いられるアクチュエータアセンブリを含む。

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本発明は、ガス状汚染物質を制御可能に燃焼させ、それと同時に、望ましくない反応生成物が処理システム内に堆積するのを抑制し、さらに処理システム内に堆積した望ましくない反応生成物を除去するためのシステムおよび方法に関する。システムは、上部熱反応器内における熱燃焼のために廃ガス流を酸化剤および可燃性燃料と混合するための少なくとも１つの入口を含む上部熱反応器を有する二段式熱反応器を採用する。上部熱反応器は、外側外壁および多孔質内壁を有する２重壁構造を更に含み、その多孔質内壁は、流体を保持し、かつ、その流体を多孔質内壁を介して上部熱反応器の中へ脈動モードで放出するための内部空間を画成し、上部反応チャンバの内面上に反応生成物が堆積するのを抑制する。二段式熱反応器は、上部熱反応器内において形成された反応生成物を、水渦巻を介して流れさせるための下部反応チャンバを更に含み、その水渦巻は、下部反応チャンバの内部に沿って水が溢れることを提供し、それによって、望ましくない生成物が下部反応器の内面上に堆積するのを抑制する。 （もっと読む）

基板を処理するための処理パッドアセンブリの実施形態を提供する。処理パッドアセンブリは、処理面を有する上層と、上層に結合した上側と上側に対向する下側を有する電極とを含んでいる。第一組の穴は、電極を処理面にさらすために上層を通って形成されている。少なくとも１つのアパーチャは、下層と電極を通って形成されている。 （もっと読む）

ＳｉＯ_ｘＮ_ｙゲート誘電体及びシリコン基板上に酸化シリコン膜を備えている構造物を、ＮＨ_３を含む雰囲気中で加熱し、その後、該構造物を窒素源を含むプラズマに曝すことによってＳｉＯ_ｘＮ_ｙゲート誘電体を形成する方法が提供される。一態様においては、構造物は窒素源を含むプラズマにさらされた後にアニールされる。他の態様においては、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙゲート誘電体は、総合処理システムにおいて、シリコン基板上に酸化シリコン膜を備えている構造物を総合処理システムの一チャンバ内でＮＨ_３を含む雰囲気中で加熱し、その後、該構造物を総合処理システムの他のチャンバ内で窒素源を含むプラズマに曝すことにより形成される。 （もっと読む）

プラズマスパッタリアクタ(30)におけるマグネトロン(70)のための及びその対応的使用のためのリフトメカニズム(124)。ターゲット軸(76)の周りで回転するマグネトロンは、スパッタ浸食を補償するためにターゲット(34)の後部から離すように制御可能に持ち上げられる。装置は、駆動源(84)、ハウジング(94)、タンク(118)、水槽(116)、固定ギア(92)、駆動プレート(96)、キャリア(81)、磁気ヨーク(80)、アイソレータ(38)、アダプタ(36)、シールド(52)、真空ポンプシステム(44)、ＲＦ電源(58)、容量性結合回路(60)、ガス源(46)、質量流量コントローラ(48)、リアクタ壁(32)、磁石リング(114)、ＤＣ電源(54)、ペデスタル電極(40)、ウェハ(42)、クランプリング(50)、内側磁極(74)、外側磁極(78)、ホロワシャフト(102)、ホロワギア(100)、アイドラーギア(98)、及び遊星スキャニングメカニズム(90)を備えている。 （もっと読む）

処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）