【課題】処理ムラをなくすると共に処理槽内に持ち込まれたゴミなどを効率よく排出して処理効率をよくした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方を開口させ内部に処理液供給管４１〜４４が配設された有底の処理槽２と、処理液供給管へ処理液を供給する制御手段６とを備え、処理槽２は、対向する一対の第１、第２側壁２ｂ、２ｃを有し、これらの第１、第２側壁の底側壁に、上下段に第１、第２及び第３、第４処理液供給管４１〜４４をそれぞれ固定する。制御手段６は、第１乃至第４処理液供給管を第１と第４処理液供給管４１、４４を組み合わせた第１組と、第２と第３処理液供給管４２、４３を組み合わせた第２組とに分けて、いずれか一方の組の各処理液供給管に処理液を供給して、処理槽内に第１方向の渦流を連続して生成する。 （もっと読む）

【課題】処理液供給ライン内に付着する汚染物質を効果的に除去して処理液供給ライン内を洗浄することができ、更には既存の処理液供給ラインに大幅な変更を加えることなく容易に接続できる配管ユニット及び処理液供給ライン洗浄方法を提供すること。
【解決手段】上流側に薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１２Ａ、１２Ｂが接続され、下流側に処理槽２０が接続され、薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１２Ａ、１２Ｂから供給される処理液を処理槽２０に供給するための装置側薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１３Ａ、１３Ｂに分岐接続されてなる配管ユニット３０であって、装置側薬液Ａ及び薬液Ｂ供給ライン１３Ａ、１３Ｂに切換え可能に分岐接続される分岐管３１と、分岐管３１から並列に分岐接続される強流ライン３４及び弱流ライン３５と、強流ライン３４を開閉するバルブ３７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生する薬液蒸気が処理槽を有するシンク外へ飛散するのを効果的に抑えて高品質の基板処理を可能にした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上方が開口した有底の容器からなる処理槽２Ａ〜２Ｄと、ウェーハＷを把持する把持機構１１と、把持機構が連結されてウェーハの処理槽内に貯留された処理液への浸漬及び処理槽内からの引き上げを行う昇降装置１０と、昇降装置が連結されてウェーハを処理槽へ搬送する搬送装置７と、を備える基板処理装置１において、処理槽から蒸気が平常時よりも多量に発生上昇するときに処理槽の開口部を覆うことができる搬送装置に連結された飛散防止カバー８を備える。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用し、半導体層の表面に形成された絶縁膜上に誘導共析現象を利用して短時間で均一な金属被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。 （もっと読む）

【課題】金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して極めて薄い金属基体であっても正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体の表面に電気めっきする際に、電気めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液１９中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体２２の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。本発明の電気めっき方法は、金属基体２２が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。また、本発明の電気めっき方法は超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用した電気めっき方法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】剥離槽から剥離片をスムーズに排出させて回収できるレジスト剥離装置及びレジスト剥離方法を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを保持するリフター８と、リフター８に保持されたウェーハＷ及び剥離液を収容してウェーハＷの不要なドライフィルム（レジスト）を剥離する剥離槽２と、この剥離槽２へ剥離液を供給する薬液供給手段と、剥離槽２内から排出された剥離液等を回収する回収装置１１とを備え、剥離槽２はその底部にウェーハＷから剥離された剥離片を通過させる大きさの開口を有する排出穴を有し、この排出穴３_１を開閉自在な底蓋（蓋体）６で閉塞し、底蓋６は開閉機構に連結し、開閉機構により底蓋６を開作動させて、排出穴から剥離槽２の底部に沈積された剥離片を剥離液とともに剥離槽２外へ排出させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面処理と同時に裏面外周縁の処理する際に、裏面の処理液による処理領域と非処理領域との境界の揺らぎを少なくして、高品質の処理ができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】中央部にガス噴射口４ａ'を有する基板支持部材３に被処理基板Ｗを水平に保持して回転させ、この回転する被処理基板の上面に処理液を供給して処理をする基板処理装置において、基板支持部材３は、内部に中空穴６_０を有し外径が被処理基板Ｗの外径より小さい環状のリングテーブルＲをガス噴射口４ａ'を中心にして同心円状に配設し、このリングテーブルＲ上に被処理基板Ｗを載置したときに、この被処理基板で中空穴６_０を覆って噴射口４ａ'からのガスを一時滞留させる空間Ｓが形成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】広範囲の乾燥ガス濃度を設定でき、しかもこの設定濃度で安定供給ができる乾燥ガス供給方法、乾燥ガス供給装置及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】乾燥ガスを供給する第１供給ラインＬＣ_１および乾燥流体を供給する第２供給ラインＬＣ_２の一端部を合流させて第３供給ラインＬＣ_３に接続して、この第３供給ラインＬＣ_３内で乾燥ガスと乾燥流体とを混合して送給する乾燥ガス供給装置６であって、第２供給ラインＬＣ_２には、乾燥流体を貯留するタンク１１と、このタンク１１を加圧して所定の乾燥流体を流出させる加圧手段と、タンク１１から流出される乾燥流体の流量を計量する流量計１２と、この流量計の計量値により流量を調節する調節弁１３と、タンクから流出される乾燥流体を流量計で計量し、この計量結果に基づいて前記調節弁を制御して一定量の乾燥流体を第３供給ラインＬＣ_３へ供給する制御手段１５を有している。 （もっと読む）