脆性材料の移動リボンの安定化が、リボンの高品質区域における非劣化接触またはリボンの非高品質区域における劣化接触により提供される。非劣化接触は、高品質区域に施された除去可能なコーティングを含むことができ、それによって、その下にあるリボンが保護される。非劣化接触は、弾性ブラシまたはローラにより提供することができる。劣化接触は、下流の刻線形成または亀裂伝搬と同時に行われるリボンとの断続的接触またはリボンへの補強材の適用を含むことができる。
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ディスプレイ装置は、単結晶または多結晶の半導体材料の層が基板を覆って配置された基板を有し、基板は層の形成温度より低い歪点を有する。単結晶または多結晶材料は、基板を覆う自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を提供する工程、ＳＡＭを覆う材料の層を被着する工程及び層を実質的に結晶化させる工程を含む方法によって作成される。

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好ましくは１．５より大きいアスペクト比を持つ、最小寸法（Ｂ）より大きい最大寸法（Ａ）を有する中央コア（３４）を含む光ファイバであって、中央コアの反対側に位置しかつファイバの長手方向に沿って延在する少なくとも１つの空気孔（２４，２６）を有し、動作波長帯域内で単偏光モードを支持するファイバが提供される。ファイバは、帯域内で単偏光を提供するために、システム内の光学成分に連結されていてもよい。このファイバを製造する方法も提供される。
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本発明は、光ファイバにマイクロベンディングに対する高度の保護を提供できる光ファイバ被覆系、およびそれにより被覆された光ファイバに関する。本発明のある実施の形態によれば、光ファイバ被覆系は一次被覆（２４）および二次被覆（２６）を含み、被覆系で被覆された実効断面積の大きい光ファイバを１２本有するリボン（１００）に１５５０ｎｍの波長でリボンの光学性能試験を行った場合、減衰における平均変化が約０．０２０ｄＢ／ｋｍ以下である。
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ウルトラコンデンサまたはハイブリッドコンデンサは、共通方向に沿って延び、その上に電流コレクタ構造体を支持するセルを有する、非導電性で、硬質または半硬質の、多孔質ハニカムセパレータ構造体を備える。電流コレクタ構造体は多孔質で、ハニカム構造体のセルの全内表面上に連続的に広がることができ、あるいはセルの内表面の分離領域上を共通方向に沿って延びることができる。材料は、コージェライト、窒化ケイ素、チタン酸アルミニウム、アルミナ、ジルコン、ガラスまたはガラス−セラミックのような、酸化物セラミックまたは非酸化物セラミックとし得ることが望ましい。
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アルミナ、チタニア、およびシリカの供給源などの無機バッチ材料と、異なった組成を有する第１および第２の細孔形成剤を含有する細孔形成剤の組合せと、有機結合剤と、溶剤とを含有するセラミック形成バッチ混合物。無機バッチ材料を、異なる組成の第１および第２の細孔形成剤を有する細孔形成剤の組合せと混合する工程と、有機結合剤および溶剤を添加する工程と、未焼成体を形成する工程と、未焼成体を焼成する工程とを必要とする、セラミック物品を製造するための方法もまた開示される。異なった組成を有する第１および第２の細孔形成剤の組合せを有する未焼成体が開示され、焼成してチタン酸アルミニウムなどのセラミック物品を製造するためのいくつかの方法も開示される。
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内部に画成されたミリメートルまたはミリメートル未満の大きさの１本または複数本の流体通路を有する耐熱性材料からなる１個の本体、および本体内に埋め込まれた耐熱性材料からなる少なくとも１本のチューブを備え、該チューブがミリメートル未満の通路を内部に備えかつ第１および第２の端部を備えたマイクロ流体デバイスが開示されている。上記チューブは、必須ではないが上記本体の材料よりも高い軟化点を有する材料からなることが望ましい。上記チューブは、その長さの途中またはその一端において、狭められた部分または引き伸ばされた部分を随意的に備えて、極めて微細な構造を提供する。焼成または焼結されて上記デバイスを形成する耐熱材料からなる層内に上記チューブを収容する凹部または孔を成形することによって、チューブは上記層に組み付けられかつ焼成または焼結されて、固結された耐熱性マイクロ流体デバイスを形成する。
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ウルトラコンデンサまたはハイブリッドコンデンサは、共通方向に沿って延び、共通方向に垂直な面内での単位面積あたりの平均密度が１５.５/ｃｍ^２をこえる、セルを有し、最終製品の高純度を保証するに役立たせるために高温処理を用いることができるように、３００℃ないしそれより高い温度で安定な材料で形成されることが望ましい、非導電性で、硬質または半硬質の、多孔質ハニカム構造体（１２）を備える。材料は、コージェライト、窒化ケイ素、アルミナ、チタン酸アルミニウム、ジルコン、ガラスまたはガラス−セラミックのような、望ましい、酸化物セラミックまたは非酸化物セラミックとすることができる。
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４９〜５３％のＳｉＯ_２、３３〜３８％のＡｌ_２Ｏ_３、１２〜１６％のＭｇＯの分析酸化物組成（酸化物を基準にした重量パーセントで表す）を有するコージエライトの主要結晶相を呈し、かつ約２５℃〜約８００℃の温度範囲にわたって−０．６×１０^−７／℃と等しいかそれよりもさらに負である熱膨張係数を示す、焼結セラミック物品を開示している。上述のコージエライトを含むセラミック物品の製造方法も開示している。
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単体構造またはセグメント化構造の多孔質セラミック製ウォールフロー・フィルタ体であって、ハニカムチャンネルが、低膨張耐火性充填剤および永久的無機結合剤を含む閉塞セメントにより交互に塞がれており、その結合剤が、改善された栓の健全性および多孔質セラミック製ハニカムのチャンネル壁への栓の結合を与えるフィルタ体が開示されている。 （もっと読む）