発明はレーザ技術及びファイバオプティクスに関する。高屈折率材料層に形成されたプレーナ型フォトニック結晶構造に基づく分散素子が開示される。一実施形態において、プレーナ型フォトニック構造は複数本の所定の幅と深さをもつ平行溝を有し、パルスは溝に垂直に伝搬し、分散素子長は位相変調パルスの最大圧縮を与えるように定められる。第２の実施形態にしたがう周期構造は図８に示される２次元周期構造を有し、周期構造領域には、互いに等しく、列を形成する第１の孔５及び、互いに等しく、所定の数の隣接する列を形成する第２の孔６があり、第１の孔の寸法は第２の孔の寸法と異なり、第１及び第２の孔の寸法並びに高屈折率材料及び基板の屈折率は上記の構造において第２の孔の列に沿う単一モード動作での位相変調パルスの誘導伝搬を与えるように定められ、第２の実施形態における分散素子長は位相変調パルスの最大圧縮を与えるように定められる。
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交差する内壁によって画成され、かつハニカム体の両端および両端間に水平および垂直に配置された複数の平行なセルと、複数のセルを取り囲み、かつ内壁と相互接続された外周壁とを備えたハニカムにおいて、複数のセルが、外周壁の近傍にある一部のセルを含む第１領域と、残りのセルを含む第２領域とに分類され、第１領域内のセルの壁の厚さが、外周壁に向かって延びる軸に沿って連続的に増大し、少なくとも第１領域のセルの内壁間の交差部には隅肉が形成されている。
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オーバーフロー・ダウンドロー法によるシートガラスの形成において、シートのエッジ部分をウェブ状部材上で下方へ流し、次いでこのウェブ状部材に交差しかつウェブ状部材に対して下方へ傾斜した延長部材上で下方へ流して、ガラス流のエッジ部分の厚さを薄くしかつシート幅を維持することによって、使用可能なシートガラスの幅が最大にされる。延長部材はウェブ状部材に取外し可能に取り付けられるのが好ましく、損傷した延長部材のより容易な交換を大きく助長する。
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多孔質セラミック触媒担体は、触媒または触媒支持コーティングを施す前に、表面安定化層によりプレコートされ、この表面安定化層は、ポリビニルアルコール／ビニルアミンコポリマー、ポリビニルアルコール／ビニルホルムアミドコポリマー、およびゼラチンからなる群より選択される少なくとも一種類のコーティング材料を含む液体混合物のコーティングからなる。 （もっと読む）

偏光モード分散（ＰＭＤ）を減少させるために、光ファイバーが線引きされている間に衝撃的スピンを光ファイバーに与えるための方法および装置。
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バイオセンサに呼び掛けるために１本またはそれより多くの単一モード（ＳＭ）光ファイバを用い、バイオセンサに呼び掛けるために多モード（ＭＭ）光ファイバは用いない、ＳＭ光ファイバ投光/受光システムを有する光読取器システムが説明される。ＳＭ光ファイバ投光/受光システムの使用により、有効に、角度鋭敏性が低められ、不要なシステム反射が低減され、総合角度許容範囲が改善され、共振ピーク反射率及び共振ピーク幅が改善される。（１）デュアルファイバコリメータ投光/受光システム及び（２）垂直入射でバイオセンサに呼び掛けるシングルファイバ投光/受光システムを含む、ＳＭ光ファイバ投光/受光システムの２つの特定の実施形態が説明される。
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本発明は、水素が添加されていないことによる高い感光性並びに低い開口数を与える光ファイバを提供する。本発明のある態様は、少なくとも約６モル％のゲルマニアおよび少なくとも約０．９重量％のフッ素がドープされたコアおよびこのコアを囲むクラッドを有する光ファイバに関する。本発明の光ファイバは、ファイバ・ブラッグ格子の製造に適している。
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押出成形品の反り量を何れの方向にも真にゼロになるように矯正する装置および方法である。バウディフレクタ装置は、可塑性バッチ材料の供給流が通過する十分に大きい開口部を備えた基板と、それぞれが独立的に移動可能な態様で基板に移動可能に取り付けられた複数の可調整プレートとを備え、バウディフレクタ装置を通過させることによって、開口部の直径と可調整プレートの位置とによって決定される流動速度が可塑性バッチ材料の供給流に重畳される。バウディフレクタ装置は、基板に固定されて可調整プレートを覆うカバーを有していてもよい。ハニカム構造体の押出成形装置においては、可塑性バッチ材料の供給流が押出成形ダイに流入するのに先立ってバウディフレクタ装置を通過するように、バウディフレクタ装置がダイの上流に配置される。
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固体酸化物燃料電池デバイスは、６００℃〜９００℃の中間温度範囲にある封止温度で水素ガス透過に対して耐性がある封止材料を含み、その封止材料は、１００×１０^-7／℃から１２０×１０^-7／℃のＣＴＥを有し、この封止材料は、質量％で、（ｉ）８０から１００質量％のガラスフリットであって、それ自体、モルパーセントで、１５〜６５％のＳｉＯ₂、０〜５％のＬｉ₂Ｏ、０〜５％のＮａ₂Ｏ₃、０〜１０％のＫ₂Ｏ、０〜５％のＭｇＯ、０〜３２％のＣａＯ、０〜１０％のＡｌ₂Ｏ₃、０〜５０％のＢ₂Ｏ₃、０〜２５のＳｒＯの組成を有し、アルカリの総量が１０モル％未満であるガラスフリット、および（ｉｉ）０質量％から３０質量％のジルコニアまたは白榴石添加物を含む。
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酸化物ガラスまたは酸化物ガラス−セラミックからなる支持基板(２０)に張り合わされた実質的に単結晶の半導体(例えばドープトシリコン)の層(１５)からなる１つまたはそれより多くの領域を有する大面積絶縁体上半導体(ＳＯＩ)構造を含むＳＯＩ構造が提供される。酸化物ガラスまたは酸化物ガラス−セラミックは透明であることが好ましく、１０００℃より低い歪点及び１０^１６Ω-ｃｍ以下の２５０℃における比抵抗を有し、高温(例えば３００〜１０００℃)において電場に応答してガラスまたはガラス−セラミック内を移動できる陽イオン(例えば、アルカリイオンまたはアルカリ土類イオン)を含有することが好ましい。半導体層(１５)と支持基板(２０)の間の接合強度は少なくとも８Ｊ/ｍ^２であることが好ましい。半導体層(１５)は半導体材料がガラスまたはガラス−セラミックから発生する酸素イオンと反応した混成領域(１６)を有することができる。支持基板(２０)は可動陽イオンの濃度が低減された空乏領域(２３)を有することが好ましい。
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