電流コレクタ及び電流コレクタを備える電気二重層コンデンサ。電流コレクタは、対電極表面及び裏側の第２の表面があってそれぞれの表面が面積を有する、導電層及び、対電極表面の少なくとも大半に重ねて形成されて接触している、梨地コーティングを有する。
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【課題】 現行の「ＵＬＥ」ガラスに可能なよりも広い温度範囲に亘り安定な熱膨張を有し、表面粗さ要件を満たすように研磨できる低熱膨張ガラスを提供する。
【解決手段】 この低膨張ガラスは、前面５、背面７および厚さＴを有する基礎ガラス材料３であって、１０質量％から２０質量％のチタニアおよび８０質量％から９０質量％のシリカから実質的になる基礎ガラス材料３、および基礎ガラス材料３の少なくとも前面５に施された、チタニアおよびシリカから実質的になるガラス被覆材料９であって、ガラス被覆材料９中のチタニアの総量が基礎ガラス材料３中のチタニアの総量より少ないガラス被覆材料９を有してなる。基礎ガラス材料３が、ほぼ１０℃から１００℃の温度範囲において実質的にゼロである熱膨張係数を有することが好ましい。 （もっと読む）

ダイオード励起の、イッテルビウムドープガラスレーザまたはイッテルビウムドープガラスセラミックレーザが提供される。光ポンプと、ガラスまたはガラスセラミックの利得媒質と、波長変換素子と、および出力フィルタとを含む、レーザ光源が提供される。利得媒質は、イッテルビウムドープガラスまたはイッテルビウムドープガラスセラミックの利得媒質を含み、さらにこの利得媒質を特徴付ける吸収スペクトルは、その吸収スペクトルの別個の波長部分に沿って夫々配置される、最大吸収ピークと準最大吸収ピークとを含む。ポンプ波長λを利得媒質の最大吸収ピークよりも準最大吸収ピーク近傍で同調させるように、光ポンプおよび利得媒質が構成される。さらなる実施形態が開示および請求される。
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複合材料は、式（Ｉ）Ｉ_ｙＣｏ_４Ｓｂ_１２（式中、Ｉは、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｎｄ、ＢａおよびＳｒの少なくとも１つを表し、０．０５≦ｙ＜１）の充填スクッテルダイトマトリックスと；充填スクッテルダイトマトリックス内にＧａＳｂ粒子とを含んでなり、この複合材料は、０．０５〜５モル％のＧａＳｂ粒子を含んでなる。従来の材料と比較して、この複合材料は、ゼーベック係数の実質的増加、全体的な熱伝導率のわずかな減少、低温端から高温端までの全温度帯にわたる熱電性能指数の実質的な増加、ならびに熱電効率の著しい向上を示す。
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イオン交換性でありかつ少なくとも１つの粗面化表面を有するガラス物品。粗面化表面は、２０°の入射角で測定したときに９０未満の反射画像鮮明度ＤＯＩを有する。そのようなガラス物品を含むピクセル型ディスプレイシステムも提供する。 （もっと読む）

光電子コンポーネントアセンブリ(ＯＥＣＡ)を基板上で位置合せするための方法は、アセンブリ表面上に基板を配置する工程及び基板上にＯＥＣＡを、第１のＯＥＣＡ位置合せ面が第１の基板位置合せ面から突き出るように、配置する工程を含む。基板及びＯＥＣＡは第１のアセンブリ位置合せ機構のコンタクト面に向けて、第１のＯＥＣＡ位置合せ面が第１のアセンブリ位置合せ機構のコンタクト面に接触した後に第１の位置合わせ面がコンタクト面に接触するように、進められる。第１のＯＥＣＡ位置合せ面がコンタクト面に接触するとＯＥＣＡは第１の基板位置合せ面に対して変位され、基板はコンタクト面に向けて動き続け、よってＯＥＣＡを基板上で第１の基板位置合せ面に対して位置合せする。
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仕上げ前材料の一部分に除去可能な感知層を施す工程及び仕上げ前材料のエッジを機械加工領域内に置く工程を含む、仕上げ前材料のエッジを仕上げる方法が提供される。方法はさらに、除去可能な感知層の位置を検知するために少なくとも１つのセンサを用いる工程及び検知された位置に基づいて加工機と仕上げ前材料のエッジの間の相対位置を調節する工程を含む。一例において、少なくとも１つのセンサは誘導性センサであり、除去可能な感知層は強磁性材料である。
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機能性基板を担体基板に結合し、前記機能性基板上に機能性要素を形成し、その結合界面に超音波を印加することによって前記機能性基板を前記担体基板から剥離する、各工程を有してなる、薄い機能性基板を備えた装置の製造方法。超音波の印加は、機能性基板が受ける引張応力を低減することによって、剥離ステップを補助する。
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本開示は、多様なナノ構造形態を有する金属酸化物材料に関する。より詳しくは、本開示は、多様な形態を有する酸化亜鉛および酸化コバルトナノ構造に関する。さらに本開示は、そのような金属酸化物ナノ構造の製造方法に関する。
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光ファイバは、最大屈折率デルタパーセントΔ₁を含む中央のガラスコア領域と、屈折率デルタパーセントΔ₂を含む前記コアを取り囲む第１の内部環状領域と、Δ₃を含む、前記内部環状領域を取り囲む屈折率低下環状領域と、屈折率デルタパーセントΔ₄を含む前記屈折率低下環状領域を取り囲む第３の環状領域とを備え、ここで、Δ_1MAX＞Δ₄＞Δ₂＞Δ₃である。Δ₄とΔ₂の差は０．１よりも大きく、プロファイル体積｜Ｖ₃｜は少なくとも６０％Δμｍ²である。
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