【課題】イオン注入装置のための改善された電極サブアセンブリーを提供すること。
【解決手段】電極サブアセンブリーは、（i）第１平面中に存在し、第１アパーチャ１４８を有する略平面状の第１電極１１８と、（ii）第１平面と略平行な第２平面中に存在し、第１アパーチャ１４８と一列に並べられた第２アパーチャ１２８を有する略平面状の第２電極４２と、（iii）第１電極１１８と第２電極４２とを連結する一対の連結ロッド１８２、１８４とを備えている。この連結ロッド１８２、１８４によって、第２電極４２の第１電極１１８に対する略平行な滑り移動が可能になる。
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イオン注入機内の走査イオンビームを集束するためのシステム及び方法が提供される。ビーム集束システムは、第１、第２磁石を備え、該第１、第２磁石は、協働して、走査方向に沿って走査イオンビームの時間的に変化するビーム位置ニ対応する時間的に変化する集束フィールド中心を有する磁気的な集束フィールドを与える。この方法は、走査平面内に集束フィールド中心を有する集束フィールドを与える工程と、集束フィールド中心が、走査方向に沿って走査イオンビームの時間的に変化するビーム位置にほぼ一致するように集束フィールドを動的に調整する工程とを含んでいる。
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シリコンウエハにイオン注入するための、イオン注入機のような低圧又は真空圧でワークピースを処理するためのツールを使用する移送システム。筐体は、低圧領域内のワークピース処理ステーションに置かれたワークピースを処理する低圧領域を定める。二段の、複数のワークピース分離ロードロックは、ワークピースを高圧領域から処理するための低圧領域へ移送し、上記処理後、高圧領域へ戻す。第1のロボットは、低圧領域内のワークピースを、ロードロックから低圧領域内の処理ステーションへ移送する。低圧領域の外側に位置する複数の他のロボットは、ワークピースを処理前に上記ワークピース源から、二段のワークピース分離ロードロックと往復移送し、上記処理後、ワークピースの行き先へ移送する。
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イオンビーム注入装置は、ビーム形成／案内装置と注入ステーションとを含み、注入ステーションにおいて、イオンビームのイオンが加工物に注入される。イオンビームは、イオン源から注入ステーションへと、排気された経路に沿って伝播する。注入ステーションは、可撓性のベローズ体により、注入ステーションがビーム形成／案内装置に対して回転可能となるように、ビーム形成／案内装置に結合される。それによって、イオンビームに対する加工物の注入角度が変更される。ベローズ体の内部領域には、ベローズ体の内面上に堆積する注入副産物の量を低減させるため、ベローズ体のための交換可能かつ可撓性のライナーが配置される。 （もっと読む）

本発明は、ワークピースの寸法、形状、及び／又は他の大きさの態様に近似させて、スキャンパターンを作るやり方で、連続イオン注入工程においてワークピースにイオンを注入することを目的としている。これは、効率を改善し、ワークピースが往復するイオンビーム中で、イオンビームはワークピースを著しく”オーバーシュート”しないようにする。スキャンパターンはワークピースよりもわずかに大きい。しかし、そのため、ワークピースが往復振動で逆方向になる時、ワークピースの方向転換、速度及び／又は加速度に関連する慣性効果が、小さな量の”オーバーシュート”内で割合を占めている。これは、言い換えると、実質的に、より一様なイオン注入を容易にする比較的一定の速度で、イオンビーム中をワークピースが移動することを容易にする。
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本発明は、紫外放射光および／または真空紫外放射光を放射するための無電極ランプおよび方法であって、超高純度および／または低欠陥の石英材料から形成される放電容器と、該放電容器の内部領域に配置される紫外光および／または真空紫外光の発光物質とを含んでいる。超高純度および／または低欠陥の石英材料から形成される無電極ランプにより、使用の間の劣化が最小化される。
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リボンまたはリボン形状のビームを作り出すイオン注入機は、スキャンニング装置を備えて、イオン源によって放射されたイオンを端から端まで走査し、イオン注入室内に移動するイオンの薄いビームを供給する。加工物支持体は、加工物を注入室内に配置し、駆動体が、加工物支持体をリボンの平面に対して垂直に薄いリボンビームを通って上下に移動させ、加工物の制御されたビーム処理を達成する。制御装置は、走査装置に接続された第１制御出力を含み、最大量未満にイオンビームの走査を端から端までの大きさに制限し、これにより、加工物の特定領域に加工物のイオン処理を制限する。また、制御装置は、同時に駆動体に接続された第２制御出力を含み、最大量未満に加工物の上下移動の大きさを制限し、イオンビームを加工物の制御された部分に衝突させる。
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【課題】紫外線（ＵＶ）光の強度を測定するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】光の強さを測定する装置及び方法にプローブを用いる。このプローブ100は、約180ｎｍ〜約270ｎｍの波長範囲を監視するように形成され、光を集めることができる反射拡散層120と、この反射拡散層と光学的に伝達する一端部を有し、かつ約180ｎｍ〜約270ｎｍの波長で約５０％以上の透過率を有する導波管130と、この導波管の他端部と光学的に伝達するセンサ150と、前記導波管及びセンサの中間に介在し、約２７０ｎｍより大きい波長を取り除きかつ約180ｎｍ〜約270ｎｍの波長で５０％以上の透過率を有するフィルタ140とを含む。
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【課題】処理室内に低ｋ誘電体フィルム層を有する基板から湿気及び汚染物質を取り除くための乾燥方法を提供する。
【解決手段】集積回路の低ｋ誘電体フィルムから汚染物質を乾燥して取り除くための方法。この方法は、低ｋ誘電体層を光子に露出させ、光子の露光と同時に、あるいはその前か後に、低ｋ誘電体層の劣化を生じさせないで汚染物質を取り除くのに有効な処理に対して基板を露出させることからなる。この処理は、加熱処理、真空処理、脱酸素プラズマ処理、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする。
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炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、前記基板は低ｋ誘電体層を含み、前記処理は、無酸素及び無窒素のガス混合物から形成されるプラズマを含み、前記プラズマを処理室に導入し、前記処理室は、上記プラズマと流体連絡するバッフルプレートアッセンブリを含み、前記プラズマを前記バッフルプレートアッセンブリを介して流し、前記基板からフォトレジスト材料、エッチング後の残留物及び揮発性の副産物を除去し、前記処理室へ酸素プラズマを導入することによって前記処理室を周期的に清掃し、そして、前記上部バッフルプレート上へ、冷却ガスを流すことによって前記バッフルプレートアッセンブリを冷却する。処理室はプラズマの流れに沿って受け入れるように適合され、前記処理室は、その壁と熱的連絡において少なくとも一つの熱伝導遮蔽を含む上部バッフルプレートと、前記上部バッフルプレートから離れている下部バッフルプレートからなる。
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