垂直方向の急速加熱処理システムは、処理室と、上記処理室内のワークピースの垂直方向の移動を提供するエレベータ構造を含む。上記エレベータ構造は、ワークピースを支持するためのワークピース支持体、ワークピース支持体に結合され、処理室の外部に伸びるエレベータシャフトを含む。処理室の外部にある、エレベータシャフトの端部は、選択された磁極を有する。上記エレベータ構造は、処理室内で上記ワークピースの垂直方向の移動を提供するためにエレベータシャフトに結合される可動キャリッジを含む。上記キャリッジは、選択された磁極を有するシャフト支持体を含む。上記シャフト支持体は、エレベータシャフト支持体の磁極のある端部に隣接して配置され、上記シャフト支持体及びエレベータシャフトが、移動径路に沿って垂直に移動するとき、反発磁力が、エレベータシャフトとシャフト支持体との間のギャップを維持する。
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線量測定システムと方法が、処理室内のワークピースの位置で、曲線経路に沿って複数の箇所でスキャンされるイオンビームを測定するために提示されている。説明されている線量測定システムは、センサと、センサを支持し、曲線経路に沿って複数の箇所でセンサを選択的に配置する取り付け装置とを含み、前記取り付け装置は、スキャンされるイオンビームの頂点の方へ向けてセンサを選択的に配置できる。
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本発明は、スキャンされるビームの平面に直交するイオンビームの入射角度値及び発散を得ることによって半導体素子の製造を容易にする。発散検出器は、マスク（310）とプロファイラー／センサ（314）を含み、入来イオンビーム（308）からビームレット（312）を得るために使用され、多数の垂直位置（316,318）でのビーム電流を測定する。これらのビーム電流測定値は、垂直入射角度値を与えるために使用され、かつイオンビームを特徴づけるために役立つ垂直方向の発散プロファイルを与える。これらの値は、イオンビーム発生機構によって使用され、これらの値が所望の値からすれている場合に、加工物の位置または発生したイオンビームに関する調整が実行される。
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イオンビーム注入機に用いるレンズ構造体。レンズ構造体は、イオンの移動方向に沿って離間した第１、第２の電極を含む。このレンズ構造体は、入射するイオンを偏向するために、イオンビームの幅を横切って伸びており、イオンを減速する第１電極とイオンを加速する第２電極を有する。また、レンズ構造体のモードコントローラが、前記加速用電極及び減速用電極のいずれかを選択的に作動して、入射するイオンの軌道にかかわらず、レンズ構造体に入射するイオンを、所望の軌道で、前記レンズ構造体から出射させる。
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【課題】一様なエネルギーが照射される半導体ウエハの温度制御をする装置の提供。
【解決手段】半導体ウエハ１０を処理するための装置。静電チャック６は円周状ガス分配溝１４と、半導体ウエハ後面１３と静電チャック６との間に位置するガスギャップ１６を画定する。リップ３は、ウエハ１０の外側帯５をシールドするために配置される。
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【課題】入力信号間の遅延時間の測定およびイオン注入システムのイオンビームエネルギーの測定のための装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの入力信号に可変遅延器が適用され、信号が相関器で比較され、この相関器は、可変遅延の遅延値が第１、第２信号間の遅延時間を表すときに極小値、極大値、または他の識別可能な値となる出力値を出力する。識別可能な相関器出力値が得られるまで可変遅延を調整することによって、その値が生成されたときの可変遅延の遅延値として、実際の遅延時間を決定することができる。遅延時間測定のための装置および方法は、イオン注入システムにおいて、飛行時間測定用プローブ210,220を使用してイオビームエネルギーを測定するために使用できる。遅延時間測定装置204を較正し、システムの残留遅延を除去することができる。さらに、電子装置による誤差を最小化する独自の誤差訂正方法も提供される。
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イオン注入装置及びそのスキャンニングシステムにおいて、集束調整装置が、イオンビームの集束特性を動的に調整するために設けられ、スキャナーの少なくとも１つの時間的に変化する集束特性を補正する。スキャンされたイオンビームを加工物に供給するための方法は、イオンビームの集束特性を動的に調整し、スキャンされたイオンビームを作り出すためにイオンビームをスキャンし、そしてスキャンされたイオンビームを加工物に向ける各ステップを含んでいる。
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プラズマ処理システムは、少なくとも１つのマルチピース式バッフルプレートを有する。このマルチピース式バッフルプレートアセンブリは、開口を有する少なくとも１つの環状リング部分と、前記開口内に着座するように寸法付けられたインサート部分とを含む。個々の部品は、セラミック材料から作ることができる。プラズマ処理中に、バッフルプレートにおける温度勾配によって生じる影響が最小化される。
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本発明は、半導体製造装置内でウエハを配列するものである。特に、本発明の１以上の特徴は、ウエハを配列装置内で適切に方向付けることを可能とする、ウエハ上に配列されたノッチのような、配列マーキングを迅速にかつ効率的に見出すことに関連する。従来のシステムのようでなく、上記ノッチは、ウエハを確実に保持せず、また回転せずに、設けられる。裏側汚染に相当する照射は、それによって軽減され、また、ウエハを配置することに関連する複雑さやコストは、それによって減少する。
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本発明は、加工物を処理するための走査装置および走査方法に関する。この走査装置は、互いに固定的に結合されたウエハアームおよび移動アームを含み、ウエハアームおよび移動アームは、第１軸回りに回転可能である。ウエハアームにはエンドエフェクタが結合され、加工物は、エンドエフェクタ上に配置される。ウエハアームおよび移動アームは、回転するシャフトによって第１アクチュエータに結合され、第１アクチュエータは、シャフトに回転力を付与する。シャフトには、シャフトの回転方向を反転させる運動量バランス機構が結合される。運動量バランス機構は、１つまたは複数の固定ばね作用要素を含み、移動アームに結合された移動ばね作用要素に対して力を作用する。さらに、コントローラは、予め定められた走査範囲内におけるエンドエフェクタの移動速度をほぼ一定に維持するように動作する。
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