イオン注入処理のための汚染軽減又は表面改質システムは、ガス源、コントローラ、弁、及び処理チャンバーを含む。ガス源は、大気性又は反応性のガスを弁に供給し、弁はコントローラによって制御される。弁は、処理チャンバー上又は周囲に配置され、処理チャンバーへのガスの流量及び／又は組成を調節する。処理チャンバーは、ターゲットウエハのようなターゲットデバイスを保持するとともに、ガスとイオンビームとの相互作用を可能にして、ターゲットウエハの汚染を軽減し、及び／又は、処理環境又はターゲットデバイスの既存の特性を改変してそれらの物理的状態又は化学的状態を変更する。コントローラは、イオンビーム中の汚染物の存在、又はその欠落、全圧又は分圧の分析に応じて、ガスの組成及び流量を選択及び調整する。
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イオン注入装置は、ビームラインに沿って進行するイオンビームを発生するためのイオン源、及び、真空又は注入チャンバーを含み、シリコンウエハ等の加工物は、イオンビームによる加工物の表面へのイオン注入のために、注入チャンバーの内部にイオンビームと交差するように配置される。ライナーは、排気された内部領域の少なくとも一部の境界を形成する内部を向いた表面を有し、この表面にわたって互いに間隔をおいて複数の溝が形成され、イオン注入装置の動作の間に内部領域で発生した汚染物を捕捉する。
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【課題】イオンビームのプロファイルを決定するためのシステム、方法及び装置が提供される。
【解決手段】装置は、イオンビーム１１０の経路に沿って配置される測定装置１４０、駆動機構１７５、及び駆動機構に回転可能に連結された第１プレート１６５を含む。駆動機構は、イオンビームの経路中、第１軸の周囲に第１プレートが回転するように操作可能であり、測定装置に達するイオンビームを選択的に阻止する。装置は、さらに、駆動機構に回転可能に連結された第２プレート１９３を含み、駆動機構は、第１プレートの回転から独立してイオンビームの経路中、第１軸の周囲で第２プレートが回転するように操作可能であり、さらに、測定装置に達するイオンビームを選択的に阻止する。駆動機構は、さらにイオンビーム中、第１プレート及び／あるいは第２プレートを、直線上、平行移動させることが可能である。 （もっと読む）

プリメタル及びシャロートレンチアイソレーション応用において用いられる誘電体材料のためのＵＶ硬化処理は、適当な誘電体材料を基板上にコーティングし、前記誘電体材料の、有機成分を減少および／または密度を増加および／またはウエットエッチング抵抗を増加するために有効な量で、前記誘電体材料を紫外線放射に曝す、各工程を含む。選択的に、ＵＶ硬化された誘電体材料は、多数の紫外線放射パターンに曝される。
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１つ以上の加工物、例えば、半導体ウエハを操作するための加工物移送アセンブリは、加工物の外径に対応する１つ以上の弓状部分を含む。この弓状部分は、加工物の外端に係合する加工物係合表面を有する；少なくとも１つの協働アームが、加工物の係合表面から加工物の外端部上に加わる圧力に応じて、加工物から離れる方向に加工物係合表面の変形を可能にするたわみアセンブリを含む。
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加工物又はウエハの線量に関連する正確なイオン流を測定するために、シリアル式イオン注入装置の走査型又はリボン型イオンビームの最終エネルギーベンド付近に配置された線量カップを有するイオン注入システム。本システムは、リボン型イオンビームを発生するイオンビーム源を有するイオン注入装置を含む。本システムは、更に、最終エネルギーベンドでビームを屈曲させることにより、リボン型イオンビームのエネルギーをフィルタリングするように構成されたＡＥＦシステムを含む。ＡＥＦシステムは、更に、ＡＥＦシステムに関連し、イオンビーム電流を測定するように構成されたＡＥＦ線量カップを含み、このＡＥＦ線量カップは、最終エネルギーベンドの直後に配置される。ＡＥＦシステムの下流のエンドステーションは、チャンバーによって画定され、加工物は、イオン注入のために、チャンバー内のリボン型イオンビームに対して移動可能な所定の位置に固着される。ＡＥＦ線量カップは、エンドステーション上流の最終エネルギーベンド付近に配置されるため、加工物の注入処理による脱ガスを要因とする圧力変動が軽減される。したがって、本システムでは、ガスによってイオンビーム中に発生する中性粒子が増大する前に、一般的には圧力補償を要することなく、正確にイオン流を測定することができる。この線量測定を使用して走査速度を変更し、イオン源及び加工物の脱ガスを要因とするビーム電流の変動の存在下で、均一な閉ループ線量制御を確保することもできる。
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低ｋの誘電体材料、プレメタルの誘電体材料、バリア層等を処理するための装置及び方法であって、基本的に、放射源モジュールと、この放射源モジュールに接続された処理チャンバーモジュールと、この処理チャンバー及びウエハハンドラーと作用して連通するロードロックチャンバーモジュールを含む。上記モジュールのそれぞれの雰囲気が、誘電体材料の異なるタイプに対して望ましくなるように制御されることが可能である。上記放射源モジュールが、リフレクタ、紫外線放射源、及び約１５０ｎｍから約３００ｎｍの波長に対して透過性のあるプレートを含み、もって、シールされた内部領域を画定し、このシールされた内部領域が、流体源と流体連通している。
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イオン注入中の汚染を軽減するためのシステム、方法、及び装置が提供される。イオン源、エンドステーション、及びイオン源とエンドステーションの間に配置された質量分析器が設けられる。イオンビームは、イオン源から形成されて質量分析器を通ってエンドステーションへ移動する。粒子コレクター、粒子アトラクター、及びシールドを含むイオンビームダンプアセンブリと質量分析器とが連動し、粒子アトラクターの電位により粒子コレクター内の汚染粒子を引き寄せかつ抑制する。そして、前記シールドが、粒子アトラクターの電位を質量分析器内のイオンビームの電位から保護するように作動する。
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ワークピース取扱又は処理装置のセットアップに使用される方法及び装置。開示されたシステムは、半導体集積回路を製造する処理工程中、扱われるシリコンウエハを処理する。前記処理装置は、ウエハ処理中、取扱領域においてウエハを支持するウエハ支持体を含む。ハウジングは、ウエハ支持体上のウエハを処理するためにハウジング内に制御された環境を提供する。機械的な移送システムは、ウエハを前記支持体へ往復移送する。ウエハシミュレータがウエハの移動をシミュレートするために使用され、また、前記シミュレータ、ウエハの移送および支持装置間で、接触を監視するための圧力センサを含む。一実施形態で、ウエハシミュレータは、略円形であり、ウエハの移送及び支持装置との接触を監視するための３つの等しい間隔を置いた圧力センサを含む。
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【課題】最新のＬｏｗ−ｋ材料のための紫外線硬化法の提供。
【解決手段】改善された弾性率及び材料硬度を有する低誘電率材料。このような材料の製造方法は、誘電材料を準備すること、及び、該材料を紫外線（ＵＶ）硬化させて、ＵＶ硬化誘電材料を製造することを含む。ＵＶ硬化は、改善された弾性率及び材料硬度を有する材料をもたらす。改善は、それぞれ、典型的には、５０％より大きいか、又は約５０％である。ＵＶ硬化誘電材料は、所望により、ＵＶ後処理され得る。ＵＶ後処理は、ＬＩＶ硬化誘電材料と比べて、材料の誘電率を低下させ、更に、改善された弾性率及び材料硬度を維持する。ＵＶ硬化誘電体は、更に、炉での硬化法よりも、硬化において、より低い総熱量を示し得る。 （もっと読む）