【課題】イオンを加工物に注入するシステム及びその方法を提供する。
【解決手段】イオン注入システムにおいて、イオンを加工物に注入するために、イオンビームを発生させ、イオンビームを質量分析し、加工物に対してイオンビームをスイープ軸線に沿って上下方向にスイープ動作させる。そして、イオンビームのスイープ動作に同期して、ビーム軸線に沿って加工物を傾けて、前記加工物に対してほぼ一定の注入角度を維持する。この場合、イオンビームがウエハを横切って上下方向にスイープされるとき、ビームとともに分析開口が移動する。これにより、所望のイオンをウエハに衝突させることができ、不要な汚染物質が阻止される。 （もっと読む）

【課題】イオン注入システムにおいて使用される、改良された質量分析プロファイル特性で、広いリボン形状のイオンビームを創り出す単一磁石アッセンブリを提供する。
【解決手段】プラズマ源と引き出し要素を含むイオンビーム源から質量分析されたリボンビームを供給するイオン注入システムであり、引き出し要素は、発散ビームを引き出し、ウインドウフレーム磁石アッセンブリにイオンビームを向ける。ウインドウフレーム磁石アッセンブリは、独立して制御可能な一様なクロスフイールド磁場を生じるようにウインドウ形状ヨーク内に、互いに垂直に配置される二対のコイルを含む。第一のコイル対は発散ビームを一様な平行ブロードビームにするように一様な垂直磁場８０４を創る。第二のコイル対の作る磁場８１０は、イオンの質量により、質量分散を与え、垂直方向にイオンビームをシート状に曲げ、リボンビーム８０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の際、イオン衝撃によりスパッタが堆積するのを減少させ、メインテナンスの時期を長くする。
【解決手段】冷却トラップ200は、堆積する材料を引き付ける材料で、例えば、テクスチャやノンテクスチャのアルミニウム、グラファイト、多孔アルミニウム、シリコンカーバイド又はシリコンカーバイドフォームを含む。冷却トラップ200は、ファラディフラッグアッセンブリ100’の下に配置される。オープンカップ212は、高温の上部領域213と、比較的低温の下部領域214を有し、冷却液を使用する閉ループ冷却システム210によって冷却される。オープンカップの表面220は、刻み目のある表面であり、トラップ表面220に集めて薄膜を作ることによって、フィルムスパッタ211の層間剥離や、イオン注入室22内の他の表面への堆積を減少させる。 （もっと読む）

【課題】単一基板のイオン注入システムにおいて、イオンビームを有効に利用するために最適な方法を目的とする。
【解決手段】一時的な温度操作パラメータは、２次元の機械的スキャニングで固定されたビームスキャンの間でウエハの１８０度の機械的回転に基づいて制御される。固定されたイオンビームスキャンの間でのワークピースの回転は、より一様なイオン注入処理を進めるのに十分な、一時的な温度の放散を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ダイレクトデジタル合成（ＤＤＳ）技術を使用して、高精度な周波数および位相の制御並びに自動化された電極電圧の位相較正を達成することにより改善されたＬＩＮＡＣとこれを使用したＨＥイオン注入システムを開示する。
【解決手段】ＤＤＳコントローラ１３０は、多段線形加速器を使用した注入処理において、加速器の各ステージ内のそれぞれの電極に対する電界の周波数および位相を同期させるために使用される。ＤＤＳコントローラは、電極の電界の位相を変調するためのデジタル位相合成（ＤＰＳ）回路１３８、および、デジタル周波数合成またはＤＦＳ１３４を使用して、それぞれのＤＰＳ回路に印加されるマスター周波数およびマスター位相をデジタル処理により合成するためのマスター発振器を含んでいる。各ステージのＲＦ電極の電圧の位相および振幅を自動的に較正するための方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】シリコーンウエハへイオンを注入するためにイオンビームを供給するのに使用する質量分析磁石及び／あるいは他の磁石構造を有するイオン注入機、システム、方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム注入機10は、ビームラインに沿って移動するイオンビーム14を発生するためのイオン源12と、イオン注入室22とを含み、イオンビームによってワークピース24の表面にイオン注入するために、ワークピースがイオンビームを横断するように位置づけられる。ビームラインに沿って位置する種々の超伝導材料からなる磁石30,40,42,44が、イオンビーム及びイオンを操作するために備えられる。超伝導材料として、臨界温度の低いＴ_Ｃ材料（例 ＮｂＴｉ）又はより高いＴ_Ｃ材料（例 ＭｇＢ_２、Ｂｉ_２Ｓｒ_２ＣａＣｕ_２Ｏ_８）で作られる磁石を有するイオンビーム注入機が開示されている。 （もっと読む）

フォトレジスト又は他の有機化合物を半導体ウエハから取り除くためのシステム及び方法が提供される。非フッ素化反応ガス（Ｏ₂，Ｈ₂，Ｈ₂Ｏ，Ｎ₂等）は、中圧表面波発射によって水晶管内で活性化される。プラズマジェットが基板上に作用するので、蒸発反応製品（Ｈ₂Ｏ，ＣＯまたは低分子量の炭化水素）を基板表面からフォトレジストを選択的に取り除く。また、この中圧力によっては、ウエハ上の反応領域内に効果的な熱源を与え、そして、エッチング速度を高め、さらに、イオン注入されたフォトレジストを取り除く実際の手段を与える高いガス温度を得ることができる。
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本発明の１つ以上の構成は、イオンビームと加工物との相対的方位を決定する測定コンポーネントに関する。この測定コンポーネントは、イオン放射に敏感でかつ測定コンポーネントとイオンビームとの相対的方位を可能にし、イオンビームに対して測定コンポーネントを移動させて正確に測定する。測定コンポーネントは、加工物に対する既知の関係で方向付けられ、加工物とイオンビームとの相対的方位が確定される。イオンビームと加工物との相対的方位を知ることにより、加工物が、測定されたビーム角度に対する特定の角度に方向付けられ、加工物のより正確なドーピングにより半導体の製造を向上させる。
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本発明の１つ以上の構成は、供給ガスの流量の１つのパラメータを選択的に調整することによって、イオン注入システム内のイオンビームの電流又は密度を安定化する事に関する。ガス流量の調整は、他の作動パラメータに対する調整を必ずしも必要ではなく、これにより、安定化処理を単純化する。ビーム電流が、比較的早く安定化させるためにイオン注入は、中断されず促進的に始動されかつ続けられる。これは、関連した注入コストを削減するとともに処理能力を改善する。
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本発明の１つ又は複数の態様は、イオンビームと、イオンビームによってイオンが選択的に注入される加工物の格子構造との間の相対方向を判別し、その相対方向を考慮してイオン注入システムを較正することに関連する。ビーム対格子構造の方向は、少なくとも部分的には、発散するイオンビームを加工物に導き、加工物の結晶面に略平行にイオンを注入し、したがって、格子構造に生じさせた損傷が小さい発散するイオンビームのアスペクト角度を特定することによって判別される。
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