ワークピースをスキャンするための往復駆動システム、方法及び装置が提供される。この往復駆動装置のモータは、独立して第１軸回りに回転可能なロータとステータを有し、静的基準点に対してワークピースを往復移動するように作動可能である。ロータによって回転可能に駆動されるシャフトは、第１軸に沿って伸びている。また、スキャンアームは、このシャフトに結合して作動し、ワークピースを支持して作動可能である。モータによるシャフトの周期的な逆回転により、スキャンアームを回転して作動することができ、これにより、第１スキャン経路に沿うイオンビームを通過してワークピースをスキャンする。ステータは、前記ロータの回転に対して反動質量として作用する。コントローラは、ロータとステータの間の電磁気力を制御し、これにより、ロータとステータの回転位置を決定する。
（もっと読む）

イオンビーム中を通過してワークピースをスキャンするための往復駆動システム及び装置が提供される。第１軸回りに個々に回転可能なロータとステータを含むモータは、イオンビームに対してワークピースを往復移動するように作動可能である。ロータにより回転駆動されるシャフトは、第１軸に沿って伸び、スキャンアームは、このシャフトに連結され、そして、ワークピースを支持するように作動可能である。モータによるシャフトの周期的な逆回転によりスキャンアームを回転させて、第１スキャン経路に沿ってイオンビーム中を通過するワークピースをスキャンさせる。ステータは、ロータの回転に対して反動質量として作用する。コントローラは、さらに、ロータとステータ間の電磁気力を制御するように作動し、ロータとステータの回転位置を決定する。
（もっと読む）

イオンビーム中を通過してスキャンアーム上のワークピースを往復移動するための方法が提供される。このスキャンアームは、第１軸回りに個々に回転可能なロータとステータを含むモータに結合されて作動可能である。ロータとステータ間に加えられる電磁気力により、ロータを第１軸回りに回転させ、そして、イオンビーム中を通過するワークピースを第１スキャン経路に沿って移動する。ワークピースの位置が感知され、第１スキャン経路に沿うワークピースの移動方向を逆転させるために、ロータとステータ間の電磁気力を制御する。この制御の少なくとも一部は、ワークピースの感知された位置に基づいている。ステータは、ロータの回転に抗して第１軸回りにさらに回転し、特に、ワークピースの移動方向を逆転させるために、ロータ、スキャンアーム及びワークピースの１つ又は複数の回転に対する反動質量として作用する。
（もっと読む）

イオン弁（120）と質量分析器（26）との間に配置されるディスパージョンシステム（140）を含むイオン注入システムが設けられる。このディスパージョンシステムは、イオン源から質量分析器に引き出されたイオンビームを選択的に通過させ、または分散されたイオンビームを前記質量分析器に向けて指向させるように作動し、分散されたイオンビームが、引き出されたイオンビームよりも不要な質量範囲のイオンを少なくする。
（もっと読む）

本発明は、イオン注入システムにおいて、例えばイオン注入の前後に費やされる付加的な監視ツールによる手順を回避するために、イオン注入の間に粒子又は他の構造物をインサイチューに検出することに関する。光源（例えばレーザービーム）により照明された１つ又は複数の半導体ウエハ上の粒子から散乱される光を検出するための、１つ又は複数のシステムが開示される。本発明に係るシステムは、ウエハ上のスポットを照明するレーザー装置と一対の検出器（例えばＰＭＴ又はフォトダイオード）とを有するイオン注入装置を含み、これらのレーザー装置及び検出器は、イオン注入箇所から回転位置上反対側に配置される。１つ又は複数のウエハは、ウエハ搬送部によって保持され、固定されたレーザースポット下を走査移動する。照明されたウエハ（加工物）からの検出散乱光の強度は、コンピュータによって解析され、コンピュータは、その検出散乱光を一意的な位置に位置付けることができる。例えば、ウエハ上の粒子又は他の汚染をイオン注入処理の間に識別することができ、余分な時間および資源を費やすことがなく、汚染源の判別にも役立つ。さらに、粒子の量及びサイズについてのしきい値解析により、例えば、システムの遮断又はフィードバック制御等のシステム保護動作を実施してもよい。 （もっと読む）

【解決手段】ワークピース移送装置は、減圧状況下でワークピースを処理するためのイオン注入機に使用される。ワークピース移送装置は、注入チャンバの内部領域と流体連通する脱気可能なロードロック装置を含んでいる。ロードロック装置は、ワークピースと整合する開口を有するワークピースを支持するためのサポート表面を含んでいる。ワークピース移送装置はさらに、注入チャンバ内に、２つの自由度を有するリンケージによって支持された台を備えたワークピースサポートを含んでいる。リンケージは、処理に先だって、サポート表面の開口を横切って通過するよう台を移動させて、ワークピースをサポート表面から取り上げる。台は、ワークピースを注入チャンバ内で処理するための位置に保持する。その後、リンケージは、台をサポート表面の開口を横切るように通過させて、後の処理のためにワークピースをサポート表面上に配置する。 （もっと読む）

本発明は、たとえば、非均一なイオン注入を緩和するために、イオン注入システム内のイオンビーム電流を調整することに向けられている。多数の装置がイオンビームの強さを調整するために設けられる。たとえば、イオンビーム内のイオンの量または数は、イオン源の下流に配置される１以上の異なる要素によって変えられる。同様に、イオンビーム内のイオン線量は、イオン源により密接に関連した要素を制御することによって操作される。このように、注入方法は、イオンのより均一なコーティングにより、ウエハが注入されるように調整することができる。
（もっと読む）

本発明は、イオン注入システムにおける結晶切断誤差を計算することにある。これにより、正確なイオン注入をより容易にする。また、本発明の１つ以上の構成では、ドーピングされるウエハの表面に形成される特徴部から生じる可能なシャドーイングを考慮する。本発明の１つ以上の構成によれば、結晶切断誤差データ及び選択的な特徴部のデータが、１つ以上のイオン注入ステージまたは注入システムに周期的に供給され、加工物に対するイオンビームの再度方向付ける方法を確認して、所望の注入結果を達成する。
（もっと読む）

処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室内に流れるガスを分配するためのバッフル板アセンブリは、複数の開口を有する平坦なガス分配部分と；このガス分配部分を取り囲むフランジと；キャップ、及び前記ガス分配部分と熱接触しているステムを有して、前記ガス分配部分の中央に取り付けられる衝突装置とを含む。また、バッフル板アセンブリを用いるプラズマリアクターと、プラズマ内で種の再結合を減少させるための方法が開示されている。
（もっと読む）

本発明は、熱処理システム内で基板を熱処理する方法に関する。この方法では、基板の目標温度を用意し、熱処理システム内で基板の移動プロファイルを生じさせる。第一位置で基板に熱量を加え、この第一位置で基板上の一つ又は複数の位置に関係する一つ又は複数の温度を測定し、これら一つ又は複数の測定された温度、基板の位置、及び熱処理システムと基板の熱モデルに基づいて、基盤の理論的な位置を生じさせる。また、基板の移動プロファイルに従って、基板の予測された温度プロファイルを生じさせるが、この予測された温度プロファイルは、一つ又は複数の測定された温度と、基板の理論的な位置と、予測された温度プロファイルに基づいて決定された予測された最大の温度に基づく。さらに、予測された最大の温度が目標の基板の温度と等しくなるか、大きくなる時、移動プロファイルに従って、基板を第二位置に移動させる。さらに、理論的な位置のエラーを修正するため、オフセットを用いる。
（もっと読む）