イオンビーム注入装置は、ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、イオンビームと交差するように加工物が配置されて、イオンビームによって加工物の表面にイオンを注入するための真空室、即ち、注入チャンバーとを含む。さらに、イオンビーム注入装置は、注入チャンバーに連結され、加工物24を支持する加工物支持構造体100を含む。加工物支持構造体は、加工物24を支持するための回転可能な受け台204を含む静電チャック202を有する。さらに、加工物支持構造体は、受け台に連結されて回転可能な第１リール262と、第１リールに連結された冷却ラインおよび電気導体等の設備を担持する屈曲性の中空コードとを含む。その結果、受け台が第１方向に回転すると、第１リールの回りに巻き取られる屈曲可能なコードの長さが増加し、また、受け台が第１方向と反対の方向に回転するとき、第１リールの巻き取られる屈曲可能なコードの長さが減少する。
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本発明は、多極静電チャック用のクランププレートを形成する方法を提供する。この方法は、半導体プラットフォーム上に第１電気導電層を形成し、互いに電気的に分離される第１電気導電層の複数の部分を形成する段階を含む。第１電気導電層上に第１電気絶縁層が形成され、この第１電気絶縁層の頂部表面がこの表面から第１距離だけ伸びるＭＥＭＳの複数の突起を有する。複数の電極が更に、第１電気導電層の複数の部分のそれぞれに電気接続され、複数の電極間に印加される電圧がクランププレートに静電力を誘導するように使用できる。
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本発明は、半導体処理装置を用いて、半導体基板をクランプして処理するための方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、静電チャックと基板との間の熱接触伝導によって基板を加熱または冷却する動作を開示する。この多極静電チャックは、複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記突起は、その間にギャップを形成し、突起の表面あらさは、100Å以下である。静電チャックは、更にチャックに印加される電圧を制御する電圧制御システムを含み、チャックの接触熱伝達係数を制御する。静電チャックの熱伝達係数は、基板と複数の突起との間の接触圧の関数である。
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本発明は、リボン型イオンビーム内の多数の種から所望のイオン種を選択する一対の永久磁石を構成する質量分析器を使用する。永久磁石は、所望の方向に特定の力を加える電磁石で達成できない小さい領域に適切な大きさのほぼ均一な磁界を与える。この力は、リボン型イオンビームの通過粒子に印加され、この粒子の経路をそれぞれの質量に応じて変化させる。その結果、拒絶された種および／または汚染物質が質量分析器を通過できないように（例えば、分析器にある磁石および／または他の障壁に衝突して）する力によってビームから選択されたイオン種が得られる。質量分析器により、多数の種を発生させるドーパント／種のイオン源が単一のドーパント／種を供給するイオン源の代わりに用いることができる。
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本発明は、単相方形波交流クランプ電圧を用いて、Ｊ−Ｒ型静電チャックにウエハをクランプする方法及びシステムを提供する。この方法は、ウエハ、静電チャック及び漏洩性誘電体層の表面形状に関連した最小残留クランプ力に基づいて単相方形波クランプ電圧を決定する。ウエハは、静電チャック上に配置され、前記決定された単相方形波クランプ電圧を静電チャックに印加してウエハを静電チャックにクランプし、最小残留クランプ力が、前記クランプ電圧の極性切換え中、維持される。前記表面形状の決定は、ウエハと静電チャックとの間に第１ギャップと第２ギャップを定め、第１、第２ギャップのそれぞれに関連したＲＣ時定数の差が、前記クランプ電圧の極性切換え中、前記最小残留クランプ力が維持されるように与えられる。前記方形波クランプ電圧を取り除く際の脱着時間が、方形波クランプ電圧のパルス幅に対応するように減じられる。 （もっと読む）

【課題】クランプ用の単相交流の方形波電圧を用いて、ウエハを静電チャックにクランプさせる方法を提供する。
【解決手段】この方法では、少なくとも部分的にウエハの慣性応答時間に基づいて、静電チャック150用に、クランプ用の単相方形波電圧を決定する。次に、ウエハを静電チャック150上に置き、ウエハと静電チャック150の間にギャップを定める。次に、決定されたクランプ用の単相方形波電圧を印加して、ウエハを静電チャック150に対して一般に所定の距離でクランプさせるが、静電荷量を一般に蓄積させないようにして、ウエハを早くクランプから解除させるようにする。 （もっと読む）

本発明は、特に低エネルギーイオンビーム移動に対するビーム電流の損失を低減する。本発明は、リニア加速器内のビーム集束要素として従来の二重の正負電位（バイポーラ型）静電レンズの代わりに、ユニポーラ型の静電四重極レンズを用いて、ビーム電流の損失を減少させる。更に、本発明は、ｍた、バイポーラ配線およびユニポーラ配線間で切換えるためのシステムおよび方法を含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板をクランプしかつこれに関連した熱伝達を制御するための半導体処理装置及び方法を提供する。本発明の１つの構成によれば、多極静電チャック及びその方法は、チャック表面間に、制御されかつ均一の熱伝達係数を与えるように構成されている。この多極静電チャックは、ギャップを形成する複数の突起を有する半導体プラットフォームを含み、前記ギャップの距離または深さは、均一であって、冷却ガスの平均自由行路に関係する。静電チャックは、複数のギャップ内における冷却ガスの背面圧力を調整して、冷却ガスの熱伝達係数を制御する。複数の突起は、さらに、均一な接触表面を有し、複数の突起と基板との間の接触伝導率は、基板間で制御可能でかつ均一である。 （もっと読む）

加工物は、処理中、加工物への機械的ストレスを減じるためにガスクッションによって支持される。加工物を受け入れる加工物支持フランジを有するプレナムは、ガス供給源に接続されている。ガスがプレナム内に流れて、加工物を持ち上げるのに十分な圧力が増加すると、加工物は、持ち上げられ、そして、支持フランジと加工物エッジとの間のプレナムからガスが流れる。その結果、加工物は、処理中、ガスによって支持フランジ上方で支持される。 （もっと読む）

半導体基板から低ｋ誘電体材料の存在下でフォトレジストを取り除くための、実質的に水素及び窒素を含まないプラズマアッシング方法は、プラズマを形成するのエネルギー源にプラズマガス混合物を露出されることにより反応性種を形成する。プラズマガス混合物は、実質的に酸素含有及び窒素含有ガスを含まない。このプラズマは、酸素および窒素を含まない反応種にフォトレジストを露出させて、基板の基礎をなす低ｋ誘電体材料からフォトレジストを選択的に取り除く。この処理は、炭素含有低ｋ誘電体材料とともに用いることができる。 （もっと読む）