説明

エフ イー アイ カンパニにより出願された特許

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【課題】本発明は、高空間分解能を用いて、サンプル(4)における蛍光マーカの位置を決定する方法について開示している。
【解決手段】このために、サンプル(4)は蛍光ビーム(11)により照射され、サンプル(4)は粒子ビーム(3)により同時に走査される。走査中、マーカは、粒子ビーム(3)により照射され、照射されたマーカはもはや蛍光放射線を放出しないような方式で損傷を受ける。これは、蛍光放射線束の減少に繋がる。この減少は検出される。サンプルに関して粒子ビーム(3)の位置を認識することにより、マーカが損傷された瞬間が理解され、従って、サンプルにおけるマーカの位置が又、理解される。 (もっと読む)


【課題】 エネルギー拡散を低減した電子源及び電子顕微鏡又は電子ビームリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子を使用するために適切である電子源であって、その電子源において電子ビームが、電位、熱励起及び光励起の少なくとも1つの影響下にある電極から引き出されることができ、少なくとも電極の一部は離散的エネルギーレベルに量子化された伝導帯を有する半導体材料から構成される、電子源を提供する。そのような電子源は、比較的小さいエネルギー拡散であって、典型的には、冷電界放出銃(CFEG)のエネルギー拡散に比べて非常に小さいエネルギー拡散を享受している。前記半導体材料は、例えば、半導体なのウェーブから構成されることが可能である。そのようなナノワイヤのための適切な半導体材料の例にはInAs及びGaInAsがある。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、時間的な節約を提供できる、基板から微視的なサンプルを取り出すための方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、基板2から微視的なサンプル1を取り出すための方法を提供し、該方法は、サンプル1が基板2から切り出されるようにして、基板2がビーム4で照射される、切断処理を実行するステップと、サンプル1がプローブ3に付着される付着処理を実行するステップと、を含み、切断処理の継続期間の少なくとも一部期間で、切断処理が少なくとも2つのビーム4及び5によって同時に実行されることを特徴とする。
少なくとも2つのビームで切断を実行することによって、ビームを生成する手段に関する基板2の方位を変えることなく、サンプル1が抽出できる。2ビームの同時作用と、方位を一定に維持する可能性は、切断が単一ビームでのみ実行される方法と比較して、時間的な節約を提供する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、サンプルを真空排気するための装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、サンプルを真空排気するための装置に関する。サンプル4は、滑らかな表面2を備えるシート1の空洞3に位置する。単独プレート5は当該滑らかな表面2上に位置し、それによって、滑らかな表面2とそこに位置する単独プレート5は共に真空の密封を形成する。真空カラム6が設置される単独プレート5は、滑らかな表面2上にわたって摺動できる。単独プレート5を空洞4上で摺動することによって、空洞4は幾つかのステップで真空排気される。本発明の実施態様において、真空カラム6はESEM(環境制御走査型電子顕微鏡)の形態となる。この手法において、ESEMで真空排気されたサンプル4を検査することが可能である。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、時間的な節約ができる、基板から微視的なサンプルを取り出すための代替方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、基板2から微視的なサンプル1を取り出すための方法を提供し、該方法は、サンプルが基板から切り出されるようにして、基板2がビーム4で照射される、切断処理を実行するステップと、サンプル1がプローブ3に付着される付着処理を実行するステップとを含み、切断処理と付着処理が互いに一時的にオーバーラップすることを特徴とする。
切断処理と付着処理を同時に実行することによって、これらの切断処理と付着処理が連続して実行される方法と比較すると、時間的な節約が実現される。 (もっと読む)


本発明では、プローブ形成光学素子との組み合わせ使用に適し、ソース源によって誘起される速度エネルギーの振動が生じない、誘導結合式磁気増幅イオンビーム源が提供される。

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構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。

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