【課題】 コヒーレンスファクターを比較的大きい値に設定しても所望の光強度分布を生成することができ、ひいては所望形状の結晶粒を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 入射光を光変調するための光変調素子（１）と、光変調素子を照明するための照明系（２）と、光変調素子と被照射面との間に配置されて、被照射面上に所定の光強度分布を形成するための結像光学系（３）とを備えている。照明系の射出瞳の形状を、光変調素子からの一次回折光が結像光学系の瞳面の開口を実質的に通過しない円形状以外の形状に設定する。 （もっと読む）

【課題】 チャネルの方向を一方向に揃えなくても一定の応答速度を有するＴＦＴが作製可能な針状結晶群を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の光照射装置は、入射光の位相を変調するための光変調素子（１）と、光変調素子と被照射面（４）との間に配置されて、被照射面上に所定の光強度分布を形成するための結像光学系（３）とを備えている。光変調素子は、単位領域内における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向に沿って変化する第１面積率変化構造と、単位領域における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向とは異なる第２方向に沿って変化する第２面積率変化構造とを有する。 （もっと読む）

【課題】 実際系において光変調素子と結像光学系とにより生成される光強度分布を、実際系と異なる波長の光を用いて観察する。
【解決手段】 実際系において光変調素子（ＭＤ）と結像光学系（２３）とにより生成される光強度分布を観察する観察装置。実際系で使用される光の波長λｒとは異なる波長λｓの光で光変調素子を照明するための観察用照明光学系（１２）と、光変調素子（ＭＤ）により変調された光を結像させるための観察用結像光学系（１３）とを備えている。観察用結像光学系の物体側の開口半角αｓは、実際系の結像光学系の物体側の開口半角をαｒとするとき、sinαｓ／λｓ≒sinαｒ／λｒの関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された半導体薄膜をレーザ照射により結晶化する方法において、結晶化後に、半導体膜上に形成されたキャップ絶縁膜を好適に取除く方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、所定の光強度分布を有するレーザ光を該膜構造に照射することにより、半導体膜を結晶化し、薄膜トランジスタにおけるチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、熱処理を施してキャップ絶縁膜が除去された領域の半導体膜と金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、そしてチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を除去する工程を含む、薄膜トランジスタを形成する方法。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に予め定められた光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供する。
【解決手段】レーザー結晶化装置５００は、レーザー光発生指示信号の入力に基づいてパルス・レーザー光を発生するレーザー光源と、位相シフタ２４とを具備し、被処理基板３０を保持し、レーザー光源によるパルス・レーザー光照射位置に対して所定方向に連続移動する基板保持ステージ４０と、基板保持ステージ４０の位置を計測する位置計測手段５０と、位置計測手段５０により計測された位置に基づいて前記パルス・レーザー光の発生を指示する信号発生手段６０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高速で、かつ高精密に位置決めした基板に所定の光強度分布を有するレーザー光を照射して、半導体膜を溶融・結晶化させて大結晶粒径を有する半導体膜を形成することが可能な高スループットのレーザー結晶化装置及び結晶化方法を提供することである。
【解決手段】上記の課題を解決したレーザー結晶化装置は、レーザー光を発生するレーザー光源と、前記レーザー光を変調して所定の光強度分布を与える位相シフタとを具備し、前記位相シフタにより変調された前記レーザー光を基板に設けられた薄膜に照射して、この薄膜を溶融して結晶化するレーザー結晶化装置であって、前記基板上に設けられたマークと、前記基板を保持し、所定方向に移動する基板保持ステージと、前記基板保持ステージの移動中に前記マークが所定の位置を通過する時間を計測するマーク計測手段と、前記マーク計測手段による計測時間に基づいて前記レーザー光の照射を指示するトリガ信号を発生する信号発生手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源の特性の経時的な劣化などに起因する光束の波面の歪みの影響を抑えて所望の光強度分布を安定的に形成することのできる光照射装置。
【解決手段】 レーザ光源（１）と、レーザ光源からの光に基づいて光変調素子（３）を重畳的に照明するためのホモジナイザを含む照明光学系（４）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面（６）に形成する結像光学系（８）と、レーザ光源とホモジナイザとの間に配置されて入射光束の波面を補正して射出する波面補正光学素子（５）と、波面補正光学素子とホモジナイザとの間の光路から光束を取り出して該光束の波面を測定する波面測定部（９，１０）と、波面測定部の出力に基づいて波面補正光学素子を制御する制御部（１１）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】位相変調されたエキシマレーザーによる結晶化法において、半導体膜の結晶化を容易にする。
【解決手段】絶縁基板（３１）上に形成された半導体薄膜（３２）を結晶化する方法であって、入射されたコヒーレント光の位相分布を変更する位相シフタ部（３３、３４、３５’）を前記半導体薄膜上に形成する工程と、前記半導体薄膜にコヒーレント光を照射し、前記半導体薄膜（３２）に前記位相シフタ部に対応する温度分布を形成して、前記半導体薄膜の少なくとも一部を溶融する工程と前記コヒーレント光の照射を中止して前記溶融部の温度を低下させ、溶融された半導体を結晶化する工程とを有する方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光源の特性の経時的な劣化などに起因する光束の波面の歪みの影響を受けることなく所望の光強度分布を安定的に形成することのできる光照射装置。
【解決手段】 互いにインコヒーレントな複数のレーザ光源（１ａ）を有する光源装置（１）と、複数のレーザ光源から発振されるレーザ光に基づいて光変調素子（２）を重畳的に照明するためのホモジナイザ（３ａ）を含む照明光学系（３）と、光変調素子により位相変調されたレーザ光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射時に異常ショットが発生しても、それを検出して再ショットし歩留まりの低下を生じず良好にレーザ結晶化を実行すること。
【解決手段】 パルス発振されたエキシマレーザ２０を用いたレーザ結晶化方法およびレーザ結晶化装置において、光路中にホモジナイズ光学系２３、光学素子２４、ハーフミラー２５を配し、そのハーフミラー２５からの光を光検出器で検出し、この検出値が予め定められた既定値の範囲内にあるかどうかを判断し、範囲内にない場合、もしくは照射された部分の結晶化状態を測定し、結晶化が十分に行われていない場合には、被結晶化基板２７の照射光工程終了後に、光強度不足照射位置に再度レーザ光照射により結晶化を行うことを特徴とする。 （もっと読む）