【課題】半導体層の選択された領域に所望の結晶粒径の結晶化を実現すること。
【解決手段】レーザ光源からのレーザ光のパワーを調整するアッテネータと、レーザ光の位相を交互にずらしたマスクパターンが設けられ位相シフト部において光強度が極小となる逆ピークパターンの分布のレーザ光に変調する位相シフトマスクと、この位相シフトマスクを通して前記逆ピークパターンの分布に変調されたレーザ光を基板上の半導体層に照射する結像光学系とを設け、基板を移動ステージにより３次元方向に移動して結晶領域に位置付けし、基板面におけるレーザ光の光強度と逆ピークパターンの分布をビームプロファイル測定手段により測定しながら、測定結果と設定した目標が一致するようにアッテネータを調節する。 （もっと読む）

【課題】２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することができ、またその結果、サイズの異なるTFTに対してTFTの活性層となるチャネル領域での電流方向を横切る平均結晶粒界数Naが一定となるように結晶粒径が制御する。
【解決手段】直接または間接的に同一基板上に設けられた横方向に成長させた小粒径結晶領域r1と大粒径結晶領域r2が設けられた半導体層と、前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと、前記横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと、を具備し、前記横方向に成長させた小粒径結晶のチャネル領域と前記横方向に成長させた大粒径結晶のチャネル領域での、電流方向を横切る結晶粒界数の平均値が同一であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク部材の変形及び歪みを生ずることなく、所望の強度分布の光を被処理体に照射し、均一な熱処理を行うことを可能とする活性化熱処理装置及び熱処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理体を保持する保持台と、前記被処理体に光を照射して前記被処理体を熱処理するためのランプユニットと、前記ランプユニットと被処理体との間に配置され、前記被処理体との対向面又はその近傍に、前記被処理体に照射される光の強度分布を制御する散乱領域を有する、透明材料からなるマスク部材とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの移動度の低下を防ぎ、かつＴＦＴ特性のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体薄膜（６０８）を有する基板（５２０）に形成された２辺の長さがＡおよびＢの矩形のチャネル領域を有する薄膜トランジスタであって、半導体薄膜は結晶粒幅がＷｇ結晶粒長がＬｇの複数の針状の結晶粒（３０４）を有し、前記チャネル長の方向が前記結晶粒長の方向と角度θだけ傾いており、２辺の長さＡおよびＢが、Ｂ＋Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇ／ｃｏｓθ かつ Ａ＜Ｌｇ・ｃｏｓθを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。また、半導体薄膜は結晶粒界（３０７）が結晶成長開始点から三角形状に形成された複数の三角形状の結晶粒を有し、三角形状の相対する結晶粒界は角度２θで広がって伸びており、結晶成長終了点での三角形状の底辺部分の幅がＷｇである場合、Ｂ＋２Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴのチャネル領域に結晶粒界が入らないように、十分に大きい放射角での結晶成長を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の結晶化装置は、光変調素子（１）を介した光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系（３）と、所定面に非単結晶半導体膜（４）を保持するステージ（５）とを備え、所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する。非単結晶半導体膜の溶融温度に対応する光強度の等強度線の少なくとも一部の曲率半径が０．３μｍ以下であるような光強度分布を非単結晶半導体膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー照射の位置ずれを最小に抑えることができる結晶化方法および結晶化装置を提供する。
【解決手段】結晶化方法は、装置パラメータおよびステップ移動量補正テーブルを読み出し可能に保存しておき、ＸＹステージ機構の上に基板を載置し、撮像手段により基板上のマークを検出し、マークの検出位置に基づいてレーザー光学系1-7と基板50とを相対的に位置合せし、入力されたレシピに応じて装置パラメータを読み出し、読み出した装置パラメータに従ってレーザー光学系から所定のレーザー光を半導体膜に照射し、ステップ移動量補正テーブル46,47を読み出し、読み出したステップ移動量補正テーブルを用いてＸＹステージ機構10の動作を制御し、基板のステップ移動量を補正し、補正されたステップ移動量だけ基板を移動させたところで、装置パラメータに従ってレーザー光学系から所定のレーザー光を半導体膜に照射し、前記ステップ移動量補正とレーザー照射とを繰り返し実行する。 （もっと読む）

【課題】 例えば実際の使用条件に近い光入射状態で結像光学系の収差を測定することのできる収差測定装置。
【解決手段】 結像光学系（１０）の収差を測定する本発明の収差測定装置は、結像光学系の収差の測定に使用される測定光および該測定光とは別の背景光を結像光学系に供給する照明系（１，２）と、結像光学系を通過した測定光と背景光とを分離する分離部材（３）と、分離部材により分離された測定光に基づいて結像光学系の収差を測定する測定部（４）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 二回照射法の２回目照射において光強度分布の最低強度と半導体膜の溶融強度との関係を高精度に制御して、２回目照射を良好に且つ安定的に行う結晶化方法。
【解決手段】 所定の光強度分布の光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する本発明の結晶化方法は、第１方向に沿って強度勾配を有する光強度勾配分布の光を非単結晶半導体膜に照射する１回目照射工程と、第１方向とほぼ直交する第２方向に沿って光強度がＶ字状に一次元的に変化するＶ字型光強度分布（５１）と、このＶ字型光強度分布の底部において第２方向に沿って光強度がディップ状に一次元的に変化するディップ型光強度分布（５２）との合成分布の光を、非単結晶半導体膜に照射する２回目照射工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板の歪を生ずることなく、不純物領域の不純物の活性化率を向上させ、優れた特性の薄膜半導体装置を製造することを可能とする薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上に非単結晶半導体層を形成する工程と、前記非単結晶半導体層にレーザー光を照射して結晶化領域を形成する工程と、前記結晶化領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、前記結晶化領域の所定の位置の上層部を非結晶化するプリアモルファス化工程と、前記結晶化領域の所定の位置に不純物をドーピングする工程と、熱処理により前記結晶化領域の所定の位置にソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり良く、大結晶粒アレイ半導体薄膜を作製できる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、レーザ結晶化用基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 基板に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜上に結晶化用レーザ光の一部を吸収する光吸収性膜を形成する工程と、前記光吸収性膜の表面において、連続する周期的な光強度分布を形成する前記結晶化用レーザ光を照射する工程と、を有する結晶化方法であって、前記光吸収性膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡcap、前記非単結晶半導体膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡsi、前記吸収率Ａcapと前記吸収率Ａsiとで定義される光吸収比率をｒ＝Ａcap/(Ａcap＋Ａsi)としたときに、前記光吸収比率ｒを所望する結晶粒長を得る値に選択した光吸収性膜にする。 （もっと読む）