【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化方法。
【解決手段】 本発明の結晶化方法では、光源（２ａ）からの光を位相シフトマスク（１）へ導いて該位相シフトマスクを透過させて形成された逆ピークパターンの光強度分布の光を被処理体（４）に照射して結晶化するのに際し、被処理体の被露光面での光強度分布を観察したのち結晶化する。 （もっと読む）

【課題】種々の平坦化プロセスを用いて種々の平坦構造を形成することにより、加工精度を確保すると共に信頼性の高い、優れた特性の薄膜半導体素子を製造する方法、それによって製造された薄膜半導体素子、及びその薄膜半導体素子を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板上に非晶質半導体層を形成する工程、前記非晶質半導体層を結晶化する工程、前記結晶化された半導体層をパターニングして島状結晶質半導体層を形成する工程、前記島状結晶質半導体層の周囲との段差を第１の絶縁膜で埋め、表面段差０．１μｍ以下の第１の平坦構造を形成する工程、前記第１の平坦構造上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上に導電性膜を形成する工程、前記導電性膜をパターニングして、ゲート電極を形成する工程、及び前記ゲート電極をマスクとして前記島状結晶質半導体層に不純物を導入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のＥＬＡ法による結晶化は、得られる結晶粒径が小さかったため、レーザ照射回数を数回以上にして大粒径化が行われているが、出力安定性や生産性、大型化によるＥＬＡ装置価格の上昇等種々の問題が発生している。
【解決手段】発明は、複数個のフラッシュランプ３ａ〜３ｎによる連続的な点灯により、非晶質シリコン層２の被処理面（横）方向に沿って所定の温度勾配を形成するアニール処理を施して、固相が連続的に成長するように、固相から液相に亘って適当な温度勾配を持たせながら、非晶質構造から多結晶構造に変換させて大粒径化された非晶質シリコン層２を有する半導体装置の製造方法、その製造装置、結晶化方法、半導体装置及び表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 過熱によるＳｉの溶融や急冷による熱応力の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、及び前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極を具備し、前記島状半導体層の平面形状は、すべての角が鈍角である多角形であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを含む回路装置、薄膜トランジスタを含む液晶ディスプレイおよび回路装置を含む液晶ディスプレイにおいて、薄膜トランジスタの電気特性のばらつきを小さくすること。
【解決手段】 薄膜半導体装置は、ガラス基板５１と、該基板上に設けられたアモルファスシリコン膜５３と、該アモルファスシリコン膜に結晶化された複数の細長い結晶粒３１と、該結晶粒に活性層１１が配置された薄膜トランジスタと含む。 （もっと読む）

【課題】 過熱によるＳｉの溶融や急冷による熱応力の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有する島状半導体層、前記島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記第１の不純物領域及び第２の不純物領域の間の領域に対応する前記ゲート絶縁膜上の領域に形成されたゲート電極、及び前記島状半導体層の周辺に配置された熱緩衝パターンを具備し、前記熱緩衝パターンは、前記基板よりも熱伝導率が大きく、前記島状半導体層よりも融点が高い材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不純物が導入された半導体膜を均一に加熱し、不純物の活性化と不純物が導入された領域の再結晶化を均一に行なうことの可能な光処理方法及び光処理装置を提供すること。
【解決手段】 光透過性基板上に形成された半導体膜、この半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜、及びこのゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を具備し、前記ゲート電極をマスクとして不純物が導入された前記半導体膜を光処理する方法において、前記光透過性基板の裏面から前記光透過性基板を通して前記半導体膜にエキシマレーザのパルスを１８０ｎｓ以上、継続照射し、前記半導体膜を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止するとともに、回路設計の自由度を増大させることができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向きに結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向きに結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って鋸歯状または正弦波状に衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきを抑制できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガラス基板２上に設けられエッチングにより形成された端部５を有する多結晶又は非晶質Ｓｉからなる半導体層４と、半導体層４の両側に設けられたソース領域８およびドレイン領域９と、ソース領域８およびドレイン領域９間に設けられたチャネル幅が１μｍ以下のチャネル領域１０と、チャネル領域１０上にゲート絶縁膜６を介して設けられたゲート電極７と、チャネル領域１０のチャネル幅方向のゲート電極７で被覆された端部５に電流が流れないように絶縁化された絶縁膜１１とを具備し、ゲート電極７で被覆された端部５がしきい値電圧に寄与しない構造にした。 （もっと読む）