【課題】リンギングを抑制し、均一なレーザー光を照射することができる光学装置および結晶化装置を提供する。
【解決手段】レーザー光を複数に分割するために第１の曲率及び第１の径を有する複数の第１のレンズセグメントが配列された第１のシリンドリカルレンズアレイと、この第１のシリンドリカルレンズアレイの少なくとも１箇所の前記第１のレンズセグメント間に配列された第２の曲率及び第２の径を有する複数の第２のレンズセグメントが配列された第２のシリンドリカルレンズアレイとを有する。 （もっと読む）

【課題】 光変調素子を交換することなく被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現して、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成する結晶化装置。
【解決手段】 １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差の段差線を有し、入射光を位相変調する光変調素子（１）と、位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で光変調素子を照明する照明光学系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を結晶化する所定面に形成する結像光学系（３）とを備えている。照明光学系は、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って光変調素子を照明する第１照明光と、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って光変調素子を照明する第２照明光とで光変調素子を同時に照明し、第１照明光の光強度と第２照明光の光強度とを実質的に異なる値に設定するための光強度設定機構を有する。 （もっと読む）

【課題】室温でも大粒径に結晶化でき、省電力、結晶化の位置ずれの発生を減少させた結晶化方法、被結晶化基板、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体膜に光強度が単調増加と単調減少する光強度分布を少なくとも一部に有するパルスレーザ光を照射して照射部を結晶化する結晶化方法であって、前記非単結晶半導体膜は、前記レーザ光の入射面上に前記レーザ光に対して膜厚方向で且つ前記非単結晶半導体膜側に光吸収係数が徐々に大きくなるような吸収特性を有するキャップ膜が設けられたものであることを特徴とする結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上にＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタを同時に集積できる素子構造および製法を提供する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に形成された半導体薄膜（１０５）に形成されたエミッタ（１０２）、ベース（１０３）、およびコレクタ（１０４）を有するラテラルバイポーラトランジスタ（１００）において、半導体薄膜（１０５）が所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるラテラルバイポーラトランジスタ。また、絶縁基板上に形成された半導体薄膜に形成されたＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ（２００）において、半導体薄膜（２０５）は所定の方向に結晶化された半導体薄膜であるＭＯＳ−バイポーラハイブリッドトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】欠陥準位を取り込んだ物理モデルに基づき、比較的短時間で高精度な回路解析を行うことができるシミュレーション装置を提供する。
【解決手段】入力装置１１、記憶装置１２、演算装置１６、制御装置１５及び出力装置１７を備えるシミュレーション装置が開示されている。入力装置から入力されたＴＦＴにおけるゲート電極端に対応する多結晶シリコン薄膜のゲート電極側表面のソース領域端の第１電位φ_Ｓ０、多結晶シリコン薄膜におけるゲート電極が形成された表面に対向する裏面側のソース領域端の第２電位φ_ｂ０、ＴＦＴにおけるゲート電極端に対応する多結晶シリコン薄膜のゲート電極側表面のドレイン領域端の第３電位φ_ＳＬ、及び多結晶シリコン薄膜におけるゲート電極が形成された表面に対向する裏面側の前記ドレイン領域端の第４電位φ_ｂＬに基づいて演算を行ってドレイン電流Ｉ_ｄｓを算出し、欠陥準位を含めてモデル化する。 （もっと読む）

【課題】ジッタの問題を生じることなく再現性に優れたパルス出力を得ることができ、生産効率が高い、大量生産方式に適した結晶化装置および結晶化方法を提供する。
【解決手段】単一のレーザー光源31を有する照明系3と、被処理基板を照明系に対して位置合せ可能に支持する基板ステージ6と、レーザー光の位相を変調して所望の光強度分布を有する変調レーザー光とする位相シフタ1,2と、照明系を通過したレーザー光を基板ステージ上の被処理基板の像面において結像させる結像光学系4と、を具備する結晶化装置であって、照明系3は、パルスレーザー光を複数に分割する光分割手段32と、分割された複数のレーザー光の間に所望の光路長差を設定する光路長差設定手段M1-M10,50と、 前記光路長差が設定された複数のパルスレーザー光を合成する光合成手段34とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体膜を大粒径の結晶化が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、非単結晶半導体膜の結晶化領域に、光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を前記非単結晶半導体膜上に設けられた第１の光吸収層を介して照射して前記結晶化領域を結晶化するレーザ照射工程、即ち結晶化工程（Ａ）と、少なくとも結晶化された前記結晶化領域の上に形成された第２の光吸収層にレーザ光もしくはフラッシュランプ光を照射することにより前記結晶化された領域を第２の光吸収層を介して再加熱する再結晶化工程、即ち加熱工程（Ｃ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高い移動度と移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さいＴＦＴを得ることができる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に設けた４０乃至１００ｎｍの非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する際に、基板表面上で逆ピークパターンを有する光強度分布を形成して、この光強度分布の光強度勾配を制御して、幅より結晶成長方向に長い形状で粒長方向に｛１００｝に優先配向した結晶化粒４を配列させた結晶化粒列を形成し、この結晶化粒列の複数の結晶化粒に跨がり結晶成長方向に電流が流れるようにソース領域およびドレイン領域を設けてＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 実際系において生成される光強度分布を、実際系と異なる波長の光および実際系と同じ表面凹凸型の光変調素子を用いて高精度に観察することのできる観察装置。
【解決手段】 所定の光学装置において表面凹凸型で透過型の光変調素子と結像光学系とにより生成される光強度分布を観察する観察装置。本発明の観察装置は、所定の光学装置で使用される光の波長λｒとは異なる波長λｓの光で光変調素子（ＭＤ）の凹凸表面を反射照明するための観察用照明光学系（１８）と、反射照明された光変調素子からの光を結像させるための観察用結像光学系（１９）とを備えている。 （もっと読む）