【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプによる光照射工程を実行しても、アライメントマークにより位置合わせして結晶化工程および回路形成工程を行うことができる結晶化方法、薄膜トランジスタ及び表示装置を提供すること。
【解決手段】表面が絶縁材料からなる基板１１、１２に半導体薄膜１３を形成し、半導体薄膜１３の上にキャッピング層１４を形成した被処理体１０に対して、第１のレーザ光Ｌ１の照射により所定のＴＦＴを形成する位置近傍にアライメントマーク１５を形成し、このアライメントマーク１５を検出し、予め定められた結晶化位置に第２のエキシマレーザ光Ｌ２を照射し、大粒径化された結晶化領域２２を形成し、アライメントマーク１５を含む周辺領域上のキャッピング層１４を除去したのちにフラッシュランプ光を照射して大粒径化された結晶領域に偏在する微結晶部分を再結晶化する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供すること。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜４ａにソース領域Ｓ、チャネル領域Ｃ、およびドレイン領域Ｄを有し、前記チャネル領域Ｃ上部にゲート絶縁膜１１およびゲート電極１２を有する薄膜トランジスタ１であって、前記ドレイン領域Ｄの前記チャネル領域Ｃ側のドレイン端１０は前記結晶成長の終了位置８付近に位置するように形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体隔壁の耐圧力強度、靭性強度を増して破断を防止すると共に、強度向上による誘電体隔壁の板厚低減を可能とし、大形の誘電体隔壁を備え、プラズマの均一な発生を可能とする大形プラズマ装置を提供すること。
【解決手段】アンテナ４から誘電体隔壁６を通して処理容器７内に放射された電磁波によってプラズマを生成し、被処理基板１１の処理を行うプラズマ装置１において、前記誘電体隔壁６を、母材、及び強化相からなる複合材とすることによって耐圧力強度、靱性強度が優れた前記誘電体隔壁６とすることができ、これによって大型基板に均一なプラズマ処理を施すことが可能なプラズマ装置１を提供することができる。さらに前記誘電体隔壁６を、樹脂材料及び無機材料からなる積層構成材にすることにより、脆性破壊が防止された耐圧力強度、靱性強度に優れた前記誘電体隔壁６を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのめっき膜の形成に当たり、被処理基板が大型のものであっても所望する領域に均一にめっき膜が形成され、まためっき液の省資源化に資する金属薄膜形成装置および金属薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき法により金属薄膜が形成される被処理基板１２の被処理面にめっき処理用の薬液からなる層を形成すべく、前記被処理基板１２の被処理面の下方にこれと間隔をおいてかつ対向して配置される前記薬液のための吐出手段２６を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内部に均一に電磁波を入射させることができる処理装置を提供する。
【解決手段】電磁波を発生させるマグネトロン４０と、マグネトロン４０によって発生された電磁波を伝播させる第１の導波管２１と、複数のスロット２４を有し、長手方向が互いに平行となるように並べて設けられた複数の第２の導波管２２と、内部にスロット２４から放射された電磁波が入射される真空容器１０とを備える。スロット２４から真空容器１０の内部に入射された電磁波によってプラズマを生成させ、このプラズマによって処理を行う。第２の導波管２２は、夫々、スロット２４が設けられた壁と対向する壁で第１の導波管２１と結合されている。第１の導波管２１は、その長手方向の中央部にマグネトロン４０から電磁波が供給される給電部３２を有している。 （もっと読む）