【課題】 工程数の増加や金属原子が半導体層中へ過度に拡散することなく、不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】 基板上に半導体層を形成する工程、前記半導体層を含む前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程、前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物を注入する工程、前記層間絶縁膜上に光吸収膜を成膜する工程と、前記光吸収膜に光を照射し、光吸収により生じた熱により前記半導体層中の不純物を活性化する工程と、前記光吸収膜及び層間絶縁膜を貫通する開口部を形成する工程と、前記光吸収膜上に前記開口部内を埋めるように導電層を形成する工程と、前記導電層及び光吸収膜をパターン状に加工し、配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一次元成長結晶を用いて作成したＴＦＴよりも電気特性値が良好で、且つばらつきを最小の範囲に抑制することができる薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】平面上に二次元方向に結晶成長された結晶成長領域と、この結晶成長領域に形成されたソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄと、これらソース領域とドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極Ｇを有する薄膜トランジスタ１１であり、前記ソース領域又はドレイン領域の前記チャネル領域の側端部Ｅは、結晶長開始位置から１μｍ〜３．５μｍの位置に位置合わせして設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】一次元成長結晶を用いて作成したＴＦＴよりも電気特性値が良好で、かつばらつきも小さくすることができることを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられた非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して形成された，中心部から放射状に横方向に結晶成長された結晶成長領域と、この結晶成長領域に設けられた第１導電型の領域と、この第１導電型の領域に設けられた第２導電型のソール領域１３及びドレイン領域１４と、これらソース領域１３とドレイン領域１４間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極１７を有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル領域のチャネル長方向Ｌ_１は前記結晶成長の方向と平行となるように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする熱処理装置及びこの熱処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】放電ランプユニットと、シャワーヘッドを有するガス噴射ユニットと、被処理物を保持する処理台とを備え、前記シャワーヘッドの少なくとも一部分が前記放電ランプユニットから放射される光を透過するように構成され、前記シャワーヘッドから噴出した高温ガスを、前記被処理物の表面に吹き付けるとともに、それに同期して前記放電ランプユニットから光を照射し、前記半導体膜を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜上で良好なソース−ドレイン耐圧を確保する。
【解決手段】薄膜トランジスタは絶縁性支持基板１０上に設けられる半導体薄膜１２と、半導体薄膜１２上に設けられるゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４を介して半導体薄膜１２上に形成されるゲート電極層１６を備え、半導体薄膜１２はゲート電極層１６の下方に配置されるチャネル領域１２Ｃと、チャネル領域１２Ｃの両側に配置されるソースおよびドレイン領域１２Ｓ，１２Ｄと、チャネル領域１２Ｃおよびドレイン領域１２Ｄ間に配置されるＬＤＤ領域１２ＬＤを含む。チャネル領域１２Ｃは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって高くなる不純物濃度プロファイルを有し、ソース領域１２ＳおよびＬＤＤ領域１２ＬＤは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜上で良好なソース−ドレイン耐圧を確保する。
【解決手段】薄膜トランジスタは支持基板１０の絶縁性表面上に設けられる半導体薄膜１２と、半導体薄膜１２上に設けられるゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４を介して半導体薄膜１２上に形成されるゲート電極層１６を備え、半導体薄膜１２はゲート電極層１６の下方に配置されるチャネル領域１２Ｃと、チャネル領域１２Ｃの両側に配置されるソース領域１２Ｓおよびドレイン領域１２Ｄとを含む。ソース領域１２Ｓは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有し、ソース領域の不純物濃度プロファイルにおいて支持基板付近の不純物濃度がゲート絶縁膜付近の不純物濃度に対して１／１００以上低い。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜上で良好なソース−ドレイン耐圧を確保する。
【解決手段】薄膜トランジスタは絶縁性支持基板１０上に設けられる半導体薄膜１２と、半導体薄膜１２上に設けられるゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４を介して半導体薄膜１２上に形成されるゲート電極層１６を備え、半導体薄膜１２はゲート電極層１６の下方に配置されるチャネル領域１２Ｃ、チャネル領域１２Ｃの両側に配置されるソースおよびドレイン領域１２Ｓ，１２Ｄ、チャネル領域１２Ｃおよびドレイン領域１２Ｄ間に配置されるＬＤＤ領域１２ＬＤを有する。ソース領域１２Ｓは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有し、ソース領域の不純物プロファイルにおいて支持基板付近の不純物濃度がゲート絶縁膜付近の不純物濃度に対して１／１００以上低い。 （もっと読む）

【課題】同一基板上にエンハンスメント型トランジスタとデプレッション型トランジスタとを簡便に製造する。
【解決手段】絶縁基板１の上に下地酸化膜２とａ−Ｓｉ膜３を成膜し、不純物イオンを打ち込み、レーザ光を照射して溶融・再結晶化し、ｐ型の多結晶シリコン膜３を生成、島状に加工する。ゲート酸化膜５、ゲート電極５ｅを形成する。パッシベーション膜６を成膜し、電極取り出し用コンタクトホールｃを形成した後、デプレッション型トランジスタ側をレジスト材ｒで被覆し、ゲート電極５ｅをマスクにしてエンハンスメント型トランジスタ側に不純物イオンを打ち込み、ｎ型のソース領域７とドレイン領域８を形成する。レーザ光を照射してイオン注入した不純物の活性化と注入時に損傷を受けた結晶の回復処理を行う。次に、デプレッション型トランジスタ側のレジスト材ｒを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜上で良好なソース−ドレイン耐圧を確保する。
【解決手段】薄膜トランジスタは絶縁性支持基板１０上に設けられる半導体薄膜１２と、半導体薄膜１２上に設けられるゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４を介して半導体薄膜１２上に形成されるゲート電極層１６を備え、半導体薄膜１２はゲート電極層１６の下方に配置されるチャネル領域１２Ｃ、チャネル領域１２Ｃの両側に配置されるソースおよびドレイン領域１２Ｓ，１２Ｄ、チャネル領域１２Ｃおよびドレイン領域１２Ｄ間に配置されるＬＤＤ領域１２ＬＤを有する。ＬＤＤ領域１２ＬＤは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有する。 （もっと読む）

【課題】従来は良好な酸化膜／シリコン界面を得るための高温プラズマ酸化処理のように被処理体を極短時間高温にしてイオン及びラジカルを作用させる処理を、高エネルギー密度の光により変色する可能性のあるガラス基板上で行うことのできる処理装置がなかった。
【解決手段】プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 （もっと読む）