【課題】エッチング装置において、電極と絶縁体からなる被処理基板との間で一部に間隙が存在するとエッチング速度の不均一性が発生する。
【解決手段】絶縁体の被処理基板１の全面上に導電性薄膜とベース絶縁層とによる積層膜が形成され、導電性薄膜とパターニング加工を行うエッチング処理装置の電極とが処理中には同電位となり、そのベース絶縁層３上にアイランドに分離された半導体層４と、ゲート絶縁膜５と、ゲート電極６と、層間絶縁膜７と、ソース・ドレイン電極とで構成される薄膜トランジスタが形成される。 （もっと読む）

【課題】数１０ｎｍオーダーの高精度な被処理基板高さ合わせを実現するレーザー結晶化方法及びその結晶化装置を提供する。
【解決手段】本発明の１態様によるレーザー結晶化方法は、位相シフタを透過させることによって位相シフタを透過した光が逆ピークパターンの光強度分布を有する第１のパルスレーザー光を得る工程と、第１のパルスレーザー光を被処理基板に設けられた薄膜に照射して、薄膜を溶融させ結晶化させる工程とを具備するレーザー結晶化方法であって、第１のパルスレーザー光を照射しようとする薄膜の照射位置を、第２のレーザー光で照明し薄膜で反射した第２のレーザー光を検出する際に、第２のレーザー光の光路上に設けられた偏光素子を用いて第２のレーザー光の複数の反射光成分から所望の成分を選択する工程と、選択された第２のレーザー光の反射光成分を検出して被処理基板の高さを所定の高さに補正する工程と、高さを補正した被処理基板の薄膜の照射位置に第１のパルスレーザー光を照射する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】携帯電話等の小型化が要求される電子機器内においては、ディスプレイに接続されたフレキシブルケーブルにより機器内部の部品実装が制約を受けるという課題がある。
【解決手段】画像データや制御信号等を、非接触伝送路を介して受信する方式を採用し、信号を受信し増幅する受信回路をディスプレイ装置と同一の絶縁性基板上に形成する。このために、絶縁基板上において所定の方向に結晶化された半導体薄膜に形成された薄膜トランジスタと、絶縁基板上に形成された導電性薄膜を用いて形成された、誘導性結合回路を形成するためのインダクタとを有し、薄膜トランジスタを流れるキャリアの移動方向が、半導体薄膜の前記結晶化の方向と並行な方向であり、インダクタと薄膜トランジスタとが直接的にまたは間接的に電気的に結合するように集積されている半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】大粒径に結晶化を可能にする光吸収性キャップ膜の形成方法、半導体膜の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１態様による光吸収性キャップ膜の形成方法は、レーザー結晶化のための蓄熱効果を有する酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜からなる光吸収性キャップ膜の形成方法であって、二酸化シリコンターゲットを用い、酸素分圧雰囲気中で反応性スパッタリングを行って半導体膜の上方に前記酸素欠損を含む光吸収性酸化シリコン膜を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に結晶化半導体膜１５を形成し、その上にゲート絶縁膜２４及びゲート電極１９を形成する。得られた構造の表面に高融点金属膜２５を形成した後、前記高融点金属膜２５を介してＳｉ又はＧｅを導入して前記結晶化半導体膜１５の表面近傍を非結晶化する。前記ゲート電極１９をマスクとして前記結晶化半導体膜１５のソース及びドレイン予定領域に不純物を導入した後、熱処理して前記結晶化半導体膜１５と前記高融点金属膜２５との界面にシリサイド膜を形成する第１の熱処理工程を具備するとともに、前記導入された不純物を活性化し、前記結晶化半導体膜１５にソース領域及びドレイン領域を形成する第２の熱処理工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止することができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向き（Ｆａｓ，Ｆａｆ）に結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向き（Ｆｂｓ，Ｆｂｆ）に結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って間隔を隔てた複数の領域において他の領域よりも早く衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の電気的な特性を向上させるための、半導体装置の半製品およびその結晶化方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の半製品の非晶質半導体層を結晶化方法は、結晶化用レーザ光として温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光を絶縁層および窒素含有層を通して前記非晶質の半導体層へ照射するレーザ光照射工程と、前記窒素含有層は入射する前記レーザ光の少なくとも一部を吸収して蓄熱する工程と、前記非晶質の半導体層の前記温度勾配を有する照射強度分布のレーザ光により照射された領域は溶融する溶融工程と、溶融後の冷却時に蓄熱工程での蓄熱が熱源として作用し冷却速度を緩和する工程と、前記レーザ光照射工程を２回以上行う工程とを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】絶縁材からなる基層上に、結晶性の優れた半導体薄膜を形成する。
【解決手段】光源であるエキシマレーザ１と、該エキシマレーザ１から発せられる光の光強度分布を均一化するホモジナイザ３と、ホモジナイザ３によって光強度分布が均一化された光の振幅が、光の非晶質基板９に対する相対運動の向きに増加するように振幅変調を行う振幅変調マスク５と、振幅変調マスク５によって振幅が変調された光を、非晶質基板９上に形成された非単結晶半導体層１０上に、所定の照射エネルギーが得られるように投射する投射光学系６と、光の照射面内で温度の低い点を設ける位相シフトマスク８と、光と非晶質基板９とを相対的に動かすＸ、Ｙ方向に走査可能な基板ステージを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の選択された領域に所望の結晶粒径の結晶化を実現すること。
【解決手段】移動ステージの基板とレーザ光源との間に、ビームプロファイル変調部を設置し、基板面におけるレーザ光のビームプロファイルを予め設定した目標と一致するように変調し、移動ステージを結晶領域に位置を合わせて動かしながら、この変調されたレーザ光を基板上の半導体層に照射して、結晶を横方向に成長させることにより、所望の結晶粒径に結晶化する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板として安価な汎用ガラスを用いることを可能とする低温処理プロセスを確立する半導体膜の結晶化方法および半導体膜を有する基板を提供する。
【解決手段】基板上の半導体膜にレーザー光を照射して半導体膜を結晶化する半導体膜の結晶化方法において、前記半導体膜は、化学気相成長法により前記基板上に５００℃以下の温度で成膜され、かつ、５原子％以下の水素を含む。 （もっと読む）