【課題】 １つの結晶粒内に複数の薄膜トランジスタを配置することのできるような大粒径の結晶を含む結晶シリコンアレイ。
【解決手段】 非晶質シリコン薄膜を結晶化して得られる結晶シリコンアレイの結晶化単位領域（Ｕ）は、７μｍ角以上の正方形領域を内包する大きさを有する二次元結晶部（２１）と、主成長方向（Ｆ１）に間隔を隔てた一対の二次元結晶部の間に形成されて主成長方向に沿って０．２μｍ以上の長さを有する微結晶部（２２）と、３．５μｍ以上の粒長を有する針状結晶部（２３）とを含む。二次元結晶部は、１つの結晶核からの成長により形成され、結晶の主成長方向を有する。針状結晶部は、一対の二次元結晶部の間において主成長方向と直交する方向に沿った成長により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 光照射による不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする半導体装置、及びこの半導体装置の熱処理方法を提供すること。
【解決手段】 透明基板上に配列された複数の半導体パターンの集合を具備する半導体装置であって、前記半導体パターンの集合は、その上にゲート絶縁膜をはさんで対向して設けられたゲート電極を有する第１の半導体パターンと、前記第１の半導体パターンと電気的に分離され、前記第１の半導体パターンを所定の間隔で取り囲む複数の第２の半導体パターンとを含み、前記第１の半導体パターンと第２の半導体パターンとは、同一又は近似する形状及びサイズを有し、前記第１の半導体パターンと、これを取り囲む第２の半導体パターンとの間隔は、２μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ランプ光を照射して熱処理を行う際に、光吸収特性の異なる材料を含む被処理体に対しても、均一な熱処理を可能とする熱処理方法及び熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 放電ランプから光を照射して、可視域および赤外域における光の吸収特性が異なる少なくとも２種以上の材料を含む被処理体を、前記放電ランプから放射された光を、前記異なる光の吸収特性に対応して所定の波長の光を除去するフィルタユニットを通して前記被処理体に照射する熱処理方法であって、前記フィルタユニットが、紫外光あるいは可視光の少なくとも一部を反射し、他の波長域の光を透過または吸収する選択反射ミラーを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 デフォーカスの影響をほとんど受けることなく、所望のディップ状の光強度分布を所望の位置に安定的に形成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差を有し、入射光を位相変調する光変調素子（１）と、光変調素子を照明する照明系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を所定面に形成する結像光学系（３）と、結像光学系の瞳位置に配置されて第１領域を通過する第１光束と第２領域を通過する第２光束とを互いに非干渉性にする空間フィルター（６）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成にしたがって光学系の大型化を招くことなく、非単結晶半導体膜上での干渉縞の発生を良好に抑えることのできる結晶化装置。
【解決手段】 所定の光強度分布を有する光を非単結晶半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。所定方向（ｙ方向）に沿って配列された複数のシリンドリカルレンズ要素（２３ｂａ）を有するホモジナイザを介して光変調素子を照明する照明系と、光変調素子を介した光に基づいて所定の光強度分布を形成する結像光学系と、複数のシリンドリカルレンズ要素に対して１個おきに設けられた複数の短冊状の光学部材（２５）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする熱処理装置、熱処理方法、及びこの熱処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溶融金属と、前記溶融金属に光を照射する手段と、被処理体の少なくとも一部が前記溶融金属と接触するように被処理体を保持する手段とを具備し、前記光を照射する手段により前記溶融金属に光を照射することにより、前記溶融金属を加熱し、加熱された溶融金属を伝熱媒体として被処理体の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化する。
【解決手段】一枚の絶縁性基板３上にｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ２１およびｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ２２からなる相補型半導体装置を形成する製造方法において、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ２１のチャネル領域７と接合するソース領域５Ｓおよびドレイン領域５Ｄのいずれか一方をショットキー接合とし、他方をｐ−ｎ接合とする際、前記ｐ−ｎ接合を前記ショットキー接合より先の工程で形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時間を十分に長くして、大粒径の結晶を得ることができる半導体膜の結晶化方法、及び結晶化装置を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器から発振されたパルスレーザ光を、分割し、互いに光路長の異なる光路を進んだ後に合成する工程、合成されたパルスレーザ光を位相変調素子により所定の光強度分布を有するパルスレーザ光に変調する工程、及び前記所定の光強度分布を有するレーザ光を非単結晶膜に照射し、非単結晶を結晶化する工程を具備し、前記パルスレーザ光を分割し、合成する工程は、順番に配列された３つ以上の光学的分割・合成手段において、１つの光学的分割・合成手段により分割された一方のパルスレーザ光を、次の分割・合成手段により順次分割するとともに、１つの光学的分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光を前の分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光と合成することを特徴とする結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】 例えば結晶化装置に適用されて、結晶核の位置を制御することができ、ひいては結晶の形成領域を二次元的にほぼ制御することのできる位相シフトマスク。
【解決手段】 ほぼ直線状の境界線（１０ａ）の両側に形成されて第１の位相差を有する第１領域（１１）および第２領域（１２）と、境界線に沿って第１領域および第２領域のうちの少なくとも一方の領域に形成された所定形状の微小領域（１３）とを備え、微小領域が形成された第１領域または第２領域と微小領域との間に第２の位相差が付与されている。 （もっと読む）