説明

コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴにより出願された特許

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【課題】非平面が堅いキャリア上に直接形作られることを可能にする非平面要素を製造するための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ハイブリダイゼイションカラムによりキャリア上に柔軟な要素を適合させる段階であって、各カラムは第1高さを有し、及び柔軟な要素及びキャリアのそれぞれに追加される半田材料に対してぬれ性の二つの表面の間に形成された半田材料の体積を含んでおり、ぬれ性の表面は半田材料に対して非ぬれ性の領域により囲まれており、ぬれ性の表面及び半田材料の体積はカラムが形成される位置でキャリアに対して柔軟な要素に求められる第2高さに応じて決定され、そのようにしてカラムは、材料の体積がその融点より高いか等しい温度に導かれるとき、第1高さから第2高さまで変化する段階と、カラムの半田材料の体積を、それを溶解するために前記材料の融点より高いか等しい温度まで加熱する段階と、を備えている。 (もっと読む)


本発明は、圧電共振子(11)を有する局所プローブ、及びその信号の前置増幅と処理のための電子制御装置であって、このプローブが、前記プローブ(11)の方へ向けられた粒子線(12)を有する環境におけるサンプル(10)の物理的性質の局所測定のために設計されると共に、励起手段(15)によって生成された励起電圧が、第1のガルバニック絶縁変圧器(TR_1)を通して前記圧電共振子(11)に印加され、前記圧電共振子(11)の機械的な振動の測定に関する電流が、第2のガルバニック絶縁変圧器(TR_2)を通して、出力側の前置増幅手段(18)に印加される電子制御装置に関係する。
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【課題】可動部および固定部が基板上の層の積層体によって形成されたアクティブ構造を備え、であって、可動部および固定部は対向する表面を備え、これらの表面は、システムの適用に応じて、たとえば停止部、検出または作動電極を形成し得るMEMSまたはNEMSシステムの簡略化された製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板ならびに基板上に配列された少なくとも2つの層の積層体と、積層体内に形成された可動部および積層体内に形成された基板に対する固定部と、固定部と可動部との間に形成された対向する表面とを備える微小機械構造を製造し、たとえば、積層体に実質的に垂直な方向への可動部の変位を制限する停止手段を形成するプロセスであって、基板と、積層体の材料に対して選択的にエッチングされるのに適した材料からなる積層体との間に少なくとも1つの犠牲層を使用するプロセス。 (もっと読む)


本発明は、スラッジとして現れる廃棄物から複合材料を調製する方法に関し、前記スラッジとして現れる廃棄物を乾燥セメント混合物に接触して配置することから成る段階を含む。また、前記乾燥セメント混合物は、ポルトランドセメント、コンポジットポルトランドセメント、アルミニウムセメント混合物、スルホアルミニウムセメント混合物、フェロアルミニウムセメント混合物およびそれらの混合物から成る群から選択される。本発明はまた、こうして得られた複合材料に関し、廃棄物、とりわけ産業および/または放射性廃棄物を処理および/または不活性化するためのこのような方法の使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、「高エネルギー」電池セルとして称される第一の種類の電気化学電池セル、及び「安全」電池セルとして称される第二の種類の電気化学電池セル、を含む電気化学ジェネレータに関する。 (もっと読む)


【課題】画素化された撮像装置を提供する。
【解決手段】数個の画素を含む撮像装置であって、各々の画素は少なくとも、
−第1の電極(122)及び第2電極(102)の間に配置され、及び光子及び/または高エネルギー粒子放射の電気信号への変換を達成することができるダイアモンド層(104)の一部と、
−前記電気信号を増幅及び/または読出すための電子回路(110)であって、少なくとも前記第1の電極に電気接続され、及び前記ダイアモンド層及び該ダイアモンド層と前記電子回路との間に位置された誘電層(106)を含むSOD型基板の表面層を形成し、おおよそ1μmに等しいかそれより薄い厚さを有している半導体材料層(108)の一部で作られた電子回路と、
を含んでいる。 (もっと読む)


本発明は、化学反応器を形成するための第1の回路であって、前記第1の回路が、少なくとも2つの化学物質が中を循環することにより相互に反応する複数のチャネル(10)を備え、前記チャネル(10)が、流体の方向転換を課する屈折部および連接部を含む3次元構造を有する、第1の回路と、反応が中で生ずるチャネル(10)の可能な限り近くで伝熱流体が中を循環する複数のチャネル(36)を備える第2の熱交換回路とを備える、化学反応器を形成するデバイスに関する。
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この光起電性モジュールは、導電体を備える接続手段(3)を介して直列に電気的に接続される複数の光起電性セル(2)を備える。接続手段(3)の各々は、反射−回折、又は、透過−回折の光学的挙動を有する光学素子を備え、接続手段(3)の各々は、少なくとも1つの導電ワイヤ(30)のネットワークを含有する、入射光線に対して透過性の材料で形成されるシートからなる。
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【課題】後から整形されるキャビティを使用することによって、非平面マイクロエレクトロニクスコンポーネントを製造するための方法を提供する。
【解決手段】コンポーネントの所望の輪郭に従って整形されたキャビティ36の上に能動フレキシブル回路を含む層を重ね合わせ、前記キャビティ36が基板内に形成される段階と、フレキシブル回路をキャビティ36内に落とし込み、回路にキャビティ36の形状をとらせる段階とを含む。フレキシブル回路とキャビティ36の重ね合わせは、キャビティ36に、基板およびフレキシブル回路に関して選択的に取り除くことが可能な材料を充填し、次いで、充填されたキャビティ36にアクセスするための少なくとも1つのフィードスルー58を形成する段階と、少なくとも1つのフィードスルー58を介してキャビティ36を充填する材料を選択的にエッチングして材料取り除く段階とによって実現される。 (もっと読む)


【課題】使用されるプラズモン構造にかかわらず、電磁放射を検出し、最適な応答時間を有することができる光検出器を提供することによって、課題を解決すること。
【解決手段】電磁放射を検出できるこの光検出器は、
・この放射を電荷キャリアに変換できる、上記放射に対するドープされた半導体吸収層(12)と、
・半導体層(12)によって吸収されない入射放射を半導体層(12)に向かって反射する、半導体層(12)の下に位置する反射層(22)と、
・半導体層(12)上に配置される金属構造(16)であって、半導体層(12)の電磁場集中領域内に金属構造(16)に対する入射電磁放射を集中させるように、半導体層(12)と共に、表面プラズモン共鳴器を形成する金属構造(16)とを備える。
半導体層(12)のドーピングとは反対にドープされる電荷キャリアを捕集するための半導体領域(24)が、上記半導体層(12)内に形成され、電磁場集中領域のトポロジーを補完するトポロジーを有する。 (もっと読む)


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