【課題】動作不良の発生個所を容易に知ることが可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】このＨＭＤＳ処理装置では、チャンバ１内の圧力を圧力計１０で検出し、その検出結果に基づいてＨＭＤＳ処理装置が正常に動作しているか否かを判別し、正常に動作していないと判別した場合は、ＨＭＤＳ処理装置の動作を停止させるとともに、動作不良の内容と動作不良を起こしたバルブなどを示す画像をモニタ２６に表示させる。したがって、動作不良の内容と動作不良を起こしたバルブを容易に検知できる。 （もっと読む）

【課題】レジスタに対する制御データの初期設定に不揮発性メモリを要せず、不揮発性メモリを代替するためにレジスタの出力を選択するセレクタやアルミマスタセルを必要としない半導体装置を提供する。
【解決手段】液晶駆動等に用いられる半導体装置は階調電圧生成回路（２０）等の回路の特性を調整するための制御データが記憶されるレジスタ（４０）を、初期設定されるべき前記制御データに対応して、初期化制御信号の第１状態とラッチイネーブル制御信号の第１状態とに応答して論理値１をラッチする第１ラッチ回路と論理値０をラッチする第２ラッチ回路との配列によって構成する。ＥＥＰＲＯＭを要せず、前記レジスタの出力を受けるセレクタ及び当該セレクタで選択可能とするアルミマスタセルを一切必要としない。初期設定の後に前記第１ラッチ回路及び第２ラッチ回路を書換えれば制御データの変更も可能である。 （もっと読む）

【課題】ＲＦモジュールを構成する半導体装置において、第１半導体チップの電力制御部と第２半導体チップのアンテナスイッチとを接続する配線基板上のボンディング配線の占有面積を低減する。
【解決手段】ＲＦモジュール５において、配線基板２５の中央領域に並んで半導体チップＣＨＰ１と半導体チップＣＨＰ２が搭載されている。半導体チップＣＨＰ１には、増幅回路と制御回路が形成されており、シリコン基板もしくは化合物半導体基板から構成されている。一方、半導体チップＣＨＰ２には、アンテナスイッチが形成されており、シリコン基板もしくは化合物半導体基板から構成されている。半導体チップＣＨＰ１のパッドＰＤ１と半導体チップＣＨＰ２のパッドＰＤ２とは電気的に接続されている。この接続を、配線基板２５の表面に形成されているボンディング配線ＢＬ１と、配線基板２５の内部に形成されているボンディング配線ＢＬ２により実施する。 （もっと読む）

【課題】コストをかけずに作製してチップに加わった磁場を不揮発に記録することによって、チップに加わる磁場の大きさや向きを推定することが可能なスピントロニクスチップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態によるスピントロニクスチップ１は、スピントロニクスを用いた素子を含む回路部２と、フリー層５とピン層６をトンネル膜７を介して積層してなるＴＭＲ素子３とが同一チップ上に配置され、ＴＭＲ素子３によりチップに加わった磁場を不揮発に記録することが可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路ブロックの動作状態が、半導体集積回路装置の予め定められた消費電力の許容値を超えないようにする。
【解決手段】複数の回路ブロックと電力制御回路とを設ける。上記複数の回路ブロックのそれぞれは少なくとも第１の状態と第２の状態とを含む複数の動作状態をもつ。上記第１の状態における上記回路ブロックはその機能に従って動作し、上記第２状態においては動作が停止される。上記電力制御回路は、上記複数の回路ブロックの動作状態を決定する際に参照する消費電力の許容値を記憶する記憶手段を有する。そして上記電力制御回路は、上記消費電力の許容値を超えないように上記複数の回路ブロックの上記動作を決定し、上記許容値を第１の値から第２の値に変更する際に、上記許容値を前記第１の値と前記第２の値との間の値に段階的に変更する。これにより、一度に動作可能になるサブ回路ブロック数を抑え、電流変動による電圧変動を小さくする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ボンディングを行う際のボンディングヘッド等の動作を適切に制御することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ヒータ１４を内蔵したボンディングヘッド１２と、ステージ１０と、ボンディングヘッド１２の下降量を適切に設定するための設備を備える製造装置が提供される。カメラ２０は、ボンディングヘッド１２が第１のボンディング対象物を保持し且つステージ１０が第２のボンディング対象物を載せた状態であって、第１、２のボンディング対象物を接触させる前の状態で、ボンディングヘッド１２とステージ１０との間の隙間を撮影することができる。制御部２３は、カメラ２０の撮影画像に基づいてボンディングヘッド１２の下降量を算出し、算出した下降量に従ってボンディングヘッド１２を下降させる。 （もっと読む）

【課題】デジタルブロックより発生するノイズから、アナログブロックにおける所定の半導体素子、または、所定の半導体素子群を確実に保護することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板２１と、半導体基板２１上面に領域を区分して配置され、デジタル回路が形成された領域であるデジタルブロック１とアナログ回路が形成された領域であるアナログブロック２とを備える。そして、アナログブロック２における所定の半導体素子群３を平面視で囲んで半導体基板２１上に設けられた基板電位固定領域２０と、基板電位固定領域２０に接続され、外部から所定の電位が付与されるパッドと８を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチ回路を介して伝達される高周波信号の２次高調波歪を低減するとともに、静電気放電破壊耐性を確保する。
【解決手段】高周波スイッチ回路は、受信用の受信側トランスファ回路（１１）と、送信用の送信側トランスファ回路（１２）と、受信端子（１）への高周波信号の漏洩を防止する受信側シャント回路（１３ａ）と、送信端子（２）への高周波信号の漏洩を防止する送信側シャント回路（１４ａ）とを備える。受信側トランスファ回路を構成するＳＯＩ構造のＭＯＳＦＥＴ（１０１−１０４）として、蓄積型で動作するトランジスタを用いる。また、アンテナ端子（３）に対して、送信側シャント回路と同一のトランジスタ構成を有するＥＳＤ保護回路（１５）を接続する。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】発振信号を出力し、かつ低消費電力化を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１の制御電圧に応じた周波数で発振することにより発振信号を出力する電圧制御発振回路５と、電圧制御発振回路５から受けた発振信号の周波数を電圧に変換する周波数／電圧変換回路２と、周波数／電圧変換回路２によって変換された電圧と前回生成した第２の制御電圧との間のレベルを有する新たな第２の制御電圧を生成する制御電圧生成回路１１と、第２の制御電圧を積分することにより第１の制御電圧を生成し、第１の制御電圧を電圧制御発振回路５へ出力するアナログ積分回路３とを備える。 （もっと読む）