【課題】本発明は、ＮｉＳｉの潜り込み成長を抑え、オフリーク電流の増加を抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の１実施形態は、シリコン基板１上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜３を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置である。さらに、本発明の１実施形態は、少なくともソース領域及びドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜１０を、Ｎｉ₂Ｓｉ膜へと反応させる温度でアニールし、さらにＮｉＳｉ膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜２２を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な処理でノイズによる誤動作を低減できる制御装置を提供する。
【解決手段】デジタル回路１０全体にわたって複数の箇所に配置された複数のノイズモニタ１１により得られたノイズに関するアナログ量は、アナログ／デジタル変換器１２により最大デジタル量へ変換され、周波数／電圧制御回路４０へ入力される。周波数／電圧制御回路４０は、最大デジタル量のうち基準デジタル量を上回るものが一つでもあった場合には、電源電圧がＮＧであると判定し、クロック発生装置２０から出力されるクロックの周波数やレギュレータ３０から出力される電源電圧を変更しない。 （もっと読む）

【課題】ビア配線の配置が界面方向にずれた場合でも、隣り合う配線間でＴＤＤＢや短絡が生じる事を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、半導体基板１上に形成された絶縁層（５，１１，１３，２１からなる部分）内に、第１配線７と、第１配線７の上方に配置された第２配線１５ａと、第１配線７と第２配線１５ａとを接続するビア配線１７とを備え、ビア配線１７の上面Ｓ１が第２配線１５ａの上面Ｓ２よりも低く配置される。 （もっと読む）

【課題】シリーズレギュレータ回路の保護動作をメインループ外で行うことにより、信頼性を向上させながら、安定した電源電圧を生成する。
【解決手段】シリーズレギュレータ回路の出力素子であるレギュレーション用トランジスタ４の前段に各種の保護動作による電流制限などの制御を行う入力電流調整部２が設けられている。これにより、メインのシリーズレギュレータ回路の回路構成を単純にすることができ、位相特性調整の自由度が大幅に向上し、電源ＩＣ１を安定動作させることができるとともに、緻密な保護動作制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の受信部に小占有面積と消費電力が小さく且つ良好な受信品質とを得る。
【解決手段】受信して周波数変換された信号のＤＣオフセットを除去するハイパスフィルタ（１０，１５）は、ＣＲフィルタを有し、ＣＲフィルタの抵抗素子に流れる電流を選択的に増やすことによってハイパスフィルタの入力インピーダンスを大きくするブートストラップ回路（３６）を備える。ＷＣＤＭＡ又はＨＳＤＰＡ方式に応じてハイパスフィルタの遮断周波数を切換える。ＷＣＤＭＡによる受信のときはブートストラップ回路を非活性として遮断周波数を高くする。ＨＳＤＰＡによる受信のときはブートストラップ回路を活性として遮断周波数を低くする。ＣＲフィルタ回路の抵抗素子に電流を流すブートストラップ回路を採用することによりＣＲフィルタ回路のチップ占有面積の増大を抑えて低いカットオフ周波数を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】高密度実装が必要な電子部品の実装形態において、他の半導体装置からのノイズに悪影響を受けることなく、かつ自身のノイズを外部に出さない電磁波ノイズ対策シールド付きパッケージを既存の組み立てプロセスを用いて製造し、安価に提供できる技術を提供する。
【解決手段】積層した半導体チップからなる半導体チップ構造体２の上部に配置した中継基板４と、平面で半導体チップ構造体２を取り囲むようにＢＧＡ基板１に配置されたＧＮＤ端子１ｃを通してＢＧＡ基板１内部のＧＮＤ層とをボンディングワイヤ５ａ〜５ｄで電気的に接続することで、ＢＧＡ基板１の中心を垂直に貫く直線方向をＺ方向、基板の対角線方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向とした場合のシールドループを形成し、Ｘ、ＹおよびＺの３方向の電磁波ノイズを遮蔽する。 （もっと読む）

【課題】微細な抵抗値の調整が可能な抵抗素子を有しかつ小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の抵抗素子Ｒ１は第１のシート抵抗を有する第１の薄膜Ｆ１を含んでいる。第１の抵抗素子Ｒ１に直列接続される第２の抵抗素子Ｒ２の複数の単位セルＰは、同一の長方形状によって外縁が区画された平面パターンであり、第２の薄膜Ｆ２と絶縁部ＩＰとを含んでいる。第２の薄膜Ｆ２は、長方形状の第１の角部Ｃ１に位置する第１の端子領域Ｔ１と、第１の角部と対角線に沿って対向する第２の角部Ｃ２に位置する第２の端子領域Ｔ２と、第１および第２の端子領域Ｔ１，Ｔ２を繋ぐ線状領域とに設けられている。第２の薄膜Ｆ２は第１のシート抵抗よりも小さい第２のシート抵抗を有している。絶縁部ＩＰは長方形状の第３および第４の角部Ｃ３，Ｃ４を含むように設けられている。 （もっと読む）

【課題】連想記憶装置において、消費電力及びピーク電流を削減する。
【解決手段】メモリコントローラ１００は、それぞれＴＣＡＭセルであるＰＣＡＭセル１及びＮＣＡＭセル１における検索動作の前に、マッチラインＭＬｐを電源に接続しかつマッチラインＭＬｎを接地した後、マッチラインＭＬｐとマッチラインＭＬｎとを接続し、マッチラインＭＬｐとマッチラインＭＬｎの電位を互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大や被膜性の劣化やトランジスタ特性の劣化等のエッチングに伴う不具合を防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタ５００は、ゲート電極２０２を有するＮ型ＭＯＳトランジスタおよびゲート電極２０１を有するＰ型ＭＯＳトランジスタを同一の半導体基板１上に備え、ゲート電極２０２は、ゲート絶縁膜５と多結晶シリコン層６１と金属層６２と多結晶シリコン層６３とを含み、ゲート電極２０１は、ゲート絶縁膜５と金属層６２と多結晶シリコン層６３とを含む。 （もっと読む）

【課題】中央処理装置に負担をかけずに短時間で送受信回路の通信条件を変更することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】通信条件が初期設定される通信条件設定レジスタ（４２，４４）とは別に、別の通信条件データが設定可能にされる変更用レジスタ（４５，４４）を別に設け、中央処理装置（３）により送信から受信等に通信状態を変更する指示が予め与えられているとき、送信状態の終了を検出することにより変更用レジスタの値を通信条件設定レジスタに格納して、通信を行う送受信制御部（２０）を採用する。 （もっと読む）