【課題】半導体装置の大型化を抑制しつつ、安定的にタブ露出型の半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体チップ１を搭載する面の反対側の面が封止樹脂（封止体）２から露出したタブ６を有し、タブ６は、半導体チップ１が搭載された面の反対側の面が封止樹脂２から露出した本体部１２と、本体部１２よりも薄い厚さで形成されることにより、封止樹脂２に封止される薄肉部１１とを有する。ここで、タブ６を支持する複数の吊りリード７は、タブ６の薄肉部１１にそれぞれ接続される接続部１４を有し、タブ６の薄肉部１１にそれぞれ接続され、接続部１４は本体部１２よりも薄い厚さで形成されることにより、封止樹脂２に封止される。また、タブ６の薄肉部１１には、吊りリード７が伸びる方向の延長線上に薄肉部１１を厚さ方向に貫通するスリット１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ測定時間を短縮する。
【解決手段】カバレッジ測定方法は、ＲＴＬのハードウェア記述言語によって記述される論理回路に対してその入力信号の定義と入力信号に対する演算操作の定義を有すると共にクロック信号によるタイミング定義が省略された記述形態を有する高抽象度モデルを用いた回路モジュールの高抽象度モデルソースコード（１）を用いてテストパターンについてカバレッジを算出する（Ｓ５）。ＲＴＬの実論理の完成を待つこと無く、換言すれば、ＲＴＬの実論理の作成に並行して、ＲＴＬによる記述よりも簡素化された高抽象度モデルソースコードを作成することができる。早く作成できた高抽象度モデルソースコードを用いることにより、ＲＴＬの実論理の完成を待たずにカバレッジを計測できる。しかも、ＲＴＬの実論理を用いたシミュレーション時間に比べて高抽象度モデルソースコードを用いたシミュレーション処理時間の方が短い。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで異なる金属膜を使用する場合であっても、両方のゲート電極を同時に加工できる技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に改質膜１１を形成している。改質膜１１は、ポリシリコン膜９にリンを導入することにより形成されている。この改質膜１１は、ポリシリコン膜９よりもエッチング速度が速くなる性質がある。このことから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域において、改質膜１１とポリシリコン膜９をすべてエッチングする際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域においては、ポリシリコン膜９がすべてエッチングされずに一部が残存する。これにより、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚と、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている膜の総膜厚の差が緩和される。 （もっと読む）

【課題】高速化を図ることのできる不揮発性の半導体記憶装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】ウェル領域３の表面上に制御ゲート絶縁膜４を介在させて制御ゲート電極５ａが形成されている。制御ゲート電極５ａの一方の側面上にＯＮＯ膜６を介在させてメモリゲート電極７ａが形成されている。そのウェル領域には、ドレイン領域Ｄとしての低濃度不純物領域１０ａおよび高濃度不純物領域１２ａと、ソース領域Ｓとしての低濃度不純物領域１０ｂおよび高濃度不純物領域１２ｂとが形成されている。その制御ゲート電極５ａおよびメモリゲート電極７ａを覆うように、引張り応力の比較的強い膜として、シリコン窒化膜１４が形成されている。さらに、そのシリコン窒化膜１４を覆うように層間絶縁膜２０が形成されている。これにより、チャネル領域に引張り応力が作用して電子の移動度が大きくなり、トランジスタの電流を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、半導体基板に近い第１領域と、第１領域よりもゲート電極に近い第２領域とで窒素濃度のピークが異なっており、第１領域における窒素濃度のピークは、２．５atomic％〜１０atomic％であり、第２領域における窒素濃度のピークは、第１領域における窒素濃度のピークよりも高い。 （もっと読む）

【課題】周辺回路による割込み、メモリバス帯域の利用や、データの処理スループットに制限をかける事により、周辺回路とホストＣＰＵによるデータ処理量がバランスする様に容易に制御可能であるホスト負荷調整機能付周辺回路を提供する。
【解決手段】ホスト負荷調整機能付周辺回路１０５が発生する割込み要求１１３の間隔の最小値を設定するための調整制約設定部１２１と、割込み要求１１３の発生タイミングをカウントするための周期カウンタ１２４とを備え、周期カウンタ１２４の値と調整制約設定部１２１に設定された間隔とを比較することにより、設定間隔より短い間隔で発生する割込み要求１１３を抑制する。 （もっと読む）

【課題】パターン検査の際には高コントラストの検査像が得られ、パターン転写の際には高コントラストの露光像が得られ、信頼性の高い反射型マスクを実現できる反射型露光マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】吸収体パターンの設計データを用いて、最小ピッチ領域を抽出し（ｓ１）、一方、検査光の波長および照射角度を予め設定する（ｓ２）。抽出した最小ピッチ領域において、検査光が吸収体表面で反射するときの反射光強度Ｉ_ＡＢＳおよび、検査光が反射膜の表面で反射し、吸収体表面の高さにまで到達した位置での反射光強度Ｉ_ＭＬをシミュレーションによりそれぞれ算出する（ｓ３）。Ｉ_ＭＬ＞Ｉ_ＡＢＳを満たすように、吸収体パターンの厚さおよび検査光に対する吸収体パターンの反射率のうちの少なくとも一方を設定する（ｓ４，ｓ７）。そして、吸収体パターンの厚さＴａと基準値Ｔｒとを比較し（ｓ５）、Ｔａ≧Ｔｒである場合、厚さＴａを採用して反射型露光マスクを製造する（ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の安定動作と電源電圧および基板電圧の異常の高精度な検出との両立を図ると共に、その異常に起因する誤動作による被害を最小限に留める。
【解決手段】半導体装置１００は、所定の電源電圧ＶＤＤおよび基板電圧ＶＢＢが供給されるＣＰＵ部１０と、上記電源電圧ＶＤＤおよび基板電圧ＶＢＢの異常を検出する第１の異常検出部１３および第２の異常検出部２０とを備える。第２の異常検出部２０は、リング発振器２１と、当該リング発振器２１の出力周波数を監視する監視部２２とを備える。リング発振器２１は、上記電源電圧ＶＤＤおよび基板電圧ＶＢＢが供給され、出力周波数がその電源電圧ＶＤＤおよび基板電圧ＶＢＢに応じて変化する。監視部２２は、リング発振器２１の出力周波数が所定範囲から外れたときに異常を示す警告信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】被個片化対象構造物の形状に応じて、最適な形状の保持枠を用いて、容易に接着シートを切断する。
【解決手段】多数個取り配線基板（基板）２０を個片化する工程を有し、個片化する工程には、保持枠３５を準備した後、保持枠３５の内側に多数個取り配線基板２０を所定の位置関係で配置する工程と、接着シート４０を貼り付けることにより保持枠３５と多数個取り配線基板２０とを固定する工程と、保持枠３５の接着シート４０が貼り付けられた面側で、接着シート４０を切断する工程とが含まれる。ここで、保持枠３５の接着シート４０が貼り付けられる面には溝３８が形成されており、接着シート４０を切断する工程では、溝３８に沿って接着シート４０を切断するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体パッケージを多段に積層したパッケージ・オン・パッケージ(Package On Package：ＰＯＰ)構造を有する半導体装置の小型化、高機能化を推進する。
【解決手段】マイコンチップ２とメモリチップ４の導通状態の良否を判定するためのテスト用導電パッド１０ｐを外部入出力用導電パッド９ｐの外側に配置し、マイコンチップ２およびメモリチップ４をテスト用導電パッド１０ｐに接続する配線の経路を短縮する。また、マイコンチップ２およびメモリチップ４をテスト用導電パッド１０ｐに接続する配線は、マイコンチップ２に接続される２列の導電パッド６ｐ、７ｐのうち、外側の列の導電パッド７ｐに接続する。 （もっと読む）