半導体装置及びその製造方法
【課題】本発明は、NiSiの潜り込み成長を抑え、オフリーク電流の増加を抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の1実施形態は、シリコン基板1上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜3を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置である。さらに、本発明の1実施形態は、少なくともソース領域及びドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜10を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜22を備える。
【解決手段】本発明の1実施形態は、シリコン基板1上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜3を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置である。さらに、本発明の1実施形態は、少なくともソース領域及びドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜10を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜22を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係る発明であって、特に、シリサイド膜を備える半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年のSoC(System On a Chip)等の半導体装置において、自己整合プロセス(サリサイド)にニッケルシリサイド(NiSi)が適用されている。NiSiを半導体装置に適用することで、CoSi2に比べて、低温でシリサイドを形成することが可能となり、トランジスタ特性を飛躍的に向上させることができる。なお、NiSiは準安定相であり、安定相のNiSi2に比べて耐熱性が不安定である。
【0003】
また、NiSiは、半導体装置において特にトランジスタに適用することになる。具体的には、半導体基板上に設けられた複数の被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造に、所定の手順でゲート領域、ソース・ドレイン領域(以下、S/D領域ともいう)にNiSiを形成する。
【0004】
具体的に、従来の半導体装置の製造方法を以下に説明する。まず、図13に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が半導体基板上に複数設けられる。図13に示す被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域は、シリコン基板101に分離絶縁膜102が形成され、当該分離絶縁膜102の間のシリコン基板101上にゲート絶縁膜103介してゲートポリシリコン104が形成されている。さらに、図13では、分離絶縁膜102とゲートポリシリコン104との間に第1不純物拡散層105が形成され、さらにゲートポリシリコン104の側壁にシリコン酸化膜106及びシリコン窒化膜107からなるサイドウォールスペーサ108が形成されている。
【0005】
次に、図14に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層109を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールで行う。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0006】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0007】
次に、図15に示すように、清浄化後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNi(ニッケル)膜10を形成する。スパッタするNi膜の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。
【0008】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni膜110とシリコン基板101とが反応して図16に示すようにシリサイド膜111を形成する。なお、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0009】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜112を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜112を除去した後の半導体装置を図17に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0010】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、シリサイド膜111において、さらにNiとSiとを確実に反応させてNiSiのシリサイド膜113を形成する(図18)。なお、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0011】
従来の製造方法では、アニール工程を2回に分けず、第1アニール工程のみでNiSiのシリサイド膜113を形成する場合もある。
【0012】
【特許文献1】特開2007−214269号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
実際のデバイスにNiSiを適用する場合、当該膜厚は10〜40nm程度にする必要がある。この膜厚領域(薄膜領域)では、耐熱性が劣化し、配線等を形成する際の熱処理によりS/D領域のNiSiがゲート領域に潜り込み成長することがある。NiSiがゲート領域に潜り込み成長すると、ゲートエッジリークによるオフリーク電流が増加し、半導体装置の歩留まりが低下する問題があった。図19に示すようにS/D領域に形成したNiSiのシリサイド膜113の結晶粒径が大きく成長するため、NiSiのシリサイド膜113はゲート領域の方向に潜り込み成長する。図19に示すような潜り込み成長がシリサイド膜113に生じると、接合破壊が起こりゲートエッジリーク電流が増加すると考えられる。
【0014】
また、従来のNiSiの形成方法では、NiSiの結晶粒径は100nm〜200nmと大きく、形成過程において結晶粒径が大きく成長することでNiSiの潜り込み成長が生じ、オフリーク電流を増加させる問題があった。
【0015】
また、特許文献1のように粒径を小さくしようとする試みがなされているが、このような手法では二度のNi膜堆積の間に自然酸化膜を除去するための洗浄が必要となる。しかし、一度目のNi膜堆積を150〜200℃で行っているので、Ni2Siが形成され、フッ酸やIn-Situによる自然酸化膜除去で、Ni膜の表面にダメージが入ってしまい、高抵抗や異常成長を引き起こすという問題点がある。
【0016】
そこで、本発明は、NiSiの潜り込み成長を抑え、オフリーク電流の増加を抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明の1実施形態は、シリコン基板上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置である。さらに、本発明の1実施形態は、少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜を備える。
【発明の効果】
【0018】
本発明の1実施形態は、所定の添加金属を含むニッケル膜を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜を備えるので、NiSiの結晶粒径が大きく成長せず、ゲート領域へのNiSiの潜り込み成長が発生しないため、ゲートエッジリーク電流の増加を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
(実施の形態1)
本実施の形態に係る半導体装置について説明する。まず、図1に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が半導体基板上に複数設けられる。具体的に、図1に示す被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域は、シリコン基板1に分離絶縁膜2が形成され、当該分離絶縁膜2の間のシリコン基板1上にゲート絶縁膜3介してゲートポリシリコン4が形成されている。さらに、図1では、分離絶縁膜2とゲートポリシリコン4との間に第1不純物拡散層5が形成され、さらにゲートポリシリコン4の側壁にシリコン酸化膜6及びシリコン窒化膜7からなるサイドウォールスペーサ8が形成されている。
【0020】
しかし、従来の製造方法で形成した半導体装置では、図19に示すようにS/D領域に形成したNiSiのシリサイド膜113の結晶粒径が大きく成長するため、NiSiのシリサイド膜113はゲート領域の方向に潜り込み成長する。図19に示すような潜り込み成長がシリサイド膜113に生じると、接合破壊が起こりゲートエッジリーク電流が増加する。
【0021】
次に、図2に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層9を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールである。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0022】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0023】
次に、図3に示すように、清浄化後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNiPtx膜20を形成する。スパッタするNiPtx膜20の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。なお、Ptのxの濃度は、例えば3〜7at%である。
【0024】
次に、ランプアニール等により200〜350℃で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、NiPtx膜20とシリコン基板1とが反応して図4に示すようにNi2Siの第1シリサイド膜21を形成する。つまり、当該工程では、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0025】
ここで、Niシリサイド膜の組成は、350℃以下でアニールした場合、主にNi2Si膜が形成され、350℃より高い温度から600℃までの温度でアニールした場合、主にNiSi膜が形成される。さらに、600℃よりも高い温度でアニールした場合は、主にNiSi2膜が形成される。相としての安定性は、Ni2Si膜−NiSi膜−NiSi2膜の順に大きくなる。なお、各温度は、諸条件により変動するため、必ずしも上記の温度に限定されないが、Ni2Si膜−NiSi膜−NiSi2膜の順にアニール温度が高くなる。また、各温度範囲では、主に形成されるNiシリサイド膜の組成を記載したが、必ずしもその組成のみが形成されるのではなく、他の組成の形成も含まれる。本願では、主に形成されるNiシリサイド膜の組成を、各温度範囲で形成されるNiシリサイド膜の組成として表現している。
【0026】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜12を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜12を除去した後の半導体装置を図5に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0027】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni2Siの第1シリサイド膜21をさらに反応させてNiSiの第2シリサイド膜22を形成する(図6)。つまり、当該工程では、NiSi膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0028】
以上のように、本実施の形態に係る半導体装置では、Ni膜110に代えてNiPtx膜20を用い、第1アニール工程でNi2Si膜へと反応させる温度でアニールし、PtをNi2Si粒界に拡散させて、且つ第2アニール工程でNiSi膜へと反応させる温度でアニールしている。この際に、Ni2Siの粒界に存在するPtがNiSiの結晶粒径の成長を抑制する。よって、本実施の形態に係る半導体装置では、図7に示すようにS/D領域に形成したNiSiの第2シリサイド膜22の結晶粒径が大きく成長することなく、第2シリサイド膜22はゲート領域の方向に潜り込み成長しない。
【0029】
より具体的な例として、図8にnMOS領域での本実施の形態に第2シリサイド膜22の結晶粒径と、従来のシリサイド膜113の結晶粒径との比較を示している。また、図9にpMOS領域での本実施の形態に第2シリサイド膜22の結晶粒径と、従来のシリサイド膜113の結晶粒径との比較を示している。図8,図9から分かるように、本実施の形態に第2シリサイド膜22の結晶粒径は、主に100nm以下であるが、従来のシリサイド膜113の結晶粒径は100nmより大きくなっている。結晶粒径とゲートエッジリーク電流との関係は、図10からも分かるように結晶粒径が大きい方がゲートエッジリーク電流量が多くなる。
【0030】
なお、本実施の形態では、Niに添加する金属を白金(Pt)としたが、本発明はこれに限られない。具体的に添加する金属には、アルミニウム(Al),チタン(Ti),バナジウム(V),コバルト(Co),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),エルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)のいずれか1つ、又は複数の組合せが考えられる。
【0031】
また、本実施の形態では、第1アニール工程後に、Ni選択除去工程を行い、第2アニール工程を行っているが、本発明はこれに限られず、第2アニール工程後にNi選択除去工程を行っても良い。
【0032】
(実施の形態2)
本実施の形態に係る半導体装置では、実施の形態1の製造方法に加えて、イオン注入によりnMOS領域のシリコン基板1をプリアモルファス化しておくことにより、シリサイド膜の結晶粒径を大きく成長させない。
【0033】
以下に、具体的な製造方法を示して説明する。なお、実施の形態1の説明で用いた図面と共通する図面は、同じ図面を用いて説明する。まず、図1に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が複数半導体基板上に設けられる。
【0034】
次に、図2に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層9を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールである。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0035】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0036】
次に、図11に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、pMOS領域をレジストマスク30で覆い、nMOS領域のみにSiイオン(Si+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化する。なお、Siイオンの注入量は、1E14〜1E15cm-2である。
【0037】
次に、図3に示すように、レジストマスク30を取り除き清浄化した後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNiPtx膜20を形成する。スパッタするNiPtx膜20の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。なお、Ptのxの濃度は、例えば3〜7at%である。
【0038】
次に、ランプアニール等により200〜350℃で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、NiPtx膜20とシリコン基板1とが反応して図4に示すようにNi2Siの第1シリサイド膜21を形成する。つまり、当該工程では、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0039】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜12を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜12を除去した後の半導体装置を図5に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0040】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni2Siの第1シリサイド膜21において、さらにNiとSiとを確実に反応させてNiSiの第2シリサイド膜22を形成する(図6)。つまり、当該工程では、NiSi膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0041】
以上のよう、本実施の形態に係る半導体装置では、NiPtx膜20を形成する前に、nMOS領域のみにシリコンイオン(Si+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化するので、第2シリサイド膜22の結晶粒径が大きくならず、ゲート領域への潜り込み成長がなく、ゲートエッジリーク電流量を低減できる。
【0042】
なお、本実施の形態でも、Niに添加する金属を白金(Pt)としたが、本発明はこれに限られない。具体的に添加する金属には、アルミニウム(Al),チタン(Ti),バナジウム(V),コバルト(Co),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),エルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)のいずれか1つ、又は複数の組合せが考えられる。
【0043】
また、本実施の形態でも、第1アニール工程後に、Ni選択除去工程を行い、第2アニール工程を行っているが、本発明はこれに限られず、第2アニール工程後にNi選択除去工程を行っても良い。
【0044】
また、本実施の形態では、nMOS領域にシリコンイオンを注入しているが、本発明はこれに限られず、シリコン基板1をプリアモルファス化できるイオンで有れば他のイオンでも良い。
【0045】
(実施の形態3)
本実施の形態に係る半導体装置では、実施の形態1の製造方法に加えて、イオン注入によりpMOS領域のシリコン基板1をプリアモルファス化しておくことにより、シリサイド膜の結晶粒径を大きく成長させない。
【0046】
以下に、具体的な製造方法を示して説明する。なお、実施の形態1の説明で用いた図面と共通する図面は、同じ図面を用いて説明する。まず、図1に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が複数半導体基板上に設けられる。
【0047】
次に、図2に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層9を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールである。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0048】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0049】
次に、図12に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、nMOS領域をレジストマスク30で覆い、pMOS領域のみにフッ素イオン(F+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化する。なお、フッ素イオンの注入量は、1E14〜1E15cm-2である。
【0050】
次に、図3に示すように、レジストマスク30を取り除き清浄化した後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNiPtx膜20を形成する。スパッタするNiPtx膜20の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。なお、Ptのxの濃度は、例えば3〜7at%である。
【0051】
次に、ランプアニール等により200〜350℃で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、NiPtx膜20とシリコン基板1とが反応して図4に示すようにNi2Siの第1シリサイド膜21を形成する。つまり、当該工程では、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0052】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜12を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜12を除去した後の半導体装置を図5に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0053】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni2Siの第1シリサイド膜21において、さらにNiとSiとを確実に反応させてNiSiの第2シリサイド膜22を形成する(図6)。つまり、当該工程では、NiSi膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0054】
以上のよう、本実施の形態に係る半導体装置では、NiPtx膜20を形成する前に、pMOS領域のみにフッ素イオン(F+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化するので、第2シリサイド膜22の結晶粒径が大きくならず、ゲート領域への潜り込み成長がなく、ゲートエッジリーク電流量を低減できる。
【0055】
なお、本実施の形態でも、Niに添加する金属を白金(Pt)としたが、本発明はこれに限られない。具体的に添加する金属には、アルミニウム(Al),チタン(Ti),バナジウム(V),コバルト(Co),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),エルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)のいずれか1つ、又は複数の組合せが考えられる。
【0056】
また、本実施の形態でも、第1アニール工程後に、Ni選択除去工程を行い、第2アニール工程を行っているが、本発明はこれに限られず、第2アニール工程後にNi選択除去工程を行っても良い。
【0057】
また、本実施の形態では、pMOS領域にフッ素イオンを注入しているが、本発明はこれに限られず、シリコン基板1をプリアモルファス化できるイオンで有れば他のイオンでも良い。
【図面の簡単な説明】
【0058】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図6】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図7】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの潜り込み成長を説明するための図である。
【図8】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの結晶粒径を説明するための図である。
【図9】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの結晶粒径を説明するための図である。
【図10】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの結晶粒径とリーク電流との関係を説明するための図である。
【図11】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図12】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図13】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図14】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図15】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図16】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図17】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図18】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図19】本発明の前提となる半導体装置のNiSiの潜り込み成長を説明するための図である。
【符号の説明】
【0059】
1,101 シリコン基板、2,102 分離絶縁膜、3,103 ゲート絶縁膜、4,104 ゲートポリシリコン、5,105 第1不純物拡散層、6,106 シリコン酸化膜、7,107 シリコン窒化膜、8,108 サイドウォールスペーサ、9,109 第2不純物拡散層、12 非反応Ni膜、20 NiPtx膜、21 第1シリサイド膜、22 第2シリサイド膜、30 レジストマスク、110 Ni膜、111,113 シリサイド膜。
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係る発明であって、特に、シリサイド膜を備える半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年のSoC(System On a Chip)等の半導体装置において、自己整合プロセス(サリサイド)にニッケルシリサイド(NiSi)が適用されている。NiSiを半導体装置に適用することで、CoSi2に比べて、低温でシリサイドを形成することが可能となり、トランジスタ特性を飛躍的に向上させることができる。なお、NiSiは準安定相であり、安定相のNiSi2に比べて耐熱性が不安定である。
【0003】
また、NiSiは、半導体装置において特にトランジスタに適用することになる。具体的には、半導体基板上に設けられた複数の被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造に、所定の手順でゲート領域、ソース・ドレイン領域(以下、S/D領域ともいう)にNiSiを形成する。
【0004】
具体的に、従来の半導体装置の製造方法を以下に説明する。まず、図13に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が半導体基板上に複数設けられる。図13に示す被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域は、シリコン基板101に分離絶縁膜102が形成され、当該分離絶縁膜102の間のシリコン基板101上にゲート絶縁膜103介してゲートポリシリコン104が形成されている。さらに、図13では、分離絶縁膜102とゲートポリシリコン104との間に第1不純物拡散層105が形成され、さらにゲートポリシリコン104の側壁にシリコン酸化膜106及びシリコン窒化膜107からなるサイドウォールスペーサ108が形成されている。
【0005】
次に、図14に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層109を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールで行う。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0006】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0007】
次に、図15に示すように、清浄化後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNi(ニッケル)膜10を形成する。スパッタするNi膜の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。
【0008】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni膜110とシリコン基板101とが反応して図16に示すようにシリサイド膜111を形成する。なお、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0009】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜112を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜112を除去した後の半導体装置を図17に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0010】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、シリサイド膜111において、さらにNiとSiとを確実に反応させてNiSiのシリサイド膜113を形成する(図18)。なお、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0011】
従来の製造方法では、アニール工程を2回に分けず、第1アニール工程のみでNiSiのシリサイド膜113を形成する場合もある。
【0012】
【特許文献1】特開2007−214269号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
実際のデバイスにNiSiを適用する場合、当該膜厚は10〜40nm程度にする必要がある。この膜厚領域(薄膜領域)では、耐熱性が劣化し、配線等を形成する際の熱処理によりS/D領域のNiSiがゲート領域に潜り込み成長することがある。NiSiがゲート領域に潜り込み成長すると、ゲートエッジリークによるオフリーク電流が増加し、半導体装置の歩留まりが低下する問題があった。図19に示すようにS/D領域に形成したNiSiのシリサイド膜113の結晶粒径が大きく成長するため、NiSiのシリサイド膜113はゲート領域の方向に潜り込み成長する。図19に示すような潜り込み成長がシリサイド膜113に生じると、接合破壊が起こりゲートエッジリーク電流が増加すると考えられる。
【0014】
また、従来のNiSiの形成方法では、NiSiの結晶粒径は100nm〜200nmと大きく、形成過程において結晶粒径が大きく成長することでNiSiの潜り込み成長が生じ、オフリーク電流を増加させる問題があった。
【0015】
また、特許文献1のように粒径を小さくしようとする試みがなされているが、このような手法では二度のNi膜堆積の間に自然酸化膜を除去するための洗浄が必要となる。しかし、一度目のNi膜堆積を150〜200℃で行っているので、Ni2Siが形成され、フッ酸やIn-Situによる自然酸化膜除去で、Ni膜の表面にダメージが入ってしまい、高抵抗や異常成長を引き起こすという問題点がある。
【0016】
そこで、本発明は、NiSiの潜り込み成長を抑え、オフリーク電流の増加を抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明の1実施形態は、シリコン基板上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置である。さらに、本発明の1実施形態は、少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜を備える。
【発明の効果】
【0018】
本発明の1実施形態は、所定の添加金属を含むニッケル膜を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜を備えるので、NiSiの結晶粒径が大きく成長せず、ゲート領域へのNiSiの潜り込み成長が発生しないため、ゲートエッジリーク電流の増加を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
(実施の形態1)
本実施の形態に係る半導体装置について説明する。まず、図1に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が半導体基板上に複数設けられる。具体的に、図1に示す被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域は、シリコン基板1に分離絶縁膜2が形成され、当該分離絶縁膜2の間のシリコン基板1上にゲート絶縁膜3介してゲートポリシリコン4が形成されている。さらに、図1では、分離絶縁膜2とゲートポリシリコン4との間に第1不純物拡散層5が形成され、さらにゲートポリシリコン4の側壁にシリコン酸化膜6及びシリコン窒化膜7からなるサイドウォールスペーサ8が形成されている。
【0020】
しかし、従来の製造方法で形成した半導体装置では、図19に示すようにS/D領域に形成したNiSiのシリサイド膜113の結晶粒径が大きく成長するため、NiSiのシリサイド膜113はゲート領域の方向に潜り込み成長する。図19に示すような潜り込み成長がシリサイド膜113に生じると、接合破壊が起こりゲートエッジリーク電流が増加する。
【0021】
次に、図2に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層9を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールである。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0022】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0023】
次に、図3に示すように、清浄化後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNiPtx膜20を形成する。スパッタするNiPtx膜20の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。なお、Ptのxの濃度は、例えば3〜7at%である。
【0024】
次に、ランプアニール等により200〜350℃で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、NiPtx膜20とシリコン基板1とが反応して図4に示すようにNi2Siの第1シリサイド膜21を形成する。つまり、当該工程では、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0025】
ここで、Niシリサイド膜の組成は、350℃以下でアニールした場合、主にNi2Si膜が形成され、350℃より高い温度から600℃までの温度でアニールした場合、主にNiSi膜が形成される。さらに、600℃よりも高い温度でアニールした場合は、主にNiSi2膜が形成される。相としての安定性は、Ni2Si膜−NiSi膜−NiSi2膜の順に大きくなる。なお、各温度は、諸条件により変動するため、必ずしも上記の温度に限定されないが、Ni2Si膜−NiSi膜−NiSi2膜の順にアニール温度が高くなる。また、各温度範囲では、主に形成されるNiシリサイド膜の組成を記載したが、必ずしもその組成のみが形成されるのではなく、他の組成の形成も含まれる。本願では、主に形成されるNiシリサイド膜の組成を、各温度範囲で形成されるNiシリサイド膜の組成として表現している。
【0026】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜12を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜12を除去した後の半導体装置を図5に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0027】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni2Siの第1シリサイド膜21をさらに反応させてNiSiの第2シリサイド膜22を形成する(図6)。つまり、当該工程では、NiSi膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0028】
以上のように、本実施の形態に係る半導体装置では、Ni膜110に代えてNiPtx膜20を用い、第1アニール工程でNi2Si膜へと反応させる温度でアニールし、PtをNi2Si粒界に拡散させて、且つ第2アニール工程でNiSi膜へと反応させる温度でアニールしている。この際に、Ni2Siの粒界に存在するPtがNiSiの結晶粒径の成長を抑制する。よって、本実施の形態に係る半導体装置では、図7に示すようにS/D領域に形成したNiSiの第2シリサイド膜22の結晶粒径が大きく成長することなく、第2シリサイド膜22はゲート領域の方向に潜り込み成長しない。
【0029】
より具体的な例として、図8にnMOS領域での本実施の形態に第2シリサイド膜22の結晶粒径と、従来のシリサイド膜113の結晶粒径との比較を示している。また、図9にpMOS領域での本実施の形態に第2シリサイド膜22の結晶粒径と、従来のシリサイド膜113の結晶粒径との比較を示している。図8,図9から分かるように、本実施の形態に第2シリサイド膜22の結晶粒径は、主に100nm以下であるが、従来のシリサイド膜113の結晶粒径は100nmより大きくなっている。結晶粒径とゲートエッジリーク電流との関係は、図10からも分かるように結晶粒径が大きい方がゲートエッジリーク電流量が多くなる。
【0030】
なお、本実施の形態では、Niに添加する金属を白金(Pt)としたが、本発明はこれに限られない。具体的に添加する金属には、アルミニウム(Al),チタン(Ti),バナジウム(V),コバルト(Co),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),エルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)のいずれか1つ、又は複数の組合せが考えられる。
【0031】
また、本実施の形態では、第1アニール工程後に、Ni選択除去工程を行い、第2アニール工程を行っているが、本発明はこれに限られず、第2アニール工程後にNi選択除去工程を行っても良い。
【0032】
(実施の形態2)
本実施の形態に係る半導体装置では、実施の形態1の製造方法に加えて、イオン注入によりnMOS領域のシリコン基板1をプリアモルファス化しておくことにより、シリサイド膜の結晶粒径を大きく成長させない。
【0033】
以下に、具体的な製造方法を示して説明する。なお、実施の形態1の説明で用いた図面と共通する図面は、同じ図面を用いて説明する。まず、図1に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が複数半導体基板上に設けられる。
【0034】
次に、図2に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層9を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールである。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0035】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0036】
次に、図11に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、pMOS領域をレジストマスク30で覆い、nMOS領域のみにSiイオン(Si+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化する。なお、Siイオンの注入量は、1E14〜1E15cm-2である。
【0037】
次に、図3に示すように、レジストマスク30を取り除き清浄化した後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNiPtx膜20を形成する。スパッタするNiPtx膜20の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。なお、Ptのxの濃度は、例えば3〜7at%である。
【0038】
次に、ランプアニール等により200〜350℃で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、NiPtx膜20とシリコン基板1とが反応して図4に示すようにNi2Siの第1シリサイド膜21を形成する。つまり、当該工程では、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0039】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜12を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜12を除去した後の半導体装置を図5に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0040】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni2Siの第1シリサイド膜21において、さらにNiとSiとを確実に反応させてNiSiの第2シリサイド膜22を形成する(図6)。つまり、当該工程では、NiSi膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0041】
以上のよう、本実施の形態に係る半導体装置では、NiPtx膜20を形成する前に、nMOS領域のみにシリコンイオン(Si+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化するので、第2シリサイド膜22の結晶粒径が大きくならず、ゲート領域への潜り込み成長がなく、ゲートエッジリーク電流量を低減できる。
【0042】
なお、本実施の形態でも、Niに添加する金属を白金(Pt)としたが、本発明はこれに限られない。具体的に添加する金属には、アルミニウム(Al),チタン(Ti),バナジウム(V),コバルト(Co),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),エルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)のいずれか1つ、又は複数の組合せが考えられる。
【0043】
また、本実施の形態でも、第1アニール工程後に、Ni選択除去工程を行い、第2アニール工程を行っているが、本発明はこれに限られず、第2アニール工程後にNi選択除去工程を行っても良い。
【0044】
また、本実施の形態では、nMOS領域にシリコンイオンを注入しているが、本発明はこれに限られず、シリコン基板1をプリアモルファス化できるイオンで有れば他のイオンでも良い。
【0045】
(実施の形態3)
本実施の形態に係る半導体装置では、実施の形態1の製造方法に加えて、イオン注入によりpMOS領域のシリコン基板1をプリアモルファス化しておくことにより、シリサイド膜の結晶粒径を大きく成長させない。
【0046】
以下に、具体的な製造方法を示して説明する。なお、実施の形態1の説明で用いた図面と共通する図面は、同じ図面を用いて説明する。まず、図1に示すような被パターニング・ポリシリコン・ゲート領域を備えた平坦化構造が複数半導体基板上に設けられる。
【0047】
次に、図2に示すように、S/D領域を形成するためにイオン注入と活性化アニールを行い第2不純物拡散層9を設ける。具体的なイオン注入条件は、nMOSの場合、ヒ素(As)を5〜20keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で、又はリン(P)を5〜10keVのエネルギーで1E14〜1E15cm-2 の注入量で注入する。pMOSの場合、ボロン(B)を0.5〜2keVのエネルギーで1E15〜1E16cm-2 の注入量で注入する。イオン注入後の活性化アニールは、900〜1000℃のスパイクアニールである。なお、CMOSの半導体装置を形成する場合は、nMOS領域とpMOS領域とをマスクを用いて、上記の注入条件で打ち分ける。
【0048】
次に、前洗浄(RCA洗浄)とフッ酸による前洗浄(表面酸化物の除去)とを行うことで表面を清浄化する。
【0049】
次に、図12に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、nMOS領域をレジストマスク30で覆い、pMOS領域のみにフッ素イオン(F+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化する。なお、フッ素イオンの注入量は、1E14〜1E15cm-2である。
【0050】
次に、図3に示すように、レジストマスク30を取り除き清浄化した後のゲート領域及びS/D領域にスパッタ法を用いてNiPtx膜20を形成する。スパッタするNiPtx膜20の代表的な膜厚としては、8.0nm〜15.0nmである。なお、Ptのxの濃度は、例えば3〜7at%である。
【0051】
次に、ランプアニール等により200〜350℃で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、NiPtx膜20とシリコン基板1とが反応して図4に示すようにNi2Siの第1シリサイド膜21を形成する。つまり、当該工程では、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第1アニール工程という。
【0052】
次に、第1アニール工程で未反応であった非反応Ni膜12を除去するNi選択除去工程が行われる。Ni選択除去工程により非反応Ni膜12を除去した後の半導体装置を図5に示す。なお、Ni選択除去工程の条件は、30〜60分間硫酸過水を施すことである。
【0053】
次に、ランプアニール等により350℃より高い温度から600℃までの温度で30〜120秒間、N2雰囲気でアニールを行う。このアニールの実施により、Ni2Siの第1シリサイド膜21において、さらにNiとSiとを確実に反応させてNiSiの第2シリサイド膜22を形成する(図6)。つまり、当該工程では、NiSi膜へと反応させる温度でアニールする。なお、本実施の形態でも、上記のアニールを、第2アニール工程という。
【0054】
以上のよう、本実施の形態に係る半導体装置では、NiPtx膜20を形成する前に、pMOS領域のみにフッ素イオン(F+)を注入し、シリコン基板1をプリアモルファス化するので、第2シリサイド膜22の結晶粒径が大きくならず、ゲート領域への潜り込み成長がなく、ゲートエッジリーク電流量を低減できる。
【0055】
なお、本実施の形態でも、Niに添加する金属を白金(Pt)としたが、本発明はこれに限られない。具体的に添加する金属には、アルミニウム(Al),チタン(Ti),バナジウム(V),コバルト(Co),ルテニウム(Ru),パラジウム(Pd),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),エルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)のいずれか1つ、又は複数の組合せが考えられる。
【0056】
また、本実施の形態でも、第1アニール工程後に、Ni選択除去工程を行い、第2アニール工程を行っているが、本発明はこれに限られず、第2アニール工程後にNi選択除去工程を行っても良い。
【0057】
また、本実施の形態では、pMOS領域にフッ素イオンを注入しているが、本発明はこれに限られず、シリコン基板1をプリアモルファス化できるイオンで有れば他のイオンでも良い。
【図面の簡単な説明】
【0058】
【図1】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図3】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図4】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図6】本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図7】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの潜り込み成長を説明するための図である。
【図8】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの結晶粒径を説明するための図である。
【図9】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの結晶粒径を説明するための図である。
【図10】本発明の実施の形態1に係る半導体装置のNiSiの結晶粒径とリーク電流との関係を説明するための図である。
【図11】本発明の実施の形態2に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図12】本発明の実施の形態3に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図13】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図14】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図15】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図16】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図17】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図18】本発明の前提となる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図19】本発明の前提となる半導体装置のNiSiの潜り込み成長を説明するための図である。
【符号の説明】
【0059】
1,101 シリコン基板、2,102 分離絶縁膜、3,103 ゲート絶縁膜、4,104 ゲートポリシリコン、5,105 第1不純物拡散層、6,106 シリコン酸化膜、7,107 シリコン窒化膜、8,108 サイドウォールスペーサ、9,109 第2不純物拡散層、12 非反応Ni膜、20 NiPtx膜、21 第1シリサイド膜、22 第2シリサイド膜、30 レジストマスク、110 Ni膜、111,113 シリサイド膜。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコン基板上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置であって、
少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜をさらに備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項1に記載の半導体装置であって、
前記添加金属は、白金,アルミニウム,チタン,バナジウム,コバルト,ルテニウム,パラジウム,ハフニウム,タンタル,エルビウム,イッテルビウムのいずれか1つ、又は複数の組合せであることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置であって、
前記Ni2Si膜へと反応させる温度を350度以下とし、前記NiSi膜へと反応させる温度を350度より高く、600度以下の範囲とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置であって、
前記ニッケル膜を成膜する前に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の前記シリコン基板は、イオン注入によりプリアモルファス化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
請求項4に記載の半導体装置であって、
前記イオン注入は、nMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にシリコンイオンを、pMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にフッ素イオンをそれぞれ注入することを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
シリコン基板上にソース領域及びドレイン領域を形成するソース・ドレイン工程と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介してゲート領域を形成するゲート工程と、
少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に所定の添加金属を含むニッケル膜を成膜する成膜工程と、
前記ニッケル膜をNi2Si膜へと反応させる温度でアニールする第1アニール工程と、
前記第1アニール工程後に、前記Ni2Si膜をNiSi膜へと反応させる温度でアニールしてシリサイド膜を形成する第2アニール工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項7】
請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記添加金属は、白金,アルミニウム,チタン,バナジウム,コバルト,ルテニウム,パラジウム,ハフニウム,タンタル,エルビウム,イッテルビウムのいずれか1つ、又は複数の組合せであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項8】
請求項6又は請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1アニール工程は、350度以下でアニールし、前記第2アニール工程は、350度より高く、600度以下の範囲でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項9】
請求項6乃至請求項8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記成膜工程の前に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の前記シリコン基板に対してイオン注入を行いプリアモルファス化させるイオン注入工程をさらに備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項10】
請求項9に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、nMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にシリコンイオンを、pMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にフッ素イオンをそれぞれ注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項1】
シリコン基板上に形成されるソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート領域とを備える半導体装置であって、
少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に成膜した所定の添加金属を含むニッケル膜を、Ni2Si膜へと反応させる温度でアニールし、さらにNiSi膜へと反応させる温度でアニールして形成されたシリサイド膜をさらに備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
請求項1に記載の半導体装置であって、
前記添加金属は、白金,アルミニウム,チタン,バナジウム,コバルト,ルテニウム,パラジウム,ハフニウム,タンタル,エルビウム,イッテルビウムのいずれか1つ、又は複数の組合せであることを特徴とする半導体装置。
【請求項3】
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置であって、
前記Ni2Si膜へと反応させる温度を350度以下とし、前記NiSi膜へと反応させる温度を350度より高く、600度以下の範囲とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置であって、
前記ニッケル膜を成膜する前に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の前記シリコン基板は、イオン注入によりプリアモルファス化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項5】
請求項4に記載の半導体装置であって、
前記イオン注入は、nMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にシリコンイオンを、pMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にフッ素イオンをそれぞれ注入することを特徴とする半導体装置。
【請求項6】
シリコン基板上にソース領域及びドレイン領域を形成するソース・ドレイン工程と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にゲート絶縁膜を介してゲート領域を形成するゲート工程と、
少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域上に所定の添加金属を含むニッケル膜を成膜する成膜工程と、
前記ニッケル膜をNi2Si膜へと反応させる温度でアニールする第1アニール工程と、
前記第1アニール工程後に、前記Ni2Si膜をNiSi膜へと反応させる温度でアニールしてシリサイド膜を形成する第2アニール工程とを備える半導体装置の製造方法。
【請求項7】
請求項6に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記添加金属は、白金,アルミニウム,チタン,バナジウム,コバルト,ルテニウム,パラジウム,ハフニウム,タンタル,エルビウム,イッテルビウムのいずれか1つ、又は複数の組合せであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項8】
請求項6又は請求項7に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1アニール工程は、350度以下でアニールし、前記第2アニール工程は、350度より高く、600度以下の範囲でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項9】
請求項6乃至請求項8のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記成膜工程の前に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の前記シリコン基板に対してイオン注入を行いプリアモルファス化させるイオン注入工程をさらに備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項10】
請求項9に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、nMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にシリコンイオンを、pMOSを形成する前記ソース領域及び前記ドレイン領域にフッ素イオンをそれぞれ注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【公開番号】特開2009−111214(P2009−111214A)
【公開日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−282931(P2007−282931)
【出願日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【出願人】(503121103)株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成19年10月31日(2007.10.31)
【出願人】(503121103)株式会社ルネサステクノロジ (4,790)
【Fターム(参考)】
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