歪み材料を有する半導体デバイスが開示される。特定の実施形態では、半導体デバイスは、第１ドレインと第１ソースとの間に第１ゲートを含む第１セルを含む。半導体デバイスはまた、第１セルに隣接する第２セルを含む。第２セルは、第２ドレインと第２ソースとの間に第２ゲートを含む。半導体デバイスはさらに、第１ソースと第２ソースとの間にシャロートレンチ分離領域を含む。第１ソースおよび第２ソース上の第１量の歪み材料は、第１ドレインおよび第２ドレイン上の第２量の歪み材料より多い。
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【課題】非単結晶Ｓｉ薄膜と単結晶Ｓｉ薄膜デバイスとを形成し、高性能なシステムを集積化した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａと非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａとが形成された半導体装置２０の製造方法において、表面に酸化膜、ゲートパターン、不純物イオン注入部が形成された後に平坦化されており、所定の深さに所定の濃度の水素イオンが注入された水素イオン注入部１５を備えた単結晶Ｓｉ基板１０ａを熱処理によって絶縁基板２上に接合し、さらに水素イオン注入部１５において熱処理により劈開剥離した後、非晶質Ｓｉ薄膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 フルシリサイド化したデュアルゲート構造を有する半導体装置において、ゲート電極の安定性を高めることによって半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 Ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉＳｉ膜１１０Ａを形成すると共にＰ型ＭＩＳトランジスタ形成領域のゲート電極となるＮｉ₃ Ｓｉ膜１１０Ｂを形成する。素子分離領域１０１上つまりシリサイド化防止膜１０６の下には、未反応のＮ型多結晶シリコン膜１０３Ａが、ＮｉＳｉ膜１１０ＡとＮｉ₃ Ｓｉ膜１１０Ｂとの間の相互拡散を防止する導電性拡散防止領域として残存する。 （もっと読む）

【課題】
しきい値電圧調整のためのイオン注入工程や半導体ウェハ表面に付着した異物を除去するための純水リンス処理を省略することなく、ゲート酸化膜の絶縁破壊耐圧の歩溜りの低下やゲート酸化膜の信頼性の低下といった不具合を改善する。
【解決手段】
レジストマスク１４を形成してイオン注入を行なった後、レジストマスク１４を除去して半導体ウェハ２表面に対して少なくとも純水リンスを含む洗浄処理を行なう。洗浄処理後、半導体ウェハに対して熱処理を施して、純水リンスの際の静電破壊によって劣化したゲート酸化膜１０,１２を回復させる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型ＭＯＳトランジスタおよびｎ型ＭＯＳトランジスタのオン電流を共に増加可能とすると共に、コンタクトの不良発生を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１１の第１領域１３ｐに形成されたｐ型ＭＯＳトランジスタ１４と、第２領域１３ｎに形成されたｎ型ＭＯＳトランジスタ１５と、第２領域１３ｎには、シリコン基板１１および素子分離領域１２の一部の表面とゲート積層体３４を覆う引っ張り応力を有する第２応力制御膜３８と、第１領域１３ｐのシリコン基板１１および素子分離領域１２の一部の表面とゲート積層体２３を覆うと共に、第２領域の第２応力制御膜３８を覆う、圧縮応力を有する第１応力制御膜２６が形成される。第１応力制御膜２６の膜厚ｔ1、圧縮応力の大きさＰ1、第２応力制御膜３８の膜厚ｔ2、圧縮応力の大きさＰ2として、ｔ1×Ｐ1＜ｔ2×Ｐ2の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】 多電源のＭＯＳトランジスタが搭載された半導体装置においてホットキャリアに対する信頼性とＮＢＴＩに対する信頼性とを両立させる。
【解決手段】 高耐圧用のｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第１のゲート絶縁膜（厚いゲート絶縁膜）は、半導体基板との界面に窒素濃度ピークを有する。高耐圧用のｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの第２のゲート絶縁膜（厚いゲート絶縁膜）、高速駆動用のｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第３のゲート絶縁膜（薄いゲート絶縁膜）及び高速駆動用のｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの第４のゲート絶縁膜（薄いゲート絶縁膜）はそれぞれ、対応するゲート電極の近傍のみに窒素濃度ピークを有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｉｇｈ−ｋ膜を用い電気的膜厚の異なるゲート絶縁膜を同じ半導体基板表面に高い再現性の下に高精度にしかも簡便に形成する。
【解決手段】 シリコン基板１のｎウェル層２表面部が素子分離領域３で区画され、周辺回路部のＭＩＳＦＥＴでは、膜厚４〜６ｎｍのベース酸化膜４およびその改質層である窒化層４ａ、Ｈｉｇｈ−ｋ膜５およびその改質層である窒化層５ａの積層膜で成る第１ゲート絶縁膜６が形成され、内部回路部のＭＩＳＦＥＴでは、膜厚１ｎｍ程度の下地膜１２およびその改質層である窒化層１２ａ、上記Ｈｉｇｈ−ｋ膜５およびその改質層である窒化層５ａの積層膜で成る第２ゲート絶縁膜１３が形成される。Ｈｉｇｈ−ｋ膜５は、ＨｆＳｉＯｘ、ＺｒＳｉＯｘ、ＨｆＡｌＯｘあるいはＺｒＡｌＯｘの絶縁膜が好適となる。 （もっと読む）

【課題】
しきい値電圧調整のためのイオン注入工程や半導体ウェハ表面に付着した異物を除去するための純水リンス処理を省略することなく、ゲート酸化膜の絶縁破壊耐圧の歩溜りの低下やゲート酸化膜の信頼性の低下といった不具合を改善する。
【解決手段】
シリコン基板２の表面にゲート酸化膜を形成する際や、レジストマスクを除去した後などは、シリコン基板２の表面の清浄化を行なう。シリコン基板２の清浄化は、純水リンス処理と各種洗浄液を用いた洗浄とを組み合わせて行なわれるが、特に、シリコン基板２の表面にゲート酸化膜が形成され、ゲート酸化膜が表面に露出した状態である場合では、シリコン基板２の表面に純水リンス処理を施した後の洗浄では洗浄液としてフッ酸を含む溶液を用いない。 （もっと読む）