【課題】応力膜（引張応力膜、圧縮応力膜）の膜厚をコンタクトホールの加工を阻害しない範囲で大きくして、チャネル領域に加える歪みを大きくでき、キャリア移動度の高いトランジスタを得る。キャリアトラップによるトランジスタ特性の劣化を回避する。
【解決手段】半導体基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ＬＤＤ構造のソース／ドレイン領域と、ソース／ドレイン領域上及びゲート電極の側面上に設けられた絶縁膜Ａと、絶縁膜Ａ上に設けられた応力膜と、ゲート電極の側面上に設けられた応力膜と接しないように絶縁膜Ａ及び応力膜内を貫通してソース／ドレイン領域に到達するコンタクトプラグと、を有するＭＯＳＦＥＴを備えたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高耐圧第二領域を設け、縦型パワーデバイスの高耐圧接合終端構造、集積回路ユニット間を分離する高耐圧接合終端構造、ｎチャネルまたはｐチャネルの高耐圧横型ＭＯＳＦＥＴの高耐圧接合終端構造などとし、配線が横切っても耐圧が低下せずに高耐圧が維持でき、かつ製造コストの低い高耐圧ＩＣを提供すること。
【解決手段】第一の出力配線６１と第二の出力配線６２下の電界強度を弱めるために、ＧＤＵ１を取り囲む第一の高耐圧接合終端構造ＨＶＪＴ１と、ＧＤＵ１内およびＬＳＵ内に形成される横型ＭＯＳＦＥＴを取り囲む第二の高耐圧接合終端構造ＨＶＪＴ２とが同一構造の高耐圧接合終端構造ＨＶＪＴで構成され、かつ一体となっている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を効果的に抑制するための技術を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にＰチャネル型ＴＦＴを有し、前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層のゲイト電極と重なる領域に、Ｐ型を付与する不純物元素が添加された第１の領域を有し、前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層は、前記第１の領域を囲むように設けられたＮ型の導電型の第２の領域を有する半導体装置を提供する。こうして、電流パスとなり易い箇所にエネルギー的に障壁の高い領域を形成してリーク電流の発生（ショートチャネルリーク）を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】金属酸化物膜３をゲート絶縁膜の少なくとも一部に用いた半導体装置であって、半導体基板１と金属酸化物膜との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜６が形成され、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜にフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれている。 （もっと読む）

【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にプラズマＣＶＤ法によってフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと界面活性剤の混合物に対するエッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎである二酸化珪素膜からなる下地膜を形成し、下地膜上に非晶質珪素膜を形成し、非晶質珪素膜を結晶化することによって面方位が概略｛１１１｝配向の結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜をエッチングすることによって島状半導体層を形成し、島状半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート長が異なっていても、均一な金属組成比のフルシリサイドゲート電極を備え、かつその金属組成比を容易に制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】異なるゲート長のポリシリコンゲート電極９，２９において、その上端の高さを等しく、かつサイドウオール２０よりも低く形成する。そして、ポリシリコンゲート電極９，２９を覆うように金属膜８を形成後、熱処理によりシリサイド化する。ポリシリコンゲート電極２１の上端の高さが、サイドウオール２０の上端の高さよりも低く形成されているので、微細なゲート長であってもシリサイド反応が加速されることなく、一次元的に進む。その結果、ゲート長が異なるポリシリコンゲート電極９，２９でも、均一な金属組成比のフルシリサイドゲート電極を安定して形成できる。 （もっと読む）

【課題】閾値を容易に調整できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００上においては、ＰＭＯＳトランジスタが形成されるべきＰＭＯＳ領域１３０とＮＭＯＳトランジスタが形成されるべきＮＭＯＳ領域１４０とが規定されている。ＰＭＯＳ領域１３０においてポリシリコン層１２０を選択的にエッチバックした後に、基板１００全面上に金属層２８０を形成する。そして、熱処理を施すことにより、ポリシリコン層１２０を全体的に金属層２８０とシリサイド反応させ、フルシリサイドゲート電極２９０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＦＵＳＩ化されたゲート電極を有する半導体装置においても、ストレッサ膜を有効に形成できるようにして、半導体装置の電気的特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成され、ニッケルによりフルシリサイド化されたフルシリサイドゲート電極２４Ａを有するｎ型ＭＩＳトランジスタ１００Ａと、ニッケルによりフルシリサイド化されたフルシリサイドゲート電極２４Ｂを有するｐ型ＭＩＳトランジスタ１００Ｂとを有している。半導体基板１上には、該半導体基板１におけるフルシリサイドゲート電極２４Ａの下側部分のチャネル領域に応力歪みを生じさせるストレッサ膜である第２の下地絶縁膜１７が、少なくともフルシリサイドゲート電極２４Ａを覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】深い拡散層及び浅い拡散層を有するソース・ドレイン領域と、金属シリサイドからなるゲート電極を有するＭＩＳ型トランジスタの形成。
【解決手段】ゲート絶縁膜、第１ゲート電極膜、第１絶縁膜、第２ゲート電極膜からなるゲート電極を形成し、ゲート電極及びゲート電極の側部に形成した第１側壁をマスクにイオン注入し第１拡散層を形成する。第１側壁を除去後、ゲート電極の側部に第２側壁１３を形成し、ゲート電極及び第２側壁をマスクにイオン注入して第２拡散層を形成する。第２ゲート電極膜上に第１金属膜を形成し、反応させ第２ゲート電極膜を第１反応層とする。ゲート電極上の第１反応層を除去し、層間絶縁膜２１を形成後、ゲート電極の第１ゲート電極膜の上面が露出するまで平坦化する。第２金属膜を形成し、第１ゲート電極膜と反応させ、第１ゲート電極膜をゲート絶縁膜に接する部分まで第２反応層６ａとする。 （もっと読む）

【課題】均一なシリサイド相を有するＦＵＳＩゲート電極を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンゲート２０２を含む基板全面上にＮｉ膜２０５を堆積後、ＣＭＰ処理等によってシリコンゲート２０２の一部を除去し、上面が平坦で膜厚が均一なＮｉ層２０６をシリコンゲート２０２の直上に残す。続いて、シリサイド反応を行わせることにより、均一なシリサイド相を有するゲート電極２０７を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域が定義された半導体基板２１０上にゲート電極パターンを形成した後、その上に層間絶縁膜を形成してから、層間絶縁膜のうち活性領域上に置かれた部分をエリアタイプでエッチングしてゲート電極パターン両側に自己整列方式でコンタクトホールを形成し、次いで、このコンタクトホールを通じてイオン注入を実施してソース／ドレイン領域２４０を形成する半導体素子の製造方法。これにより、熱的負担によりソース／ドレイン領域プロファイルが影響される問題がなく、イオン注入マスク用のフォトレジストパターン形成工程の回数を減らして工程の単純化を図れ、プラグ効果によるトランジスタの特性変動を減少させうる。 （もっと読む）

【課題】Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとＮチャネル型の薄膜トランジスタを有する構成において、要求される特性を満足する構造を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたチャネル領域を有する結晶性シリコン膜と、結晶性シリコン膜を覆って形成された酸化珪素膜からなる第１のゲイト絶縁膜と、第１のゲイト絶縁膜上に形成された窒化珪素膜からなる第２のゲイト絶縁膜と、第１および第２のゲイト絶縁膜を介してチャネル領域上にテーパー状に形成されたゲイト電極と、第１のゲイト絶縁膜、第２のゲイト絶縁膜およびゲイト電極を覆って形成された層間絶縁膜と、によって薄膜トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好で、かつ高信頼性のＴＦＴを作製する。
【解決手段】基板上に、ＳｉＨ_４とＮ_２Ｏを用いて絶縁膜を形成し、絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜上に、ＳｉＨ_４とＮ_２Ｏを用いてゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することにより、電気的特性が良好で、かつ高信頼性のＴＦＴを作製することを可能にする。また、このようなＴＦＴを用いた半導体装置の信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に低コストで信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に形成された下地膜と、下地膜上に形成されたＮチャネル型薄膜トランジスタ及びＰチャネル型薄膜トランジスタを有し、Ｎチャネル型薄膜トランジスタはドレイン領域及びチャネル形成領域の間にＬＤＤ領域が設けられた第１の結晶性珪素膜を有し、Ｐチャネル型薄膜トランジスタはチャネル形成領域に接してドレイン領域が設けられた第２の結晶性珪素膜を有し、ガラス基板、下地膜、第１の結晶性珪素膜及び第２の結晶性珪素膜はゲイト絶縁膜に覆われている。 （もっと読む）

【課題】ドレイン側のポケット領域とＬＤＤ領域との間のオフセット距離のばらつきを低減できるＭＯＳ型半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の表面に形成したフィールド絶縁膜１２の素子孔内にゲート絶縁膜１４を形成した後、絶縁膜１４及び１２の上にドープトポリシリコン等からなるゲート電極層１６及びキャパシタ用電極層１８をそれぞれ形成する。絶縁膜１２及び電極層１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極層１６，１８を覆ってキャパシタ用絶縁層２６をＣＶＤ法等により形成する。絶縁層２６を介してのイオン注入処理により低濃度ソース、ドレイン領域２８，３０を形成する。ポケット領域２２とＬＤＤ領域３０との間のオフセット距離Ｌは、絶縁層２６の厚さに対応して精度良く決定される。サイドスペーサ形成処理の後、高濃度ソース，ドレイン領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板バイアス電圧を印加することなく、正確且つ確実な低温動作を実現する構成を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る電界効果トランジスタは、３００Ｋ以下の温度条件で動作することが想定された電界効果トランジスタであって、４．０５未満の仕事関数ＷＦｎを有するゲート電極材により形成されたゲート電極を備えているｎチャネル電界効果トランジスタを含むものである。また、本発明の実施の一形態に係る電界効果トランジスタは、５．１７を超える仕事関数ＷＦｐを有するゲート電極材により形成されたゲート電極を備えているｐチャネル電界効果トランジスタを含み得るものである。 （もっと読む）

【課題】 ポリシリコンからなるゲート電極の空乏化を防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】 半導体基板に形成された第１の導電型のウェル領域と、ウェル領域の表面近くに形成された、第１の導電型とは反対の導電型である第２の導電型のソース・ドレイン領域と、ウェル領域上に形成された、金属酸化物からなるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された、第１の導電型のポリシリコンからなるゲート電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性に優れた半導体装置を提供する。また、低温でゲートリーク電流量を小さくすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１の上には、第１の絶縁膜５と、窒素を含む第２の絶縁膜６とからなるゲート絶縁膜が形成されている。また、ゲート絶縁膜の上にはゲート電極８が形成されている。そして、ゲート絶縁膜およびゲート電極８の側壁部には、第２の絶縁膜６に含まれる窒素濃度よりも高濃度の窒素を含むシリコン酸窒化膜１１が形成されており、第２の絶縁膜６とシリコン酸窒化膜１１が接触するゲート電極８の下端部付近での窒素濃度は周囲の窒素濃度よりも高くなっている。第２の絶縁膜６は５ａｔｍ％〜２０ａｔｍ％の濃度の窒素を含むことが好ましく、シリコン酸窒化膜１１は、第２の絶縁膜６に含まれる窒素濃度の１．１倍〜２．０倍の窒素を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。
【解決手段】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。さらに、シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を製造する方法も提供する。 （もっと読む）