【課題】 自己整合的に基板のコンタクト部をユニバーサルコンタクトホール内に形成できる半導体装置の製造方法及びこれにより形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜１２にユニバーサルコンタクトホール１０開口し、サリサイド層７を除去して底面にソース領域３を露出させた後、ユニバーサルコンタクトホール１０から半導体基板１００に第１導電型（Ｐ型）不純物を注入して底面に露出するソース領域３を基板領域と同じ導電型の第１導電型領域５にする。ユニバーサルコンタクト１６は、ユニバーサルコンタクトホール１０の側面に露出するサリサイド層７を介してソース領域３に電気的に接続されている。基板領域とソース領域のコンタクトの位置関係が一定となりソース領域における電流の不均衡が解消される。 （もっと読む）