円形コアファイバーからの信号ビームを断面方形のコアファイバーに結合するカプラ及び方法であって、当該カプラ及び方法は、一端において高アスペクト比断面を有するとともに他端において円形の断面を有する光コアを備え、円形の断面を有する信号ビームを受信する光カプラを提供する。この信号ビームは、伝播中に前記信号ビームの寸法及び拡散を維持しつつ、当該円形のファイバーから当該断面方形のコアファイバーに狭い速軸方向において伝播される。広い遅軸方向において円形の断面端から方形コア断面端へコリメートされたビームを生成する一方、前記信号ビームの寸法は拡大される。
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半導体構造体は、基板（１２）と、基板を覆うシード層（１３）と、シード層上に配置されるシリコン層（２２）と、シリコン層中のトランジスタデバイス（２７）と、シード層上に配置されるＩＩＩ−Ｖ族デバイスと、複数の電気コンタクトと、を備え、それぞれの電気コンタクトは、ＴｉＮまたはＴａＮの層（３２）と、ＴａＮまたはＴｉＮの層上の銅またはアルミニウムの層（３４）と、を備え、電気コンタクトの１つは、トランジスタ（２７）に電気的に接続され、電気コンタクトの別の１つは、ＩＩＩ−Ｖ族デバイスに電気的に接続される。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

光は、第１の動作フェーズ中に受け取られる上記光の光・周波数変換を行うことにより、電気信号に変換される。第１の動作フェーズに続き、第２の動作フェーズ中に受け取られた光に対して光・時間変換が行われる。第２の動作フェーズに続き、光のディジタル表現が、光・周波数変換及び光・時間変換に応じて生成される。
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中心部が穿孔されている固体燃料グレインを含む固体燃料ロケットモータが開示されている。通常動作モード中に一次点火薬によって点火された場合に、中心穿孔部に面している中心表面から外に向かって燃えるように、固体燃料グレインを構成することができる。更に、安全動作モード中に二次点火薬によって点火された場合に、端部面から長手方向に燃えるように、固体燃料グレインを構成することができる。 （もっと読む）

方法は、１つ以上の検出器に関連する平均電流に基づき信号電流を決定する段階を含む。該方法は、前記信号電流に基づきストリップ電圧を決定する段階も含む。該方法は、さらに、前記ストリップ電圧でストリップ抵抗をバイアスする段階を含む。前記ストリップ抵抗のバイアスによりストリップ電流が生じる。該方法は、付加的に、検出器電圧で検出器アレイをバイアスする段階を含む。前記検出器アレイのバイアスにより検出器電流が生じる。該方法は、前記ストリップ電流と検出器電流とに基づき、シーンから入射する放射のレベルを決定する段階も含む。
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多段式超高速運動エネルギーミサイル（ＨＶＫＥＭ）が、第１段の飛行ミサイルと、ＫＥロッド徹甲弾を含む第２段のキルミサイルとを備える“ミサイルインミサイル”アーキテクチャをＨＶＫＥＭは使用する。ミサイルがターゲットに接近するまで、推進薬（重量）を節約して使用し、効果的な誘導および操縦を可能にするために、飛行ミサイルは、相対的に遅い速度（マッハ１．５より遅く、典型的にはマッハ１より遅い）において巡航する。ミサイルがＫＥロッド徹甲弾の致死距離内に入ったときに、１秒より短い間にターゲットに衝撃を与えるために、キルミサイルは、分離し、より速い速度（マッハ３より速く、典型的にはマッハ５より速い）にブーストし、無誘導で飛行する。“最後の１秒”までＫＥロッドをブーストすることを待つことにより、ＫＥロッドをターゲット上に送出するために必要とされる総推進薬（重量）を減少させ、誘導を簡単にする。 （もっと読む）

一態様における方法は、第１熱伝導率を有する第１ダイアモンド層と、第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率を有する第２ダイアモンド層とを有する窒化ガリウム（ＧａＮ）層を製造するステップを含む。この製造するステップは、第２ダイアモンド層を第１ダイアモンド層上に堆積させるために、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いるステップを含む。 （もっと読む）

一態様における方法は、デバイスの製造を含む。このデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、このＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。他の態様におけるデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、ＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。 （もっと読む）

スピン安定発射体は、発射体の前後軸を中心とした内部質量の逆回転により、その進路が制御される。内部質量は、発射体の外部ボディの空洞内にあるブームであってもよい。内部質量は、外殻に対して傾斜可能であり、外殻の軸を中心に、外殻に対して逆回転するように構成されていてもよい。逆回転により、発射体の外側の（スピンしていない）環境に対して、実質的に同じ向きにブームを保つことができる。したがって、発射体の外殻に迎え角を与えることにより、発射体を操縦するために、発射体内のブームまたは他の重量のポジショニングを使用することができる。磁気システムを使用して、ブームまたは他の重量を逆回転させてもよい。発射体は、所望の照準点に向けて発射体を操縦することを支援するレーザ誘導システムを有していてもよい。 （もっと読む）