アレスターは、絶縁材料で作られた、少なくとも一つの細長い外側の第一ハウジング（１１）と；第一ハウジングの互いに反対側の端にある一対の電気端子（１２，１３）と；第一ハウジングの中に配置され、これらの電気端子の間に直列経路を形成する電気的コンポーネント（１４）のアレイと；当該アレスターに沿って実質的に均一な電圧勾配を作り出すための電圧勾配緩和装置（１５）と；を含んでいて、この電圧勾配緩和装置は、（ i）細長い外側の第二ハウジング（１７）、及び、（ii）外側の第二ハウジングの中に配置されたキャパシタ回路（２０）を有し、この外側の第二ハウジングは、外側の第一ハウジングの外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ガイド手段なしで座屈や揺動を起こさない安定したスプリング装置を提供する。
【解決手段】スプリング駆動ユニット２のためのスプリング装置１は、スプリング３，４とプルロッド５，６を有し、このプルロッドは、第一のプルロッド端部１１でスプリングの第一のスプリング端部８に接続され、反対側の第二のプルロッド端部で前記スプリング駆動ユニットの回転シャフトに接続される。また、フレーム・プレート７を有し、このフレーム・プレートに対して、スプリングの第二のスプリング端部９が取り付けられ、また、このフレーム・プレートには、開口が設けられ、この開口を通って、前記プルロッドが伸びて、前記シャフトに接続される。スプリングのパラメータは、動作中にスプリングが安定するように、前記スプリング駆動ユニットの動作条件に応じて選択される。 （もっと読む）

高速度スイッチング応用のためのダイオード1は第１の主面21とその第１の主面21と反対側の第２の主面22とを有する第１の導電型の第１の層2と、第２の主面22上に位置される第２の導電型の第２の層3と、第１の層2よりも高いドーピング濃度を有する第１の導電型の複数の第１のゾーン4と、第２の導電型の複数の第２のゾーン5とを具備し、それらの両ゾーンは第１の主面21上で交互に配置されている。第１の金属層6はゾーンのその面上の第１及び第２のゾーン4、5の上に配置され、第１の層2と反対側に存在し、第２の金属層7は第２の層3のその面上の第２の層3の上に配置され、第１の層2と反対側に存在する。第１の層2は、第１の層2の第１の主面部により形成される第１のサブ層23と、第１の層2の第２の主面部により形成される第２のサブ層24とを具備している。第１の導電型の第３の層8は第１と前記第２のサブ層23、24の間に構成される。この第３の層（8）は前記第１の層2よりも高いドーピング濃度及び前記第１のゾーン4よりも低いドーピング濃度を有する。 （もっと読む）

ゲート電極として形成された第七のレイヤ（７，７’）と、エミッタ側（１０１）の第一の電気的接点（８）と、エミッタ側（１０１）の反対側のコレクタ側（１０２）の第二の電気的接点（９）と、を備えた逆導電半導体デバイス（逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＲＣ−ＩＧＢＴ）（１０）とも呼ばれる）を製造するための方法のために、第一の側（１１１）及び第一の側（１１１）の反対側の第二の側（１１２）を備えた第一の導電性タイプのウエーハ（１１）が、用意される。コレクタ側（１１２）でＲＣ−ＩＧＢＴ（１０）を製造するために、以下の工程が実施される：第一の導電性タイプまたは第二の導電性タイプの少なくとも一つの第三のレイヤ（３）、または、第三のレイヤ（３）と同一の導電性タイプであり且つ連続するレイヤである第一のレイヤ（３２）が、第二の側（１１２）に作り出される。その後で、第三のレイヤと異なる導電性タイプ（３）の少なくとも一つの第二のレイヤ（２）が、第二の側（１１２）に作り出され、前記少なくとも一つの第二のレイヤ（２）と第三のレイヤ（３）は、完成後のＲＣ−ＩＧＢＴの中で交互に配置される。その後で、第二の電気的接点（９）が、第二の側（１１２）に作り出され、この第二の電気的接点は、前記少なくとも一つの第二のレイヤ（２）及び第三のレイヤ（３）に対して直接電気的に接触する状態にある。シャドウ・マスク（１２）が第二の側（１１２）の上に付けられ、その後で、前記少なくとも一つの第三のレイヤ（３）が、このシャドウ・マスク（１２）により作り出され、または、第一のレイヤ（３２）が第二の側（１１２）に作り出され、その後で、シャドウ・マスク（１２）が第一のレイヤ（３２）の上に付けられ、そして、少なくとも一つの導電性のアイランド（９１）が、このシャドウ・マスク（１２）により作り出され、この導電性のアイランドは、完成後の逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタにおいて、第二の電気的接点（９）の部分になる。前記少なくとも一つの導電性のアイランド（９１）が、前記少なくとも一つの第二のレイヤ（２）を作り出すためのマスクとして使用され、第一のレイヤ（３２）の、導電性のアイランド（９１）により覆われた部分が、前記少なくとも一つの第三のレイヤ（３）を形成する。 （もっと読む）

ゲート電極として形成された第七のレイヤ（７，７’）と、エミッタ側（１０１）の第一の電気的接点（８）と、エミッタ側（１０１）の反対側のコレクタ側（１０２）の第二の電気的接点（９）と、を備えた逆導電半導体デバイス（ＲＣ−ＩＧＢＴ）（１０）を製造するための方法のために、第一の側（１１１）及び第一の側（１１１）の反対側の第二の側（１１２）を備えた第一の導電性タイプのウエーハ（１１）が、用意される。コレクタ側（１１２）にＲＣ−ＩＧＢＴ（１０）を製造するために、以下の工程が実施される。第一の導電性タイプまたは第二の導電性タイプの第一のレイヤ（３２）が、第二の側（１１２）に作り出される。開口（１２１）を備えたマスク（１２）が、第一のレイヤ（３２）の上に作り出され、第一のレイヤ（３２）の、マスク（１２）の開口（１２１）が配置された部分が取り除かれ、第一のレイヤ（３２）の残りの部分が、第三のレイヤ（３）を形成する。 その後で、第三のレイヤと異なる導電性タイプ（３）の第二のレイヤ（２）を製造するために、イオンが、第二の側（１１２）でウエーハ（１１）の中に、ウエーハ（１１）の、前記少なくとも一つの開口（１２１）が配置された部分に注入される。次いで、マスク（１２）が取り除かれ、第二のレイヤ（２）を活性化するためのアニール工程が実施され、第二のレイヤ（２）及び第三のレイヤ（３）に対して直接電気的に接触する状態にある第二の電気的接点（９）が、第二の側（１１２）に作り出される。 （もっと読む）

逆導電絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタを製造するための方法であって、下記の工程を有している：第一の側、及び第一の側の反対側の第二の側を備えた、第一の導電性タイプのウエーハの上で、第二の導電性タイプの第二のレイヤ、及び第二のレイヤにより周囲を取り囲まれた第一の導電性タイプの少なくとも一つの第三のレイヤが、第一の側の上に作り出され、完成されたＲＣ−ＩＧＢＴにおいて修正されないドープ濃度を有しているウエーハの部分が、第一のレイヤを形成する。その後で、第五の電気的に絶縁性のレイヤが、第一の側の上に作り出され、この第五のレイヤは、前記少なくとも一つの第三のレイヤ、第二のレイヤ及び第一のレイヤを部分的に覆う。導電性の第四のレイヤが、第一の側の上に作り出され、この第五のレイヤは、第五のレイヤによりウエーハから電気的に絶縁され、前記少なくとも一つの第三のレイヤ、第四のレイヤ及び第五のレイヤは、それらが、第二のレイヤの上方に第一の開口を形成するように作り出される。第一の電気的接点が第一の側の上に作り出され、この第一の電気的接点は、第二のレイヤ及び第三のレイヤと直接電気的に接触する状態にある。第二の導電性タイプの少なくとも一つの第六のレイヤ、及び第一の導電性タイプの少なくとも一つの第七のレイヤが、第二の側の上に作り出され、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤは、一平面内に交互に配置される。第二の電気的接点が、第二の側の上に作り出され、この第二の電気的接点は、前記少なくとも一つの第六及び第七のレイヤと直接電気的に接触する状態にある。第四及び第五のレイヤを作り出した後、欠陥レイヤとして形成される第九のレイヤが、少なくとも第四及び第五のレイヤを第一のマスクとして用いて、第一の開口を介して、第一の側へのイオンのインプランテイションより作り出される。 （もっと読む）

高電圧又は中電圧の構成要素のための温度監視装置が、監視される構成要素の温度に依存している機械的信号を発生させる変換器（１）を有する。機械的信号は、例えばロッドの形態であり電気的に絶縁している伝達要素（３）により、この伝達要素から動きセンサ（２）へと伝達される。伝達要素（３）は、電気的に絶縁している中空体（９）中に効果的に配置されている。このデザインは、動きセンサ（２）が高電圧から絶縁されることを可能にする。この装置は、堅固な構成要素からなり、長寿命である。
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本発明は、液圧スプリング負荷式駆動装置に係り、この装置は、ワーキング・シリンダ・ハウジング（１２）の中に配置されたワーキング・シリンダと；少なくとも一つの予荷重が与えられたスプリング（１０）と；それぞれボア（３２）の中に摺動可能な状態で配置された少なくとも二つの圧力ピストン（３４）と；ワーキング・シリンダ・ハウジング（１２）の周りに同軸上に配置された圧力ボディ（１６）と；を有し、前記予荷重が与えられたスプリング（１０）は、前記ボア（３２）の中にある流体に、前記圧力ボディ（１６）及び前記圧力ピストン（３４）を介して、圧力をかける。ガイドリング（１４）が、前記圧力ボディ（１６）と前記ワーキング・シリンダ・ハウジング（１２）の間に、径方向に配置され、それによって、前記予荷重が与えられたスプリング（１０）が伸張状態の間及び解放されている間、前記ガイドリング（１４）に軸方向の力が掛からない状態にあるように、且つ、前記予荷重が与えられたスプリング（１０）に予め張力が負荷されたとき、前記圧力ボディ（１６）に軸方向の力が掛からない状態にあるようになっている。 （もっと読む）

【課題】比較的高い電圧の電力供給システムにおいても複数のスイッチングを可能にする閉鎖抵抗装置又は高電圧サーキット・ブレーカーを提供する。
【解決手段】高電圧サーキット・ブレーカのための閉鎖抵抗装置１８であって、多数の抵抗要素７０及び多数の冷却要素６０を有している。前記冷却要素６０は、互いに直列に配置され、且つ互いに直列に電気的に接続されている。前記抵抗要素７０は、前記電気的な冷却要素６０を互いに電気的に接続するものであって、直列に配置された二つの冷却要素６０の間に、それぞれ、接続されている。 （もっと読む）

コントロールド・パンチ・スルー半導体デバイス（１）であって、異なる導電性タイプのレイヤを有する４層構造を備え、コレクタ側（２１）にコレクタ（２）を、コレクタ側（２１）の反対側にあるエミッタ側（３１）にエミッタ（３）を有する半導体デバイスが作り出される。この半導体デバイスを製造するためのステップは、以下の順序で実行される：第一の導電性タイプのウエーハ上で、エミッタ側（３１）レイヤを作るためのステップが実行され；次いで、ウエーハがその第二の側で薄くされ；次いで、第一の導電性タイプの粒子が、コレクタ側（２１）で、第一のバッファ・レイヤ（５）を形成するための第一の導電性タイプの粒子のインプランテイションまたは堆積により、ウエーハに付着され、ここで、第一のバッファ・レイヤ（５）は、第一の深さ（５１）に第一のピーク・ドープ濃度（５２）を有し、この濃度は、ウエーハのドープ濃度と比べて高く；次いで、第二の導電性タイプの粒子が、ウエーハの第二の側で、コレクタ・レイヤ（６）を形成するためのインプランテイションまたは堆積により、ウエーハに付着され；次いで、コレクタ・メタライゼイション（７）が、第二の側に形成される。何れのステージにおいても、第一の導電性タイプの粒子が、ウエーハの第二の側で、第二のバッファ・レイヤ（８）を形成するための粒子のインプランテイションにより、ウエーハに付着される。第二のバッファ・レイヤ（８）は、第二の深さ（８１）に、第二のピーク・ドープ濃度（８２）を有し、この濃度は、第一のバッファ・レイヤ（５）の第一のピーク・ドープ濃度（５２）と比べて低いが、ウエーハのドープ濃度と比べて高い。最小ドープ濃度（９２）を有する第三のバッファ・レイヤ（９）が、第一の深さ（５１）と第二の深さ（８１）の間に配置され、この濃度は、第二のバッファ・レイヤ（８）の第二のピーク・ドープ濃度（８２）と比べて低い。粒子を付けるための何れのステージにおいても、第一のバッファ・レイヤ（５）、第二のバッファ・レイヤ（８）および／またはコレクタ・レイヤ（６）を形成するための熱処理が実行される。 （もっと読む）