半導体モジュール（１）は、ベース・プレート（２）と；このベース・プレート（２）の上に取り付けられた少なくとも一つの半導体チップ（３）と；このベース・プレート（２）に固定され且つ前記少なくとも一つの半導体チップ（３）の回りを取り囲むケース（４）と；前記少なくとも一つの半導体チップ（３）の上を覆う電気的絶縁性ゲル・レイヤ（５）と；このゲル・レイヤ（５）の上面の上の熱硬化性樹脂レイヤ（６）と；この熱硬化性樹脂レイヤ（６）の上面の上の蓋（７）と；を有している。この蓋（７）は、蓋の延長部（７３）を有していて、この蓋の延長部は、蓋の開口部（７１）を規定し、この蓋の開口部は、前記熱硬化性樹脂レイヤ（６）の中を通って前記ゲル・レイヤ（５）まで伸び、且つ、この蓋の開口部（７１）によって、ゲルが膨張することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】低い漏洩速度を有する高電圧インシュレータを提供する。
【解決手段】高電圧インシュレータＨは、同軸の配置で、以下の要素を含む：ベアリング・リング１０の形態の末端部を備えた絶縁チューブ１；前記ベアリング・リング１０に保持された中空金属接片２；接着ジョイント５１；キャビティ１５。少なくとも一つの主として径方向にガイドされた接着剤のチャネル５０が、前記キャビティ１５と前記接着ジョイント５１の間に配置され、この接着剤のチャネル５０は、硬化された接着剤でシールされ、且つ、硬化された接着層の形成に先立って、未硬化の接着剤を、前記キャビティ１５から前記接着ジョイント５１の中にガイドするために十分な断面を有している。 （もっと読む）

本発明は、金属密閉型のガス絶縁式高電圧スイッチギアに係る。このガス絶縁式高電圧スイッチギアは、少なくとも一つのバスバー、及び水平方向に配置された少なくとも三つの相が隔離されたサーキット・ブレーカ（１１，１２，１３）を有している。前記少なくとも一つのバスバーは、三相の密閉されたバスバー・ハウジング（５１）の中に配置されている。これに対して、少なくとも一つの三相接続フランジ（６１）が取り付けられたバスバー細分轄モジュール（３１，３３，１１０）、及び三つの単相接続フランジ（４１，４２，４３）が、サーキット・ブレーカ（１１，１２，１３）をバスバー・ハウジング（５１）に接続するために設けられている。少なくとも一つの三相フランジ（６５，６８）及び三つの単相接続フランジ（４４，４５，４６）を有するフィーダー細分轄モジュール（３２）が、サーキット・ブレーカ（１１，１２，１３）を三相の密閉されたフィーダー・ハウジング（７１）に接続するために設けられていて；前記バスバー細分轄モジュール（３１，３３，１１０）、及び前記フィーダー細分轄モジュール（３２）は、前記単相接続フランジ（４１，４２，４３，４４，４５，４６）が下側に向くように配置されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ガス絶縁型スイッチギア・アセンブリのハウジングにより、容易に固定されることが可能なインシュレータを規定することにある。
【解決手段】 本発明は、ガス絶縁型スイッチギア・アセンブリのハウジングの中のガス・チャンバの中で、電気的コンダクタの位置決めをするためのインシュレータ（１）に係り、このインシュレータは、電気的コンダクタを貫通させるための少なくとも一つの切除部を備えた電気的に絶縁性のディスク形のキャリア要素（２）を有している。クランプ要素（１２）を収容するための少なくとも一つのノッチ（４）が、少なくとも一つのポイントで、キャリア要素（２）の外周に配置されている。 （もっと読む）

【課題】小形で、駆動エネルギーを効率よく使用できるダブルの駆動機構を有するサーキットブレーカを提供する。
【解決手段】電気的サーキット・ブレーカ１は、スイッチング軸３に沿う第一の移動範囲に移動されることが可能であり、且つアーキング・コンタクト１２を有する第一のコンタクト・ピース１０と；前記スイッチング軸３に沿って移動可能で、且つ更なるアーキング・コンタクト２２を有する第二のコンタクト・ピース２０と；第一のコンタクト・ピース１０を移動させるための駆動機構と；第一のコンタクト・ピース１０の移動を第二のコンタクト・ピース２０へ伝達するためのギア２と；を有している。前記ギア２は、前記第一の移動範囲内での第一のコンタクト・ピース１０の移動の間に、前記ギア２により出力駆動側で通過される第一の死点を有している。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度を増大させることおよび／または要求される駆動操作のエネルギーを減少させることを可能にする。
【解決手段】サーキット・ブレーカは、パファー・ボリューム９、及びガスの膨張によりパファー・ボリューム９内へのガスの流れを可能にするように構成された少なくとも一つの充填バルブ１６を有している。閉鎖部材１８は、パファー・ボリューム９から出るガスの流れと反対の方向にバイアスされ、それにより、パファー・ボリューム９の中に蓄積された圧力が所定の閾値よりも低く留まっている間、前記充填バルブ１６が開いたまま留まることになる。これは、低電流スイッチング条件の下でパファー・ボリューム９の中の圧力を低く維持することを可能にし、それにより、絶縁ノズル内の超音速流れの傾向を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 電気的スイッチング・デバイスのための電気的コンタクト・システム（１）を提供する。
【解決手段】 このシステムは、二つのコンタクト・ユニット（１０，２０）を有しており、このシステムにおいて、電気的接触が形成されるときに、コンタクト・ユニット（１０）とコンタクト・ユニット（２０）の間に、接触力が作用する。ここで、手段（１３，１４，１５，１８）が、接触力を作用させるために設けられ、また、第一のコンタクト・ユニット（１０）が、第二のコンタクト・ユニット（２０）から切り離されることが可能である。前記手段（１４，１５，１８）は、それらが、前記手段（１４，１５，１８）の温度の上昇につれて接触力の増大をもたらす熱膨張効果を有することにより、区別される。 （もっと読む）

電力半導体デバイス（１）は、第一の導電タイプの第一のレイヤ（２）を有し、この第一のレイヤは、第一のメイン・サイド（２１）、及び第一のメイン・サイド（２１）とは反対側の第二のメイン・サイド（２２）を有している。第二の導電タイプの第二のレイヤ（３）が、第一のメイン・サイド（２１）の中央領域の中に配置され、第四の導電性レイヤ（４）が、この第二のレイヤ（３）上に配置されている。第二のメイン・サイド（２２）上には、第一の導電タイプで、第一のレイヤ（２）と比べて高いドーピングを備えた第一のゾーン（５１）を備えた第三のレイヤ（５）が配置され、それに続いて第五の導電性レイヤ（６）が配置されている。第二のレイヤ（３）と第一のゾーン（５１）の間の領域は、アクティブ領域（９）を規定している。第三のレイヤ（５）は、第二の導電タイプの少なくとも一つの第二のゾーン（５２）を有していて、この第二のゾーンは、第一のゾーン（５１）と同一の平面内に配置されている；第一の導電タイプで、第一のゾーン（５１）のドーピングと比べて低く、且つ第一のレイヤ（２）のドーピングと比べて高いドーピングを備えた第六のレイヤ（１０）が、前記少なくとも一つの第二のゾーン（５２）と第一のレイヤ（２）の間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 スイッチオン閾値を決定するための方法およびこの方法を実行するための電子回路配置を提供することである。
【解決手段】 本発明は、第１の電圧レベルを有する入力電圧信号（４０１）を第２の電圧レベルを有する出力信号（４０２）にコンバートするための電子回路配置を提供する。出力ユニット（２０３）が電子回路配置の出力で出力信号（４０２）を出力するために配置される一方、入力ユニット（１０１）は、第１の電圧レベルで入力電圧信号（４０１）を入力するために提供される。閾値比較ユニット（１０４）は、入力信号（１０１）の第１の電圧レベルをスイッチオン閾値（４０４）と比較するために役に立つ。 （もっと読む）

ＨＶＤＣシステムで電圧源変換器CON1;CON2を制御する方法は、電圧源変換器CON1;CON2に接続されているＡＣネットワークN1;N2の状態と独立して電圧源変換器CON1;CON2により発生されたＡＣ電圧UV1;UV2の周波数及び電圧振幅を制御するステップを含んでいる。この方法はＨＶＤＣシステムの制御装置により行われる。特別な実施形態では、方法はＡＣネットワークが送電線を具備し少なくとも２つのＡＣ発電所に接続され、少なくとも２つのＡＣ発電所の一方がＨＶＤＣシステムを介してＡＣネットワークに接続されているＡＣネットワークをブラックスタートする方法の基礎を形成している。 （もっと読む）