４層ｎｐｎｐ構造、カソード面１１およびアノード面１２があり、ゲート電極４を介してターンオフできるパワー半導体デバイス１。カソード電極２とアノード電極３との間に以下の順で複数の層が配置される。−外側縁によって囲まれ、中央領域がある第１導電型カソード層５、カソード層５はカソード電極２と直接の電気的コンタクトにある，−第２導電型ベース層６，−カソード層５よりも低いドーピング濃度を有する第１導電型ドリフト層７、アノード電極３と電気的コンタクトにある第２導電型アノード層８。ゲート電極４は、カソード面１１上にカソード電極２の横に配置され、ベース層６と電気的コンタクトにある。ベース層６は、カソード層５の中央領域に接触している、連続的な層としての、第１の深さに最大ドーピング濃度がある少なくとも１つの第１の層６１を具備する。第１の層６１よりも高いドーピング濃度を有し、第１の層６１とカソード層５との間に配置され、第１の層６１のほうを向いているカソード層５の外側縁をカバーする第２導電型抵抗減少層１０，１０’，１０’’、この中でカソード層５の外側縁とベース層６との間の接合での抵抗が低減される。 （もっと読む）

【課題】マスキング技術を用いることなく、ＲＣ−ＩＧＢＴまたはＢＩＧＴなどのような半導体デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＲＣ−ＩＧＢＴまたはＢＩＧＴなどのような半導体デバイスは、半導体基板７の同じ側に、第一の導電性タイプのドーパントでドープされた部分領域１５、及び第二の導電性タイプのドーパントでドープされた領域１３の両方を有している。この方法は、（ａ）パターンが形成される表面３に、第一の導電性タイプのドーパントを注入し、第二の導電性タイプのドーパントを注入する、（ｂ）パターンが形成される表面の部分領域１５をレーザ・アニーリングで使用されるものと同様なレーザ・ビームで局所的に加熱することにより、第一の導電性タイプのドーパントを局所的に活性化する、（ｃ）第一の温度より低い第二の温度まで、基板７を加熱することにより、第二の導電性タイプのドーパントを活性化することで構成される。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＤＣリンクの電圧源変換器を制御し、故障したＡＣネットワークのより安定な付勢を可能にする方法及びシステムを提供する。
【解決手段】電圧源変換器ＣＯＮ１とＣＯＮ２を制御する方法は、電圧源変換器ＣＯＮ１とＣＯＮ２に接続されているＡＣネットワークＮ１とＮ２の状態と独立して電圧源変換器ＣＯＮ１とＣＯＮ２により発生されたＡＣ電圧ＵＶ１とＵＶ２の周波数及び電圧振幅を制御するステップを含んでいる。この方法はＨＶＤＣシステムの制御装置により行われる。 （もっと読む）

【課題】ファストリカバリーダイオードの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】カソード側２３およびカソード側２３と反対のアノード側２４を備えた第１の導電型のベース層２を具備するファストリカバリーダイオード１において、第１の深さおよび第１の最大のドーピング濃度を備えた第２の導電型のアノードバッファ層４１が、アノード側２４に配置される。さらに、第１の深さより深い第２の深さおよび第１の最大のドーピング濃度より高い第２の最大のドーピング濃度を備えた第２の導電型のアノードコンタクト層４２が、アノード側２４に配置される。ブレークダウン電圧においてアノード接合の空間電荷領域は、第１および第２の深さの間の第３の深さに置かれる。第２および第３の深さの間には、欠陥ピークを備えて配置された欠陥層４３がある。 （もっと読む）

【課題】ファストリカバリーダイオードを提供する。
【解決手段】ドーピングプロファイルを有するアノード層５は、少なくとも２つのサブレイヤ５１、５２を具備する。最初のサブレイヤ５１は、２＊１０^１６ｃｍ^−３および２＊１０^１７ｃｍ^−３の間に、他のどのサブレイヤ５２より高いドーピング濃度を有する。最後のサブレイヤ５２は、最後のサブレイヤ深さ５２０を有し、９０から１２０μｍの間にある。アノード層のドーピングプロファイルは、５＊１０^１４ｃｍ^−３および１＊１０^１５ｃｍ^−３の範囲内のドーピング濃度が、少なくとも２０μｍと最大５０μｍとの間に達するように、傾斜濃度を有する。ドーピング濃度のそのようなプロファイルは、少なくとも２つのサブレイヤ５１、５２として、アルミニウム拡散層を使用することにより達成される。 （もっと読む）

絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）またはダイオードなどの最大パンチスルーの半導体装置（１）、及びそれを製造するための方法が提案される。このＭＰＴ半導体装置（１）は、少なくとも二層構造を有していて、以下の順序で、複数のレイヤを有している：エミッタ・メタライゼイション（３）、チャネル領域（１０）、所定のドーピング濃度Ｎ_Ｄを備えたベース・レイヤ（４）、バッファ・レイヤ（５）、及び、コレクタ・メタライゼイション（７）。ベース・レイヤの厚さＷは、式（１）により決定され： Ｗ＝（Ｖ_bd＋Ｖ_pt）／｛４０１０・ｋＶｃｍ^-5/8 ・（Ｎ_Ｄ）^1/8 ｝・・・（１） ここで、半導体装置のパンチスルー電圧Ｖ_ｐｔは、半導体装置のブレーク・ダウン電圧Ｖｂｄの７０％と９９％との間であり、またここで、この厚さＷは、チャネル領域へのジャンクション（１０）とバッファ・レイヤ（５）との間での、ベース・レイヤ（４）の最小の厚さである。与えられたデザイン・ルールにより、低い電気的な損失及びソフトなターン・オフ特性を有するＩＧＢＴまたはダイオードが、もたらされることがある。１０μｍより小さい厚さを有する浅いバッファ・レイヤ（５）が、使用されても良い。そのような薄いバッファ・レイヤは、例えば、薄いインプランテイション技術を使用して、容易に作り出されることがある。 （もっと読む）

【課題】増大された電流伝送能力を有するのみではなく、スイッチが閉じられまた開かれるときの、定格電流接触子により作られる接触をも改善する、サーキット・ブレーカを提供する。
【解決手段】スイッチの長手方向軸Ａに沿って移動されることが可能である二つの接触機構は、アーク接触子システム１２、及びそれに対して電気的に並列に接続された定格電流接触子システム９を形成し、ここで、接触機構の内の一つは、定格電流接触子システム９、内側定格電流接触子６及び外側定格電流接触子７を有していて、内側定格電流接触子６は、長手方向軸Ａの方向に、外側定格電流接触子７の上に張り出し、外側定格電流接触子７は、内側定格電流接触子６の周りを同軸状に取り囲んでいる。 （もっと読む）

発明は、パワー機能デバイス（１６）および導体エレメント（１８）がマウントされる回路装置（１０）に関する。その装置（１０）は、基板（１２）と、基板（１２）の上に提供され、機能デバイス（１６）および導体エレメント（１８）に電気的に接続された配線層（１４）と、中間電気コンタクトデバイスとを具備する。それは、導体エレメント（１８）とコンタクトするためのコンタクト領域を配線層の反対側に提供するために、配線層（１４）にマウントされる。発明によれば、電気コンタクトデバイスは、配線層に固定され、導体エレメント（１８）は、エリアと反対側のコンタクト領域の中間電気コンタクトデバイスとコンタクトする。その発明は、さらに、回路装置の対応する製造方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、特に高電圧変電所の中で、電源スイッチの少なくとも一つのスイッチ接点を作動させるための、液圧機械式バネ作動型機構に係る。この液圧機械式バネ作動型機構は、液圧により作動されるＣＯ（閉−開）遅延回路を有していて、この遅延回路が、電源スイッチのスイッチング・プロセスの始動を遅延させ、ここで、ＣＯ遅延回路の液圧による始動の代わりに、電気機械式アクチュエータ（１０）がある。 （もっと読む）

本発明は、ガス絶縁高電圧スイッチング・システムに係り、このスイッチング・システムは、アクチュエータを含むスイッチ・モジュールを有するハウジングと；コントロール・モジュールと；ケーブル出口と；変圧器及びサーキット・ブレーカ（１６，４０，５４）と；接地スイッチ（２４，４２，５８）と；を有していて、ここで、サーキット・ブレーカ（１６，４０，５４）及び接地スイッチ（２４，４２，５８）は、空間的に且つ構造的に互いから分離され、そして、共通のアクチュエータにより作動されても良い。 （もっと読む）