本発明は、アークを吹き消すための可動絶縁ノズル（４）を備えた電気的スイッチング装置（１）に係る。本発明によれば、絶縁ノズル（４）が、クランピング・デバイス（９，１０，１１，１２）により、且つネジによる接続無しで、前記スイッチング装置（１）の少なくとも一つの可動コンポーネント部分（５，１３，１４）に、インターロック式且つフォース・フィッティング式のやり方で、接続される。実施形態の例は、なかんずく、下記に係る：可動バッファ・シリンダ（５）上での、および／または、移動される部分（１３，１４）上の反対側の端での、絶縁ノズル（４）のクランピング・ホールド（９，５ａ，５ｂ，５ｃ；１２，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ）、特に、可動遮蔽電極、または、両側で駆動されるコンタクト・システム（２，３）のための補助ギア機構（１４）。優位性は、下記を含む：絶縁ノズル（４）のシンプルな取り付け、クランピング・デバイス（９，１０，１１，１２）の小さな物理的ボリューム；スイッチ軸（１ａ）に対する正確な同軸上での、絶縁ノズル（４）の固定（図３ａ，３ｂ）。
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アーク発生部を備えたヘビーデューティ・サーキット・ブレーカは、高温ガスおよび／またはガス圧力に対して感受性のある要素（１０）を有していて、高温ガスの流れ（８）に対してシール（１）により保護される。前記シール（１）は、好ましくは、可動非接触シール（１）である。前記シール（１）は、好ましくは、高温ガスの流れ（３）のパーシャル高温ガスの流れ（８ａ）の生成のための流れ要素生成手段（２ａ）；及び、この下流側に接続され、前記パーシャル高温ガスの流れのマスフロー（８ａ）を減少させるためのマスフロー減少手段（２）；及び、前記パーシャル高温ガスの流れの体積（８ａ）を膨張させるための膨張手段（３）を有している。前記マスフロー減少手段（２）は、好ましくは、チャネル（２）の形態である。前記膨張手段（３）は、好ましくは、圧力解放領域（３）の形態である。前記要素（１０）は、例えば、ガイド要素、接触形成要素、またはシーリング要素などである（図１）。
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本発明は、電気的スイッチング・デバイス（１）に係り、特に、ジェネレータ・スイッチ（１）及び改善されたスイッチング・ガスの冷却のための方法に係る。本発明によれば、ガス・ジェット（１２）が、噴出領域（７）の中のノズル・ボディ（１０）により形成され、バッフル・ウォール（１４，１４０）に向けて方向付けられ、旋回される。このバッフル・ウォール（１４，１４０）は、スイッチング・チャンバ・エンクロージャ（３）のコンポーネントであって、高い熱容量および／または熱伝導率を有し、それによって、スイッチング・ガスの渦形成（１３）が、バッフル・ウォール（１４，１４０）上での乱流対流による高効率のスイッチング・ガスの冷却により、実現されることになる。実施形態の例は、なかんずく、バッフル・ウォール（１４，１４０）の形状及びノズル・ボディ（１０）の形状に関係している。優位性は、スイッチング・チャンバ・エンクロージャ（３）の高温ガスに対する保護、改善されたスイッチング・ガスの冷却、及びスイッチング定格の増大を含む（図１）。
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ヘビーデュ−ティ・サーキット・ブレーカであって、軸（Ａ）を有し、この軸は、軸に対して平行な軸方向座標（ｚ）及び軸に対して垂直な径方向座標（ｒ）を規定し；且つ、アーキング・コンタクト・ピース（１）と、電流移送要素（２）と、エロージョン防止要素（３ａ）と、を有し；前記アーキング・コンタクト・ピース（１）は、前記アーキング・コンタクト・ピース（１）から発生することがあるアーク（５）によって加熱されたガス（４）の、実質的に軸方向の流れ（４）を運ぶための開口（６）を有し、且つ、前記アーク（５）が生じている間、前記アーキング・コンタクト・ピース（１）及び前記電流移送要素（２）の中を流れる短絡電流（Ｉ）を運ぶためのフラットなコンタクト（Ｆ）を、前記電流移送要素（２）と共に形成し；また、前記エロージョン防止要素（３ａ）は、前記電流移送要素（２）を、前記フラットなコンタクト（Ｆ）の近傍の流れ（４）から実質的に遮蔽する；ヘビーデュ−ティ・サーキット・ブレーカにおいて、前記電流移送要素（２）は、軸（Ａ）に対して平行に前記フラットなコンタクト（Ｆ）から測定された距離が増大するに従い、前記電流移送要素の径方向内側の寸法（ｄ２）が段階的にまたは連続的に増大する軸方向領域（２ａ）を有している。前記軸方向領域（２ａ）は、好ましくは、前記エロージョン防止要素（３ａ）を保持するように構成されている。
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本発明は、ガス絶縁式高電圧スイッチギアに係り、この高電圧スイッチギアは、三相コンダクタ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）を備えた少なくとも一つのバスバーを有し、ここで、各相コンダクタ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）は、それぞれ設けられたバスバー部分（１１，２１，３１）のインプット側に接続されている。前記相コンダクタ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）及び前記バスバー部分（１１，２１，３１）は、三つの単相パワー・スイッチ（１２，２２，３２）を備えた三相バスバー・モジュール（４０，４１）の中に配置され、各パワー・スイッチは、別個のパワー・スイッチ・ハウジング（１３，２３，３３）の中に配置され、そして、各バスバー部分（１１，２１，３１）は、そこからのアウトプット側で、それぞれ設けられたパワー・スイッチ（１２，２２，３２）に接続されている。
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本発明は、メイティング・コンタクト（２）及び第二コンタクト（３）を有するスイッチング・デバイスのための電気的接点システム（１）に係る。本発明によれば、前記第二コンタクト（３）は、コンタクト・チューリップ（３ａ）を有し、そのアウター・フェイス（３０１）で、前記メイティング・コンタクト（２ｃ）の環状の部分への、電流移送（１３）が行われる。例として挙げられた実施形態は、とりわけ、下記に関係する：前記コンタクト・チューリップ（３ａ）のインナー・コンタクト形成面（３００）での、前記メイティング・コンタクト（２ｃ）のピン形状の部分への、更なる電流移送（１４）；前記コンタクト・チューリップ（３ａ）と結合するための、メイティング・コンタクト・チューリップ（２ａ）を備えたメイティング・コンタクト（２）；及び、コンタクト力を改善するための手段。利点は、下記を含む：広い接触面（３００，３０１）を備えたチューリップ・イン・チューリップのデザイン、大きなコンタクト力、少数のコンタクト・フィンガーズ（３０）、少数のメイティング・コンタクト・フィンガーズ（２０）、及び、改善された調整用許容差；コンタクト・チューリップ（３ａ）は，アーキング・コンタクト（３１）として動作し、それと同時に、短時間電流コンタクト（３０１，３００）としても動作する（図２）。
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高い阻止電圧で使用される電力半導体（１）を製造するために、第一の電荷担体タイプのドーピングを有する低ドープ・レイヤ（６）の上に、同じ電荷担体タイプのミディアム・ドープ・レイヤ（７）が形成される。高ドープ・レイヤ（８）が、前記ミディアム・ドープ・レイヤ（７）の、前記低ドープ・レイヤ（６）と反対側の面に形成される。その高ドープ・レイヤ（８）の、完成後の半導体の中に残る高ドーピングの部分は、第二のストップ・レイヤ（４）を形成し、ここで、前記高ドープ・レイヤ（８）のドーピングは、前記ミディアム・ドープ・レイヤ（７）のドーピングよりも高い。次いで、電極（５）が、前記高ドープ・レイヤ（８）の中に拡散される。完成後の半導体の中に残る低ドーピングの部分は、ドリフト・レイヤ（２）を形成し、同じく残るミディアム・ドープの部分は、第一のストップ・レイヤ（３）を形成する（図１）。
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本発明は、少なくとも１つの高電圧伝送線（７）を通すための屋外ブッシングを有する、ガス絶縁式のスイッチギヤー装置（１）またはガス絶縁式のスイッチギヤー装置の構成要素に関する。サージプロテクター（８）が屋外ブッシング（６）に実質的に平行に設けられており、高電圧側の接続ピース（９）を介して、高電圧伝送線（７）におよび／または屋外ブッシング（６）の先端部分に接続されており、ハウジング側の接続ピース（１０）を介して、屋外ブッシング（６）の根元部分におよび／またはガス絶縁式のスイッチギヤー装置のまたはガス絶縁式のスイッチギヤー装置の構成要素のハウジングに接続されている。
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高インピーダンス漏電（ＨＩＦ）の発生を、負荷に対して独立に、動的に判断するための技術。ＨＩＦアルゴリズムは、所定の数の入力信号のサンプル、即ち相（負荷）電流および／またはニュートラル（残留）電流に対するエネルギー値を与える。入力信号のエネルギー値には、スレッショルド・エネルギー値を計算するために、約１００％から約３００％までの範囲にある係数が乗ぜられ、その計算の結果は、バッファに貯えられる。前記所定の数と同一の数の入力信号のサンプルに対して決定され、且つ前記所定の数のサンプルの後に取られたエネルギー値が、予め定められた数の前記計算されたスレッショルド・エネルギー値から導き出されるエネルギー値と比べて大きいときに、ＨＩＦ検知信号が生成される。
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クエンチング・ガスで充填されことが可能な、ヘビーデューティ・サーキット・ブレーカ用のスイッチング・チャンバであって、第一アーク接触子（１）と、第二アーク接触子（２）とを有し、それらの内の少なくとも一つ（１；２）は、駆動源により移動されることが可能である。これらの接触子（１，２）の間で、アーク（４）が発生することが可能である。アーク（４）によって加熱されたクエンチング・ガスを一時的に貯えるために、加熱チャンバ（１１）が使用される。絶縁ノズル（５）は、スロート部（６）を有し、このスロート部は、クエンチング・ガスの流れをガイドするために使用され、且つ加熱チャンバ（１１）に接続されている。開放動作の間に、二つのアーク接触子（１，２）の互いに対する最大相対速度 Ｖ_12,max が実現され、その値は、容量性スイッチングのために要求される二つのアーク接触子（１，２）相対速度 Ｖ_12,c の少なくとも１．３倍である。シングル・チャンバのヘビーデューティ・サーキット・ブレーカの場合には、特に、下記の式が最大相対速度 Ｖ_12,max に対して適用され：
Ｖ_12,max ＝ ２３×Ｕ_Ｎ・ｐ・ｆ／（Ｅ_crit・ｐ_０）
ここで、Ｕ_Ｎは、ヘビーデューティ・サーキット・ブレーカの定格電圧であり；ｐは、ヘビーデューティ・サーキット・ブレーカのポール・ファクターであり；Ｅ_crit は、クエンチング・ガスの放出のための閾値電界強度であり；ｐ_０は、クエンチング・ガスの充填圧力であり；ｆは、スイッチング・チャンバが設計される対象のシステムの周波数である。
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