電気的モジュールのための締結装置が提供される。この締結装置は、電気的モジュールに少なくとも一つの導電体ユニットを固定するように構成され、また、ナットを受けるように構成されたナット・コンパートメントを有していて、ここで、このナット・コンパートメントは、ナットおよび／またはネジを挿入するための開放された第一のサイド、及び、第一のサイドの反対側に配置された第二のサイドを有している。この締結装置は、更に、ナット・コンパートメントの第二のサイドに形成された強化用延長部を有していて、ここで、この強化用延長部は、非円形の断面を有している。 （もっと読む）

２層構造を少なくとも具備する、半導体基板（１）を備えたバイポーラパンチスルー半導体装置が提供される。層の１つは、第１の導電型のベース層（１０）である。基板は、第１の電気コンタクト（２）を備えた第１の主側面（１１）および第２の電気コンタクト（３）を備えた第２の主側面（１２）を具備する。第１の導電型のバッファ層（４）は、ベース層（１０）上に配置される。第１の導電型の第１の領域（５１、５１’）と第２の導電型の第２の領域（５２、５２’）とを交互に具備する第１の層（５）は、バッファ層（４）と第２の電気コンタクト（３）との間に配置される。第２の領域（５２、５２’）は、最大２μｍの深さおよび接合プロファイル（それは、最大１μｍで最大ドーピング濃度の９０％から１０％まで低下する）を備えた活性化領域である。 （もっと読む）

【課題】低いオン状態の損失及び高いＳＯＡ（安全動作領域）能力を備えた、半導体装置を製造するための方法を提供する。
【解決手段】第一の導電性タイプの基板１の第一のメインサイドの上に、第一の酸化物層２２が作られる。第一の酸化物層２２のトップの上に、少なくとも一つの開口３１を備えた、ゲート電極層３，３’が作られる。第一の導電性タイプの第一のドーパントが、前記ゲート電極層３，３’をマスクとして用いて、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、エンハンスメント層を形成する。その後で、第二の導電性タイプの第二のドーパントが、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、ベース層を形成する。基板１の中に第一のドーパントを拡散した後、且つ、基板１の中に第二のドーパントを注入する前に、第一の酸化物層２２が、部分的に取り除かれる。 （もっと読む）

高電圧のためのＤＣケーブルは、絶縁レイヤ（１０）で周囲を取り囲まれた内側の導電体（８）を、少なくとも有し、この絶縁レイヤは、内側の導電体とケーブルの周囲との間に掛けられる電圧に耐えるように構成されている。前記絶縁レイヤは、隔離された金属の領域（１３）をその上面にそれぞれ有する絶縁材料の、重ね合わせられた複数のフィルム状のレイヤ（１２）により形成されている。連続するそのようなフィルム状のレイヤの金属領域は、ケーブルの径方向に見たとき、少なくとも部分的に互いに重複し、それによって、ケーブルの前記絶縁レイヤの中に多数の小さなキャパシタを作り出すようになっている。 （もっと読む）

共通のウェハ（１００）上にフリーホイーリングダイオードおよび絶縁ゲートバイポーラトランジスタを具備する逆伝導半導体装置（２００）が、提供される。そのウェハ（１００）の一部は、ベース層厚さ（１０２）を備えたベース層（１０１）を形成する。絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、コレクタ側面（１０３）およびエミッタ側面（１０４）を具備する。コレクタ側面（１０３）は、ウェハ（１００）のエミッタ側面（１０４）の反対側に配置される。第１の導電型の第１の層（１）および第２の導電型の第２の層（２）は、コレクタ側面（１０３）上に交互に配置される。第１の層（１）は、第１の領域幅（１１）を備えた少なくとも１つの第１の領域（１０）および第１のパイロット領域幅（１３）を備えた少なくとも１つの第１のパイロット領域（１２）を具備する。第２の層（２）は、第２の領域幅（２１）を備えた少なくとも１つの第２の領域（２０）および第２のパイロット領域幅（２３）を備えた少なくとも１つの第２のパイロット領域（２２）を具備する。ＲＣ−ＩＧＢＴは、次の幾何学的な規則が満たされるように設計されている。各第２の領域幅（２１）は、ベース層厚さ（１０２）と等しいまたはより大きい。各第１の領域幅（１１）は、ベース層厚さ（１０２）より小さい。各第２のパイロット領域幅（２３）は、各第１のパイロット領域幅（１３）より大きい。各第１のパイロット領域幅は、ベース層厚さ（１０２）の２倍と等しいまたはより大きい。第２のパイロット領域（２２）のエリアの合計は、第１のパイロット領域（１２）のエリアの合計より大きい。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つのコア脚（２２）を備えた変圧器（１１）に係り、このコア脚の上に、３本の巻線（３２）が互いに隣り合わせに配置され、それらの巻線の送出部（２８，３０）は、互いに絶縁されるようにデザインされ、ここで、各巻線（３２）は、コアに近い低電圧巻線（３４）により形成され、各低電圧巻線には、対応する高電圧巻線（３６）がそれぞれ巻かれている。低電圧巻線（３４）の送出部（３０）は、巻線（３２）の互いに対する横方向の間隔が最小化されるように、軸方向にデザインされている。 （もっと読む）

【課題】小型で大きな定格電流の伝送能力を有する密閉型高電圧スイッチを提供する。
【解決手段】密閉型高電圧スイッチは、熱を発生する導電体と、この導電体の周りを取り囲む金属製密閉容器と、冷却要素と、有している。冷却要素のクーラーＫは、取り付けプレート２２として構成された前記密閉容器の一部の上に固定され、密閉容器の外側に配置されたクーリング・リブ４１を有している。クーリング・リブ４１の少なくとも一部が、前記取り付けプレート２２に対して平行に配置され、且つ、熱分配器４２の両側に、それぞれ、冷却チャネル４３の二つのグループの一方が現れるように、前記取り付けプレート２２に固定された熱分配器４２の上に保持されている。ここで、それらの冷却チャネル４３は、それぞれ、サンドイッチ状に配置され、且つ水平方向に対して傾斜した状態に向けられている。 （もっと読む）

高電圧絶縁体（１）は、第一の電気的な接続部分（２ａ）及び第二の電気的な接続部分（２ｂ）を有し、両者の間には、電気的な絶縁体本体（３）が延びている。接続部分（２ａ，２ｂ）の端部部分（４ａ，４ｂ）は、絶縁体本体（３）に結合されている。端部部分（４ａ，４ｂ）の少なくとも一つには、トーラス状に形成された界磁制御要素（５）が設けられている。界磁制御要素（５）を有する端部部分（４ａ，４ｂ）には、端部部分（４ａ，４ｂ）の周方向に延びるスロット（６）が形成されている。界磁制御要素（５、５ａ）及び各々に対応の端部部分（４ａ，４ｂ）は、一体的に形成されている。スロット（６）を設けることによって、絶縁体本体（３）の縦方向の収縮及び横方向の収縮の際に発生し且つ端部部分（２ａ，２ｂ）の縦軸に対し垂直に作用する引張力及び圧縮力、並びにせん断力も、著しく回避され、作動中に生じる電界の領域の場合には、絶縁区間の領域における高い均一化の同時的な保持が実現される。 （もっと読む）

基板（４）が、基板キャリア・プレート（３）の高い位置に設けられた基板サポート（３１）の上に取り付けられる。この基板を有する基板キャリア・プレートは、次に、プラズマ反応装置（８）の中に置かれる。高い位置に設けられた基板サポートのために、基板の両側がプラズマ（６）に曝され、それにより、電気的なパッシベイション・レイヤ（７）で被覆される。 （もっと読む）

本発明は、変圧器のコイルのための巻線ブロックを製造するための方法に係る。この巻線ブロックは、複数のターンを備えた導電性のワイヤまたはストリップ状材料からなる少なくとも一本の巻線と、絶縁性のファイバー材料の特定の数の巻線を備えた電気的に絶縁性のファイバー材料からなる絶縁レイヤと、を有している。導電性の材料からなるターンは、絶縁性の材料のターンに対して独立に取り付けられ、且つ、予め定められた数のターンの導電性の材料が取り付けられた後に、より少ない数の電気的に絶縁性の材料のターンが、導電性の材料のこれらのターンの上に、同一の部分に亘って取り付けられ、それによって、導電性の材料のターンの数に到達する前に残る電気的に絶縁性の材料の、残された数のターンが、縁部の絶縁として使用されるようになる。 （もっと読む）