改善された透明電極構造体を有する交流駆動型発光ダイオードが開示される。この発光ダイオードは、単一基板上に形成された複数個の発光セルを含み、各発光セルは、第１の導電型半導体層、第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、および第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を含む。透明電極構造体が、各発光セル上に位置する。この透明電極構造体は、互いに分離された少なくとも二つの部分を含み、または、中心部分と、前記中心部分から両側に延長された分岐とを含む。一方、配線が、発光セルの隣接した二つの発光セルをそれぞれ電気的に連結する。これにより、複数個の発光セルを電気的に連結し、交流電源下で駆動可能な発光ダイオードを提供することができ、改善された透明電極構造体を採用し、局部的な電流密度の増加を防ぐことができる交流駆動型発光ダイオードを提供することができる。
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本発明は、発光素子に関する。本発明による発光素子は、複数個の発光セルを有する発光セルブロックと、前記発光セルブロックの入出力端子と連結されたブリッジ整流回路とを備え、前記ブリッジ整流回路は、ノードとノードとの間に複数のダイオードを有することを特徴とする。本発明は、交流駆動型発光素子の作製にあたって、ブリッジ整流回路を内蔵するとき、その大きさを一定の大きさ以下にし、その個数を定めて、発光素子の輝度を向上させ、信頼性を向上させることができる発光素子を提供することができる。
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本発明は、ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード及びその製造方法に関する。本発明による発光ダイオードの製造方法は、基板上に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するが、（ａ）前記Ｐ型半導体層の上面にＩＴＯ層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するステップと、（ｂ）前記ＩＴＯ層に配線連結のための接点溝をドライエッチングにより形成するステップと、（ｃ）配線連結のために、前記接点溝に導電性金属からなる接点接続部を充填するステップと、を含む。
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光結晶構造体を有する交流駆動型発光素子及びその製造方法が開示される。この発光素子は、複数個の発光セル及び発光セルを電気的に連結する金属配線を備える。一方、各発光セルは、第１の導電型半導体層、第１の導電型半導体層の一領域上に位置する第２の導電型半導体層、及び第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された活性層を備える。これに加えて、光結晶構造体が、第２の導電型半導体層に形成されて位置する。光結晶構造体は、活性層から放出された光が、光結晶構造体の周期的な配列により側面伝播されることを防止し、発光素子の光抽出効率を高める。また、金属配線を介して複数個の発光セルを電気的に連結することにより、交流駆動可能な発光素子を提供することができる。
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【課題】（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体をアニール工程を行うことなく製造する。
【解決手段】基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。化合物半導体の製造方法は、成長チャンバー内でＰ型不純物を含むＰ層を成長させるステップと、前記成長チャンバー内の水素源ガスを放出するステップと、前記Ｐ層の形成された化合物半導体を前記成長チャンバー内から外部に取り出せる程度の温度まで低くするステップと、前記Ｐ層の形成された基板を前記成長チャンバーから取り出すステップと、前記Ｐ層の上にＰｔ、Ｐｄ、及びＡｕを含む群から選ばれた少なくとも一つの物質、あるいは、それらの合金で電極を形成するステップとを含む。これによると、アニール工程を行うことなくＰ型導電性を十分に確保することができる。 （もっと読む）

垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子が開示される。この発光素子は、基板上に位置する第１導電型の下部半導体層を有する。この下部半導体層上に第２導電型の半導体層が位置し、前記第２導電型の半導体層上に第１導電型の上部半導体層が位置する。一方、前記第１導電型の下部半導体層と第２導電型の半導体層との間に下部活性層が介在され、前記第２導電型の半導体層と前記第１導電型の上部半導体層との間に上部活性層が介在される。これにより、前記第１導電型の下部半導体層、下部活性層及び第２導電型の半導体層を有する下部発光ダイオードと、前記第２導電型の半導体層、上部活性層及び第１導電型の上部半導体層を有する上部発光ダイオードとが、垂直に積層された発光素子が提供される。したがって、従来の発光素子に比べて、単位面積当たりの光出力が向上し、従来の発光素子と同一の光出力を得るための発光素子のチップ面積を減少させることができる。
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【課題】
【解決手段】本発明は発光ダイオードに関し、さらに詳しくは、本発明は、基板の上に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層の上に形成された活性層及び活性層の上に形成されたｐ型半導体層を備え、活性層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）井戸層とＡｌＮ障壁層が交互に積層された量子井戸構造を有するように形成されるか、あるいは、リン（Ｐ）を含有する化合物半導体層から形成された井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造を有するように形成されて、遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、発光ダイオードの光出力を高めることのできる発光ダイオードに関する。 （もっと読む）

本発明は、一方の面に複数の発光セルが接続された発光セルブロックを備える第１の半導体基板と、一方の面に整流ブリッジ部を備え、且つ、他方の面が前記第１の半導体基板の他方の面とボンディングされる第２の半導体基板と、前記第２の半導体基板の一方の面に接するように第２の半導体基板とフリップチップボンディングされるサブマウント基板とを備え、前記発光セルブロックには、前記整流ブリッジ部により所定の整流電源が印加されることを特徴とする発光素子を提供する。またさらに、発光素子の製造方法を提供する。本発明による発光素子及びこの製造方法は、フリップチップ構造の発光素子の内部に整流回路を集積化することにより、交流電源から発せられるチラツキ現像を極力抑え、交流電源の電圧変化があっても一定の明るさを維持できるというメリットがある。また。素子の内部に整流回路を設けることから、別途の補助装置を取り付けるという煩雑さがなく、空間活用度及び光出力が向上する。 （もっと読む）

本発明の発光素子は、基板と、基板の上に形成されＮ−電極及びＰ−電極をそれぞれ備える多数の発光セルが電気的にシリアル接続された第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックとを備え、第１の発光セルブロックの一端のＰ−電極が第２の発光セルブロックの一端のＮ−電極に接続され、第１の発光セルブロックの他端のＮ−電極が第２の発光セルブロックの他端のＰ−電極に接続され、第１の発光セルブロックのそれぞれのＰ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックのそれぞれのＰ−電極、または第１の発光セルブロックのそれぞれのＮ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックのそれぞれのＮ−電極が互いに電気的に接続される。本発明によれば、一部の発光セルに漏れ電流が流れるとしても他の方向の発光セルに交差通電されるようにして漏れ電流による一部発光セルの過負荷を防いで交流型発光素子の均一な発光と寿命の増大を期待できる。 （もっと読む）

ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子が開示される。この発光素子は、紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲及び緑色光の波長範囲内で主ピークを有する第１波長の光を放射する発光ダイオードと、前記発光ダイオードから放射された前記第１波長の光の少なくとも一部を前記第１波長に比べて長い波長の第２波長の光に変換させるナノワイヤ蛍光体とを含む。ナノワイヤ蛍光体を採用することによって、発光素子の製造費用を節減することができ、非発光再結合に起因した光損失を減少させることができる。 （もっと読む）