【課題】ブリッジ整流回路を備えるが、そのブリッジ整流回路に設けられたダイオードの大きさ及び／又は個数の調整を通じて、輝度及び／又は動作の信頼性を効果的に向上させることができる発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置された複数の発光セルと、を備える発光素子であって、第１から第４のブロックを有し、前記第１から第４のブロックは、それぞれ複数の発光セルを有するブリッジ整流回路と、前記ブリッジ整流回路に配置され、互いに直列に接続された複数の発光セルを有する発光セルブロックと、を備える。交流駆動型発光素子の作成にあたって、ブリッジ整流回路を内蔵するとき、その大きさを一定の大きさ以下にし、その個数を定めて、発光素子の輝度を向上させ、信頼性を向上させることができる発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属エッチング副産物による発光セル内の電気的短絡を防止することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】発光素子及びその製造方法が開示される。この発光素子は、基板を備える。複数個の発光セルが、基板の上部に互いに離隔して配置される。発光セルは、それぞれ、第１導電型上部半導体層、活性層、及び第２導電型下部半導体層を有する。反射金属層が、それぞれ、基板と発光セルとの間に位置する。反射金属層は、外部に露出することが防止される。 （もっと読む）

【課題】発光セルが周期的に繰り返し形成されたアレイにおいて、各発光セルが同一のターンオン電圧で発光された後、ターンオン電圧以下に降下する瞬間に発光が中断されることによって起こるフリッカ現象を低減する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置された複数の発光セル１００−１〜１００−１６と、を備える発光デバイスであって、異なるサイズを有し、互いに直列に電気的に接続された少なくとも２つの前記発光セルが周期的に繰り返し形成されたアレイを有することを特徴とする発光デバイスを提供する。発光ダイオードに形成された各発光セルが互いに異なる大きさを有することにより、交流電源により発光動作を行う際に、発光セルごとに互いに異なるターンオン電圧を有することにより、各発光セルが発光を始める時間が互いに異なって、フリッカ現象を効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、を含み、前記複数の発光セルのそれぞれは、第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し、前記発光素子は交流電源により駆動されることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

本発明は変調ドーピング層を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。発光ダイオードは、ｎ型コンタクト層と、ｐ型コンタクト層と、ＩｎＧａＮ井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、を含む。ここで、ｎ型コンタクト層は、ｎ型不純物がドーピングされたＩｎＧａＮ層とアンドープＩｎＧａＮ層とが交互に積層された第１変調ドーピング層と、ｎ型不純物がドーピングされたＩｎＧａＮ層とアンドープＩｎＧａＮ層とが交互に積層された第２変調ドーピング層と、を含む。また、第１変調ドーピング層の各ＩｎＧａＮ層は互いに組成が同一であり、第２変調ドーピング層の各ＩｎＧａＮ層は互いに組成が同一である。さらに、第２変調ドーピング層は第１変調ドーピング層と活性領域との間に配置され、ｎ電極は前記第１変調ドーピング層に接触する。第１変調ドーピング層及び第２変調ドーピング層を用いることにより、工程時間が長くなることを防止し、多重量子井戸構造内に誘発される歪を緩和させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードの製造方法は、基板上に、Ｎ型半導体層、活性層、及びＰ型半導体層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するが、（ａ）前記Ｐ型半導体層 の上面にＩＴＯ層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するステップと、（ｂ）前記ＩＴＯ層に配線連結のための接点溝をドライエッチングにより形成する ステップと、（ｃ）配線連結のために、前記接点溝に導電性金属からなる接点接続部を充填するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高光度、高輝度の光を発光することのできる発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板の上に各々が間隔を介して配置された複数の発光セルと、前記複数の発光セル上に形成された絶縁層と、を備える発光素子であって、前記発光セルは、第１型半導体層及び第２型半導体層を含み、前記絶縁層は、前記第１型半導体層及び前記第２型半導体層の一部を露出する複数の開口部を有し、前記複数の発光セルのうち、少なくとも一つの前記発光セルは、水平面に対して垂直ではない少なくとも一つの側面を有し、前記少なくとも一つの前記発光セルの前記第１型半導体層は、前記少なくとも一つの前記発光セルと隣り合う他の前記発光セルの前記第２型半導体層に、前記絶縁層の上に形成された導電性配線により前記開口部を通して電気的に接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びこの製造方法並びにこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板、及び基板上に形成されて、それぞれＮ型半導体層とＰ型半導体層とを有する複数の発光セルを含む発光素子であって、交流電源電圧の順方向及び逆方向の電圧印加時の両方で光を出射する少なくとも１つの発光セルを有する第１の発光セルブロックと、交流電源電圧の順方向の電圧印加時でのみ光を出射することが可能な少なくとも１つの発光セルと、交流電源電圧の逆方向の電圧印加時でのみ光を出射することが可能な少なくとも１つの発光セルと、を含む第２の発光セルブロックと、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の導電型半導体層、活性層、及び第２の導電型半導体層を有する化合物半導体層と、前記第２の導電型半導体層の一部領域に形成された金属反射層と、少なくとも前記第２の導電型半導体層の境界領域に形成された絶縁構造体と、前記金属反射層及び前記絶縁構造体が形成された前記第２の導電型半導体層を覆うように形成された金属材料構造体と、前記金属材料構造体にボンディングされた基板と、を備え、前記第２の導電型半導体層の境界領域は、前記第２の導電型半導体層の外周に沿って、前記第２の導電型半導体層の外部領域を含むことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による発光素子は、基板と、前記基板の上部に順次形成されたＮ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層と、を有する発光素子であって、Ｐ型半導体層、活性層及び少なくともＮ型半導体層の内部まで形成された少なくとも一つのトレンチと、同トレンチの側壁に形成された第１の絶縁層と、同第１の絶縁層の形成されたトレンチの内部を充填する導電層と、を備えている。本発明によれば均一な電流拡散特性が得られ、均一な発光特性が得られることから、発光効率を高めることが可能になる。 （もっと読む）