【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型ＧａＮ発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの側面及び／または下面に１０ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、ｐ型電極をｐ−ＧａＮ上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がｎ−ＧａＮ層に向かって放射されることを極大化させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を順次に形成し、水平面に対して勾配を有し且つｐ型半導体層から活性層まで連続して形成された少なくとも一つの斜面を有するようにｐ型半導体層及び活性層の一部を除去してｎ型半導体層の一部を露出させ、ｐ型半導体層の上部にｐ型金属バンプを形成し、露出されたｎ型半導体層上にｎ型金属バンプを形成し、サブマウント基板上にｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドを形成し、ｐ型金属バンプ及びｎ型金属バンプと、ｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドとがそれぞれ接続されるように、基板とサブマウント基板とをフリップチップボンディングし、フリップチップボンディングされた基板とサブマウント基板を発光素子ごとに切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電流分散性能を改善した高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の発光ダイオードは、支持基板と、支持基板上に位置し、ｐ型化合物半導体層、活性層、及びｎ型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、半導体積層構造体上に配置される第１の電極パッドと、第１の電極パッドから延長し、ｎ型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、支持基板と半導体積層構造体との間に配置され、電極延長部の接触領域下のｐ型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、第１の電極パッドと半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、備える。 （もっと読む）

【課題】光抽出効率を改善する高効率発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、支持基板上に位置する半導体積層構造体を含む。半導体積層構造体はｐ型化合物半導体層、活性層及びｎ型化合物半導体層を有し、ｐ型化合物半導体層がｎ型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。開口部がｐ型化合物半導体層及び活性層を少なくとも二領域に分け、ｎ型化合物半導体層を露出する。絶縁層がｎ型化合物半導体層の露出面と開口部の側壁とを覆う。透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。反射絶縁層が透明電極層を覆って形成され、活性層から支持基板側に向かう光を反射する。ｐ‐電極が反射絶縁層を覆って形成され、ｎ‐電極がｎ型化合物半導体層の上部に形成される。反射絶縁層は透明電極層を露出するように一部が除去され、ｐ‐電極は露出した透明電極層に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】高純度で且つ容易に形成することができる蛍光体を採用した発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の発光素子は、紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲、及び緑色光の波長範囲から選択された少なくとも１つの波長範囲内で主ピークを有する第１波長の光を放射する発光ダイオードと、発光ダイオードから放射された第１波長の光の少なくとも一部を第１波長に比べて長い波長を有し且つ可視光線領域に少なくとも２つの主ピークを有する第２波長の光に変換させるナノワイヤ蛍光体とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置を提供する。
【解決手段】基板側からＮ型半導体層、活性層、Ｐ型半導体層およびＩＴＯ層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ＩＴＯ層は、底部が前記Ｐ型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記Ｐ型半導体層は前記接点部の底部に、前記Ｐ型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするＩＴＯ層を有する発光ダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光セルが基板の上において電気的に接続された発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、基板上に配置され、基板上の下部半導体層、下部半導体層上の活性層、活性層上の上部半導体層をそれぞれ含む複数の発光セルと、複数の発光セル上にそれぞれ配置された上部電極と、基板と複数の発光セルの下部半導体層との間にそれぞれ配置された下部電極と、を含む発光ダイオードであって、複数の発光セルは、母基板が除去されており、複数の発光セルのうち一つの発光セルの下部電極は、一つの発光セルに隣接する複数の発光セルのうち別の発光セルに配置された上部電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な複数の発光セルを有する発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サブマウント基板上に形成された互いに離隔した複数の電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルを有する発光素子の製造方法であって、前記複数の発光セルの上面に設けられた基板をレーザーまたは研削工程で取り除くことによりそれぞれ分離させることを特徴とする複数の発光セルを有する発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）