【課題】電気伝導性及び／または結晶性が向上したｐ型窒化物半導体層を有する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層と；前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された活性層と；前記活性層上にＡｌＮとＧａＮが交互に反復的に成長されて形成された超格子構造のＡｌＮ／ＧａＮ層と；前記超格子構造のＡｌＮ／ＧａＮ層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と；を含み、前記ＡｌＮ及び前記ＧａＮのうち少なくとも一つはｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型であることを特徴とする発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ツェナーダイオードの利用なしにも外部から流入可能な静電気から発光ダイオードを保護するために、発光ダイオードの活性層と並列に接続される電流通路を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層を形成する段階と；前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する段階と；前記活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と；前記ｎ型半導体層をエッチングする段階と；前記ｐ型半導体層上にｐ-電極を形成する段階と；エッチングされた前記ｎ型半導体層とｐ-電極が形成されていない前記ｐ型半導体層の一部にかけてｎ-電極を形成する段階とを含んで発光ダイオードの製造方法を構成する。 （もっと読む）

発光ダイオードをここに開示する。発光ダイオードは、支持基板と、支持基板の上に形成された半導体層と、支持基板と下部半導体層との間に位置する金属パターンとを含む。半導体層は、第１の導電性の上部半導体層、活性層及び第２の導電性の下部半導体層を含む。各半導体層は、犠牲基板上で成長し、支持基板は犠牲基板と同種の基板である。
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【課題】 量子閉じ込めシュタルク効果及び／またはキャリアオーバーフローを減少させ、電子‐正孔の再結合率を向上させることができる発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】 多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオードが開示される。この活性領域は、窒化ガリウム系Ｎ型及びＰ型の化合物半導体層間に位置する。一方、前記活性領域内の障壁層の少なくとも１つは、アンドープＩｎＧａＮ層及びＳｉドープＧａＮ層を有し、前記ＳｉドープＧａＮ層が、前記Ｐ型化合物半導体層側の井戸層に接する。これにより、キャリアオーバーフロー及び量子閉じ込めシュタルク効果を減少させ、電子‐正孔の再結合率を向上させることができる。また、相対的に厚い障壁層と相対的に薄い障壁層を有する多重量子井戸構造の活性領域が開示される。 （もっと読む）

【課題】 混色の光を放出し、交流電源、特に、高電圧交流電源下で駆動可能な発光ダイオードパッケージを提供すること。
【解決手段】 発光ダイオードパッケージが開示される。このパッケージは、第１の基板上に形成され、相対的に短波長の光を放出する発光セルの第１の直列アレイと、第２の基板上に形成され、相対的に長波長の光を放出する発光セルの第２の直列アレイと、を備える。前記第１及び第２の直列アレイは、互いに逆並列で連結されて動作する。これにより、交流電源下で動作可能であり、色再現性及び発光効率に優れた白色光を具現可能である、発光ダイオードパッケージを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を備える発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】 ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。開示された発光ダイオードは、ｐ型半導体層と透明電極層との間に介在されるトンネル層と、前記トンネル層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、前記開口部内に形成されるＤＢＲと、前記開口部内のＤＢＲを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 新しい構造のレーザーダイオード、特に新しい形態の周期的なパターンを有するＤＦＢ（あるいは、ＤＲＢ及びＤＲ）レーザーダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ナノパターンを有するレーザーダイオードが開示される。このレーザーダイオードは、基板を含む。第１導電型クラッド層が基板の上部に位置し、第２導電型クラッド層が第１導電型クラッド層の上部に位置し、活性層が第１クラッド層と第２クラッド層との間に介在される。一方、柱形状のナノパターンが第２導電型クラッド層の表面に周期的に配列される。これにより、分布帰還型レーザーなど波長が重要な用途に使用されるレーザーダイオードを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来、交流駆動型の発光ダイオードの単一基板として用いられた極性の基板の代わりに、非極性の基板を用いることにより、量子効率を向上させ、これにより、1チッ
プ当たりの発光領域が小さい交流駆動型の発光ダイオードの発光効率を上昇させること。
【解決手段】 交流電源に直接連結して動作させることができる発光ダイオードが開示される。開示された本発明による発光ダイオードは、単一基板上に二次元的に配列された複数個の発光セルと、発光セルを電気的に連結する配線と、配線により直列連結された複数の発光セルが直列アレイを形成するが、前記単一基板は、非極性の基板であり、前記発光セルは、前記非極性の基板上において成長された非極性の窒化ガリウム系半導体層からなる。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。
【解決手段】 基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板、基板上の複数のバッファー層、及び複数のバッファー層の最上層上のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を備えるＩＩＩ族窒化物化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板、前記基板上の複数のバッファー層、前記複数のバッファー層の最上層上のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を備えるＩＩＩ族窒化物化合物半導体装置であって、前記基板上に形成され、遷移金属窒化物からなる第１バッファー層と、前記第１バッファー層上に形成され、ガリウムと遷移金属との窒化物からなる第２バッファー層とを備えることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体装置。 （もっと読む）