【課題】本発明は、広い波長領域に亘って高い反射率を有する分布ブラッグ反射器を有し、発光効率が向上した発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードチップは、前面及び裏面を有する基板と、基板の前面上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含む発光構造体と、基板の裏面上に位置し、発光構造体から出射された光を反射する分布ブラッグ反射器と、分布ブラッグ反射器の下部に位置する金属層と、を含む。また、分布ブラッグ反射器は、青色波長領域の第１波長の光、緑色波長領域の第２波長の光、及び赤色波長領域の第３波長の光に対して、９０％以上の反射率を有する。 （もっと読む）

【課題】電極パッド付近で電流密集が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続される第１の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第２の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第２の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに接続され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含むことを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】電極及び電極パッドによる発光面積の減少を防止することができる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部半導体層と、前記下部半導体層のエッジ領域の少なくとも一部が露出されるように前記下部半導体層の上部に配置された上部半導体層と、前記上部半導体層の一部領域上に絶縁層を介して形成され、前記下部半導体層に電流を供給するために形成された第１の電極と、前記上部半導体層の他の一部領域上に前記上部半導体層に電流を供給するために形成された第２の電極と、前記第１の電極から延長され、前記露出された下部半導体層の少なくとも一部に至るように形成された第１の電極の延長部と、を含んで発光ダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、それぞれ第１の導電型の上部半導体層、活性層、第２の導電型の下部半導体層、及び前記第２の導電型の前記下部半導体層と前記活性層とを貫通して前記第１の導電型の前記上部半導体層を露出させるホールを含む第１の発光セル及び第２の発光セルと、前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルと前記基板との間に位置し、前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルを互いに電気的に接続するコネクタと、を含み、前記第１の発光セルの前記ホール及び前記第２の発光セルの前記ホールは、それぞれ前記第１の発光セル及び前記第２の発光セルの中央領域に位置し、前記コネクタは、前記第１の発光セルの前記第２の導電型の前記下部半導体層と、前記第２の発光セルの前記ホール内に露出された前記第１の導電型の前記上部半導体層とを電気的に接続していることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

信頼性のある発光ダイオード及びその製造方法が開示される。本発明の一態様による発光ダイオードは、シリコンがドープされたｎ型コンタクト層と、ｐ型コンタクト層と、ｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層との間に介在する活性領域と、ｎ型コンタクト層と活性領域との間に介在する超格子層と、超格子層とｎ型コンタクト層との間に介在する非ドープ中間層と、非ドープ層と超格子層との間に介在する電子補強層と、を備える。超格子層は、活性領域に最も近い最終層にのみ意図的にシリコンがドープされ、最終層のシリコンドーピング濃度は、ｎ型コンタクト層のシリコンドーピング濃度よりも高い。活性領域に近く位置する超格子層の殆ど全ての層にシリコンを意図的にドープしていないので、漏れ電流を減少させることができ、活性領域に最も近い最終層に高濃度のシリコンをドープすることにより、接合特性が悪くなることを防ぎ、静電放電特性を改善できる。
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【課題】電極パッド付近で電流密集現象が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】この発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置する第１の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の導電型半導体層と、前記第１の導電型半導体層と前記第２の導電型半導体層との間に介在した活性層と、前記第１の導電型半導体層に電気的に接続された第１の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層上に位置する第２の電極パッドと、前記第１の導電型半導体層と前記第２の電極パッドとの間に介在し、前記第２の電極パッドを前記第１の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第２の電極パッドに連結され、前記第２の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】広い波長範囲にわたって高い反射率を有する分布ブラッグ反射器、それを採択した発光ダイオードチップ及び発光ダイオードパッケージを提供する。
【解決手段】
本発明による発光ダイオードチップは、基板、前記基板の上部に位置し、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の間に配置された活性層を含む発光構造体及び前記発光構造体から放出された光を反射する分布ブラッグ反射器を含む。前記分布ブラッグ反射器は青色波長領域の第１波長の光、緑波長領域の第２波長の光及び赤色波長領域の第３波長の光に対して９０％以上の反射率を有する。 （もっと読む）

【課題】家庭用交流電源に直接接続して駆動可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、を含み、前記複数の発光セルのそれぞれは、第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、前記複数の発光セルの上面は、それぞれ分離されており、１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し、交流電源により駆動されることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】単一チップレベルにおいて交流電源に接続して動作可能な交流駆動型の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】単一基板上に形成された複数の発光セルと、複数の発光セルを互いに電気的に接続する複数の配線と、複数の配線を介して互いに直列接続された複数の発光セルを備える第１直列アレイ、第２直列アレイとを備え、複数の発光セルのそれぞれは、基板上に形成された第１の導電型半導体層と、第１の導電型半導体層の一領域上に配置された第２の導電型半導体層と、活性層とを備え、縦方向及び横方向において１０〜３０μｍの範囲内で隣接する他の発光セルと互いに異なる距離で離間して配列され、複数の配線のそれぞれは、一つの発光セルの前記第１の導電型半導体層と、隣接する他の発光セルの第２の導電型半導体層とを電気的に接続し、第１直列アレイ及び第２直列アレイは、交流電源に接続されて動作することを特徴とする交流駆動型の発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法は、第１の基板上に第１の導電型化合物半導体層、活性層及び第２の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第１の基板の温度が室温より高い第１の温度で、前記エピ層に前記第１の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第２の基板をボンディングさせ、前記第１の基板の温度が室温より高くて前記第１の温度以下の第２の温度で、前記第１の基板を介してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第１の基板を分離することを含む。これにより、レーザリフトオフ工程でレーザビームの焦点を合せることが容易で、またエピ層のクラックを防止できる。また、ヒータを有するレーザリフトオフ装置が開示される。 （もっと読む）