【課題】ステッピングモータの駆動電流を適切なものにする。
【解決手段】ステッピングモータ２００は、２つのコイル２２，２４を含む。ドライバ回路１００は、この２つのコイル２２，２４への供給電流の位相を異ならせて、ステッピングモータ２００を駆動する。そして、一方のコイル２２（２４）について一端をグランドに接続し他端をハイインピーダンス状態として、そのコイルにおいて発生する誘起電圧をグランドに対する電圧として検出し、検出した誘起電圧の状態に応じて、２つのコイル２２，２４に供給するモータ駆動電流の大きさを制御する。 （もっと読む）

【課題】ステッピングモータの駆動電流を適切なものにする。
【解決手段】ステッピングモータ２００は、２つのコイル２２，２４を含む。ドライバ回路１００は、この２つのコイル２２，２４への供給電流の位相を異ならせて、ステッピングモータ２００を駆動する。そして、一方のコイル２２（２４）についてハイインピーダンス状態として、そのコイルにおいて発生する誘起電圧をその波形を検出し、検出した波形のタイプに応じて供給電流の適否を判定し、判定結果に応じて２つのコイル２２，２４に供給するモータ駆動電流の大きさを制御する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路において、プローブ針を用いた測定を行うことなく、複数の出力トランジスタの耐圧特性を一括して検査する。
【解決手段】駆動回路１は、半導体チップ２上に、高耐圧のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタからなる出力トランジスタＴ１〜Ｔｍ、スイッチング制御回路ＳＣＬ１〜ＳＣＬｍ、出力端子Ｐ１〜Ｐｍ、ダイオードＤＯ１〜ＤＯｍ及び制御端子ＰＸを含んで構成される。ダイオードＤＯ１〜ＤＯｍは、ソースとゲートが共通接続された高耐圧のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタからなる。ダイオードＤＯ１〜ＤＯｍのアノードは、それぞれ対応する出力端子Ｐ１〜Ｐｍのドレインｄ１〜ｄｍに接続される。ダイオードＤＯ１〜ＤＯｍのカソードは、配線３を介して、制御端子ＰＸに共通接続されている。 （もっと読む）

【課題】ステッピングモータの駆動電流を適切なものにする。
【解決手段】ステッピングモータ２００は、２つのコイル２２，２４を含む。ドライバ回路１００は、この２つのコイル２２，２４への供給電流の位相を異ならせて、ステッピングモータ２００を駆動する。そして、一方のコイル２２（２４）についてハイインピーダンス状態として、そのコイルにおいて発生する誘起電圧を検出する。検出した誘起電圧の傾きから誘起電圧波形のゼロクロスポイントを推定し、推定されたゼロクロスポイントの位置に応じて２つのコイル２２，２４に供給するモータ駆動電流の大きさを制御する。 （もっと読む）

【課題】 応答性を低下させることなく、負荷短絡などによる素子の過熱を防止する。
【解決手段】 第１の直流電圧をスイッチングするスイッチング素子と、スイッチング素子の出力電圧を整流および平滑化した第２の直流電圧に応じたデューティ比のパルス幅変調信号を生成するパルス幅変調回路と、スイッチング素子に所定以上の電流が流れる過電流状態であるか否かを判定する過電流判定回路と、過電流判定回路が過電流状態であると判定した場合に、カウント値が第１の基準値に達するまでの間第１のクロックでカウントするカウンタ回路と、過電流判定回路が過電流状態であると判定した場合には、カウンタ回路のカウント値が第１の基準値に達するまでの間スイッチング素子をオフし、過電流判定回路が過電流状態であると判定しない場合には、パルス幅変調信号に応じてスイッチング素子をスイッチング制御するスイッチング信号生成回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 コンパレータ回路から、高耐圧特性を必要とするコンデンサを削減する。
【解決手段】 一端が共通に接続されたコンデンサＣ１〜Ｃ３と、Ｃ１に電圧ＶｒｅｆまたはＶｉｎの何れか一方を順次印加する第１スイッチ回路と、入力端がＣ１〜Ｃ３の接続点に接続されたインバータと、Ｃ１にＶｒｅｆが印加される第１期間に、インバータの入力端と出力端とを接続する第２スイッチ回路と、第１期間の次に、Ｃ１にＶｉｎが印加される第２期間には、インバータの出力レベルを出力し、第１期間には、第２期間の最後におけるインバータの出力レベルを保持して出力する第１ラッチ回路と、第１期間には、Ｃ３にＬレベルの電圧を印加するとともに、Ｃ２にＨレベルの電圧を印加し、第２期間には、Ｃ３にＨレベルの電圧を印加するとともに、Ｃ２にＬまたはＨレベルの電圧を印加する制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 応答性を低下させることなく、負荷短絡などによる素子の過熱を防止する。
【解決手段】 スイッチング素子と、パルス幅変調信号を生成するパルス幅変調回路と、スイッチング素子に流れる電流値が所定の電流値に達したことを検出し、過電流検出信号を出力する過電流検出回路と、過電流検出信号に基づいて、過電流状態であるか否かを判定する過電流判定回路と、過電流判定回路が過電流状態であると判定した場合に、所定のクロックでカウントする第１のカウンタ回路と、過電流判定回路が過電流状態であると判定した場合には、第１のカウンタ回路のカウント値が第１の基準値に達するまでの間スイッチング素子をオフし、過電流判定回路が過電流状態であると判定しない場合には、パルス幅変調信号に応じてスイッチング素子をスイッチング制御するとともに、過電流検出信号に応じてスイッチング素子をオフするスイッチング信号生成回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】素子形成部のみ薄化し周辺部は初期の半導体基板の厚みを残した半導体ウエハの製造工程においては、最終工程で厚い周辺部が残るため、素子形成部の半導体チップを分割する従来のダイシング装置を用いることができず、新たな設備投資が必要となる。
【解決手段】半導体基板の素子形成部およびその周辺を第１の厚みまで研削し、最外周の初期周辺部は初期の厚みを残す。素子形成部のみを第２の厚みまで研削し、素子形成部の周囲に段差が小さい第１周辺部を形成する。裏面に金属層を形成した後、初期周辺部を第１周辺部より厚いがこれとの段差は小さくなる厚みまで研削し第２周辺部を形成する。既存のダイシング装置で素子形成部と周辺部を切り離すことができ、素子形成部と周辺部は緩やかな段差形状となるので、素子形成部と周辺部の間でダイシングテープの密着性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザートリミングによって除去される金属配線を有した半導体装置において、金属配線の下層の素子分離領域においてクラックの発生を抑止する。
【解決手段】例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２と、それを覆うＬＯＣＯＳ絶縁膜１３が形成されている。これらは第１の層間絶縁膜２１に覆われている。第１の層間絶縁膜２１上には、ヒューズ配線として、並行して延びる金属配線２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃが形成されている。第１の層間絶縁膜２１の貫通孔２１ＴＨ内には、タングステン等からなる高融点金属層２２が形成されている。この高融点金属層２２は、レーザートリミングの際に生じる余分な熱を吸収するため、第１の層間絶縁膜２１にクラックが生じにくくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、アイランド１２を囲むように複数のリード１６Ａ−１６Ｈを配置し、隅部に配置されたリード１６Ａ、１６Ｄ、１６Ｅ、１６Ｈの内側の一端を、中間部に配置された他のリード１６Ｂ等の一端よりも内部に位置させている。この様にすることで、隅部に配置されたリード１６Ａ等と半導体素子とを接続する金属細線２２Ａ等の線長が短縮化され、その分材料コストを安くすることができる。 （もっと読む）