【課題】入力信号の大きさが温度に応じて変化する場合であっても、入力信号を精度良く量子化できる信号処理回路を提供する。
【解決手段】信号処理回路は、温度に応じて大きさが変化する入力信号を、設定される電圧範囲内で量子化してデジタル信号へと変換するＡＤコンバータと、温度に応じて入力信号が大きくなると電圧範囲が広くなり、温度に応じて入力信号が小さくなると電圧範囲が狭くなるように、電圧範囲を設定する設定回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源の供給が停止された際に安定に立ち下がる電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、入力信号を増幅する増幅回路と、増幅回路を駆動するためのバイアス電流を生成するバイアス電流回路と、電源電圧が所定レベルよりも低くなると、増幅回路が発振することを防ぐべくバイアス電流回路にバイアス電流の生成を停止させる制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に、バンプ電極を形成する場合、平坦なシリコン基板上に下地金属層を形成し、その上にバンプ電極を形成していた。信頼性向上のため、バンプ電極と、下地金属層の接触面積を大きくする場合、バンプサイズが大きくせざるを得ず、チップサイズが増加する問題があった。
【解決手段】半導体基板の一主面をウェットエッチングして凹部を設け、凹部の底部に凹部より開口面積の小さい貫通孔を設ける。凹部側壁、貫通孔側壁および貫通孔の他の主面側を被覆する導電層を設け、凹部にバンプ電極を形成する。バンプ電極のサイズを増加させることなく、バンプ電極と導電層の接触面積を向上できる。 （もっと読む）

【課題】消費電力及びノイズを抑制しつつ、昇圧電圧でコンデンサを早く充電可能な充電回路を提供する。
【解決手段】充電回路は、入力されるクロック信号の周波数の上昇に応じて短くなる時間間隔ごとに入力電圧を昇圧した昇圧電圧を生成するチャージポンプ回路と、昇圧電圧を積分してコンデンサに印加する積分回路と、第１クロック信号がクロック信号としてチャージポンプ回路に入力される際にコンデンサの充電電圧が所定レベルとなるまでの時間よりも短い時間で充電電圧が所定レベルとなるよう、第１クロック信号より高い周波数の第２クロック信号をクロック信号としてチャージポンプ回路に出力した後に、第１クロック信号をクロック信号としてチャージポンプ回路に出力するクロック信号出力回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】位相ズレや利得ズレが生じる場合でも、希望信号とイメージ信号との混信を防止する。
【解決手段】互いに位相が直交する第１および第２の局部発振信号を出力する局部発振器３２と、受信信号と第１および第２の局部発振信号とをそれぞれ混合して、所定の中間周波数を有する第１および第２の中間周波数信号を出力する混合器３３，３４と、第１および第２の中間周波数信号のうち、希望信号（イメージ信号）からの成分を通過させ、イメージ信号（希望信号）からの成分を除去する第１（第２）のフィルタ５１（５２）と、第１および第２のフィルタの出力信号レベルを比較する比較器５５と、比較器の比較結果に応じて、第１および第２の局部発振信号の周波数を、希望信号の周波数と中間周波数との差の周波数、または希望信号の周波数と中間周波数との和の周波数に切り替える制御部３１ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を曲折する箇所に於ける機械的強度が確保された回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】回路装置１０Ａは、曲折領域１４にて曲折された回路基板１２と、回路基板の上面に形成された所定形状の導電パターン１６と、導電パターン１６に電気的に接続された半導体素子１８等の回路素子と、を主要に備えている。そして、曲折領域１４には、回路基板１２を除去して設けた第１曲折部１４Ａと、第１曲折部１４Ａよりも厚い第２曲折部１４Ｂとが含まれている。 （もっと読む）

【課題】電流経路上の第１電極および第２電極を、半導体基板の第１主面側に設け、フリップチップ実装を可能にしたディスクリート半導体チップにおいて、バンプ方式により同一径のバンプ電極を設ける場合、チップシュリンクを進めると１枚のウエハ当たりのバンプ電極数が多くなり、コストが高くなる問題がある。あまた、バンプ電極から遠いセルではＡｌ電極層などのシート抵抗の影響を受け動作が不均一になる問題がある。
【解決手段】Ａｌ電極層（第１電極および第２電極）上のそれぞれのバンプ電極の形成領域となる絶縁膜の開口部（第１開口部および第２開口部）を、異なる大きさに設ける。第１開口部及び第２開口部にはそれぞれを覆う下地金属層を設ける。また、印刷方式により、第１開口部および第２開口部の大きさに対応したバンプ電極をそれぞれ設ける。 （もっと読む）

【課題】 従来のポリシリコン層を抵抗層とする抵抗素子は、抵抗素子のシート抵抗を例えば１０ＭΩ／□以上に高くしたい場合、所望のシート抵抗が得られない問題があった。この原因は、製造工程中にポリシリコン層上の絶縁膜が帯電することが考えられ、このため設計値より２桁以上も低い値となってしまっていた。また、同一ウエハ内であっても抵抗素子毎に抵抗層のばらつきが大きくなる問題があった。
【解決手段】 ポリシリコン層を抵抗層とする抵抗素子において、抵抗層を被覆する絶縁膜の上に、保護層を設ける。保護層は金属層であり、抵抗素子の配線層や、電極等の金属層と同一金属層で形成できる。保護層は、ポリシリコン層の曲折部が露出するパターンに設ける。また、保護層に固定電位を印加する。固定電位に応じて、異なるシート抵抗が得られる。 （もっと読む）

【課題】 不使用領域を有するメモリの消費電流を低減する。
【解決手段】 複数のメモリセルの動作を設定する設定情報をそれぞれ出力する複数の設定出力部と、前記設定情報に応じて前記複数のメモリセルの動作または停止をそれぞれ選択する複数の選択部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】過変調状態が検出された時に、映像信号の折り返しを防止すると共に、ＰＬＬ回路のＶＣＯ発振周波数のドリフトを小さくした映像検波回路を提供する。
【解決手段】本発明の映像検波回路は、映像信号に応じて搬送波が振幅変調された映像変調信号（ＰＩＦ信号）に基づいて再生搬送波を生成するＰＬＬ回路と、再生搬送波を用いて映像変調信号から映像信号を同期検波するＶＤＥＴ２３と、映像変調信号の映像変調度が所定の変調度閾値を超える過変調状態を検出する比較器３３と、この比較器３３により過変調状態が検出された時に、映像変調信号を反転してＰＬＬ回路のＡＰＣ２４に出力する反転スイッチ回路３４と、を備える。 （もっと読む）