【課題】 半導体装置の内部回路をＥＳＤ破壊から保護しつつ、電源電圧の瞬間的な変動による誤動作を防止する。
【解決手段】 第１の電源端子および第２の電源端子と、第１の電源端子と第２の電源端子との間に接続された内部回路と、第１の電源端子と第２の電源端子との間において内部回路と並列に接続された保護回路と、を備え、保護回路は、第１の電源端子と第２の電源端子との間において内部回路と並列に接続された抵抗及び第１のコンデンサの直列回路と、直列回路と並列に接続されるとともに、抵抗と第１のコンデンサとの接続点の電圧に応じて制御される第１のＭＯＳトランジスタと、抵抗と並列に接続され、第１の電源端子と第２の電源端子との間に電源電圧が印加されてから遅延してオンとなり第１のＭＯＳトランジスタをオフするように接続点の電圧を変化させるスイッチ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】過変調状態が検出された時に、映像信号の折り返しを防止すると共に、ＰＬＬ回路のＶＣＯ発振周波数のドリフトを小さくした映像検波回路を提供する。
【解決手段】本発明の映像検波回路は、映像信号に応じて搬送波が振幅変調された映像変調信号（ＰＩＦ信号）に基づいて再生搬送波を生成するＰＬＬ回路と、再生搬送波を用いて映像変調信号から映像信号を同期検波するＶＤＥＴ２３と、映像変調信号の映像変調度が所定の変調度閾値を超える過変調状態を検出する比較器３３と、この比較器３３により過変調状態が検出された時に、映像変調信号を反転してＰＬＬ回路のＡＰＣ２４に出力する反転スイッチ回路３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】差動入力モードとシングル入力モードの切り換えが可能であると共に、シングルモードにおけるオフセット調整の幅を大きくした静電容量型タッチパネルの信号処理回路を提供する。
【解決手段】本発明の信号処理回路は、差動入力型の第１のセンサ回路と、シングル入力型の第２のセンサ回路と、第１のセンサ回路の出力電圧のオフセットを調整するためのキャリブレーション用の可変容量である第３の静電容量３及び第４の静電容量Ｃ４と、第１及び第２のセンサ回路のいずれかを動作させるように切換制御する切換制御回路１１と、を備える。そして、切換制御回路１１は、第２のセンサ回路を動作させる時に、キャリブレーション用の第３の静電容量３及び第４の静電容量Ｃ４を互いに並列接続するように制御を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、パッケージの微細化に伴い、リードでの実装強度が向上し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、樹脂パッケージ２の裏面５からリード４の一部が露出し、そのリード４には溝８が配置される。溝８は、リード４の外周端部から内側の領域に配置され、溝８の周囲には平坦面９が配置される。この構造により、溝８の内側面はリード４の実装領域として用いられ、リード４の実装強度が向上される。また、リード４の平坦面９により樹脂の廻り込みが規制され、樹脂ばりの発生が大幅に低減される。 （もっと読む）

【課題】上面に混成集積回路が組み込まれる回路基板の下面を薄く封止樹脂により被覆する回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、半導体素子等の回路素子が組み込まれた回路基板１２を金型３０の内部に収納させ、２つの樹脂シート４２Ａ、４２Ｂを、回路基板１２と金型３０の内壁下面との間に介在させている。この状態で、金型３０を高温に加熱し、ゲート４４から液状の封止樹脂を注入することで、溶融した樹脂シート４２により回路基板１２の下面を薄く封止樹脂により被覆することができる。更に、２つの樹脂シート４２Ａ、４２Ｂを用いることで、個々の樹脂シートが平面視で小さいものとなり、樹脂シートを輸送する段階等に於ける破損が抑制される。 （もっと読む）

【課題】差動入力型のタッチセンサにおいて、データ入力を意図している指とデータ入力を意図していない指が同時にタッチパネルにタッチした場合においても、タッチ位置検出を正常に行う。
【解決手段】ステップＳ１では、キャリブレーション回路１９により、センサ回路の出力電圧Ｖｏｕｔのオフセット調整が行われる。次のステップＳ２では、前記差動入力型のセンス回路により、タッチ位置の検出が行われる。次のステップＳ３では、センサ回路の出力電圧Ｖｏｕｔ（好ましくはＡＤ変換された値）に基づいて、タッチ検出時間ｔｓが所定時間ｔ０以上か否かが判断される。もし、タッチ検出時間ｔｓが所定時間ｔ０以上の場合（ｔｓ＞ｔ０）、キャリブレーション回路１９が動作し、センサ回路の出力電圧Ｖｏｕｔのオフセット調整が再度行われる。 （もっと読む）

【課題】差動入力モードとシングル入力モードの切り換えが可能な静電容量型タッチパネルの信号処理回路を提供する。
【解決手段】本発明の信号処理回路は、Ｙセンス線ＹＬ１〜ＹＬ４の中から第１及び第２のセンス線を選択し、第１のセンス線とＹ駆動線ＤＲＹＬとの間に形成される第１の静電容量Ｃ１と第２のセンス線とＹ駆動線ＤＲＹＬとの間に形成される第２の静電容量Ｃ２の容量値の差を検出する差動入力型の第１のセンサ回路と、Ｙセンス線ＹＬ１〜ＹＬ４の中から第１のセンス線を選択し、第１のセンス線とＹ駆動線ＤＲＹＬとの間に形成される第１の静電容量Ｃ１の容量値の変化を検出するシングル入力型の第２のセンサ回路と、第１及び第２のセンサ回路のいずれかを動作させるように切換制御する切換制御回路１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】温度が急激に上昇した場合であっても、負荷を安定に駆動できるスイッチング制御回路を提供する。
【解決手段】スイッチング制御回路は、入力電圧から目的レベルの出力電圧を生成すべく、駆動信号のデューティ比に応じて入力電圧が入力電極に印加されたトランジスタをオンオフする駆動回路と、出力電圧に応じた帰還電圧及び基準電圧に基づいて、帰還電圧のレベルが基準電圧のレベルと一致するように駆動信号のデューティ比を変化させるとともに、温度の上昇に応じて出力電圧が低下するように駆動信号のデューティ比を変化させて、駆動信号を生成する駆動信号生成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リードを不要にして回路装置を実装基板に接続する回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュール１０Ａは、実装基板１４と、この実装基板１４に実装される回路装置１２とを備えており、両者は半田等の導電性接合材を介して接続されている。具体的には、実装基板１４の一部を四角形状に除去して開口部２２が設けられており、この開口部２２の周辺部に導電路から成るパッド２４が配置されている。そして、回路装置１２は、回路素子２８が実装された面が実装基板１４と対向するように、実装基板１４に固着される。更に、回路基板１６のパッド２０と、実装基板１４のパッド２４とは、半田等の導電性材料から成る接合材３４を介して接合される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、パッケージ端部の樹脂層の一部が剥離し、耐湿性が悪化するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、シリコン基板２の一主面側に再配線層５、５Ａと剥離防止層６が配置され、それらを被覆するように樹脂層３が形成される。剥離防止層６は、再配線層５、５Ａの無配置領域であり、半導体装置１の外周端部近傍に配置されることで、樹脂層３の樹脂量が低減される。この構造により、樹脂層３の熱収縮力に起因する樹脂の反り上がりが防止し、樹脂層３が、シリコン基板２上から剥離することが防止され、半導体装置１の耐湿性が向上される。 （もっと読む）