【課題】耐湿性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、裏面が外部に露出するアイランド１１と、アイランド１１の上面に実装された半導体素子１７と、一端がアイランド１１に接近して配置されて半導体素子１７と電気的に接続されるリード１２と、アイランド１１の下面が外部に露出した状態で半導体素子１７等を被覆する封止樹脂１９とを主要に具備する。更に、半導体素子１７が表面に実装されるアイランド１１の外周端部を部分的に厚み方向に突出させて突出部１４を設けて、アイランド１１と封止樹脂１９との密着強度を向上させて、装置全体の耐湿性を向上させている。 （もっと読む）

【課題】低コストで、連続的に誘起電圧を検出し、それをもとにモータを高効率駆動する。
【解決手段】コイル電流検出部３０は、コイルに流れる電流成分を検出する。スケーリング部３８は、駆動信号をスケーリングする。誘起電圧成分抽出部４２は、コイル電流検出部により検出されたコイル電流成分から、前記スケーリング部によりスケーリングされた駆動信号を除去して、誘起電圧成分を抽出する。位相差検出部７４は、駆動信号の位相と、誘起電圧成分の位相との位相差を検出する。信号調整部１４は、位相差検出部７４により検出された位相差を目標位相差に近づけるよう駆動信号を調整する。 （もっと読む）

【課題】ステッピングモータを高精度で高効率駆動する。
【解決手段】誘起電圧検出部４０は、第１コイル２２または第２コイル２４からみて駆動部がハイインピーダンス状態のとき、第１コイル２２の両端電圧または第２コイル２４の両端電圧を検出して、第１コイル２２または第２コイル２４に発生する誘起電圧を検出する。誘起電圧検出部４０は、第１コイル２２の両端の電位または第２コイル２４の両端の電位を差動増幅する差動増幅回路４２と、差動増幅回路４２から出力されるアナログ値をデジタル値に変換し、制御部に出力するアナログデジタル変換回路４４とを含む。制御部は、外部から設定される入力信号をもとに駆動信号を生成し、誘起電圧検出部４０により検出される誘起電圧に応じて当該駆動信号を調整して駆動部に設定する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、連続的に誘起電圧を検出し、それをもとにモータの脱調を回避する。
【解決手段】コイル電流検出部３０は、コイルに流れる電流成分を検出する。スケーリング部３８は、駆動信号をスケーリングする。誘起電圧成分抽出部４２は、コイル電流検出部３０により検出されたコイル電流成分から、スケーリング部３８によりスケーリングされた駆動信号を除去して、誘起電圧成分を抽出する。位相差検出部７４は、駆動信号の位相と、誘起電圧成分の位相との位相差を検出する。脱調予測判定部８０は、位相差検出部７４により検出された位相差の微分値と、脱調予測用の検出閾値とを比較し、脱調発生を予測する。 （もっと読む）

【課題】ステッピングモータを高効率駆動する。
【解決手段】駆動部３０は、第１コイル２２および第２コイル２４に位相の異なる電流を供給して、ロータ２６を回転させる。制御部１０は、外部から設定される入力信号をもとに駆動信号を生成し、駆動部３０に設定する。誘起電圧検出部４０は、第１コイル２２または第２コイル２４からみて駆動部３０がハイインピーダンス状態のとき、第１コイル２２の両端電圧または第２コイル２４の両端電圧を検出して、第１コイル２２または第２コイル２４に発生する誘起電圧を検出する。制御部１０は、誘起電圧の目標値と、誘起電圧検出部４０により検出される誘起電圧の値との差分が小さくなるよう駆動信号を適応的に変化させることにより、誘起電圧の位相を調整する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のゲート絶縁膜がエミッタ層等を形成するときの砒素イオンよる損傷を受けることがなく、その絶縁耐圧が向上する半導体装置を低コストで製造できる方法を確立する。
【解決手段】トレンチ３内に埋め込まれて形成されたポリシリコンからなるゲート電極５を高温炉中等で熱酸化してゲート電極５上に厚いポリシリコン熱酸化膜６を形成する。その後に不純物イオンをイオン注入してエミッタ層等となるＮ型半導体層８を形成する。この場合、ポリシリコン熱酸化膜６の膜厚を、イオン注入によりエミッタ層等となるＮ型半導体層８を形成するための不純物イオンのシリコン酸化膜中の平均飛程より厚く形成する。これにより、不純物イオンがゲート電極５とＮ型半導体層８に挟まれたゲート絶縁膜４に損傷を与えるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】静電容量方式のタッチスイッチにおいて、電極に接続されたコンデンサの容量変化の判別における外部ノイズの影響を抑える。
【解決手段】第１コンデンサ及び第２コンデンサが接続される容量判別器において、前記第１コンデンサの第１電圧と前記第２コンデンサの第２電圧とを比較する比較器と、前記比較器からの比較結果を受け、カウントするカウンタ回路と、前記第１コンデンサ及び前記第２コンデンサに、電荷をチャージするチャージ回路と、前記比較器からの比較結果を受け、前記第１コンデンサか、前記第２コンデンサのいずれか一方のみに、前記電荷をチャージする様に前記チャージ回路を制御する制御回路と、を備え、前記カウンタ回路のカウント値に応じて、前記第１コンデンサと前記第２コンデンサの容量の判別を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｎ＋型ソース層とフローティングゲートとのカップリング比を高くしてプログラム特性を改善すると共にメモリーセルの面積の縮小化を図る。
【解決手段】Ｎ＋型ソース層４の両側にトレンチ３を形成する。トレンチ３の側壁は２つの素子分離層ＳＴＩ２の端面と平行なトレンチ側壁２ａ、トレンチ側壁２ｂと、ＳＴＩ２に垂直な面からなるトレンチ側壁３ａ、及びトレンチ側壁３ａと平行でないトレンチ側壁３ｂから構成される。かかる構成のトレンチ３の上部からトレンチ側壁３ａに平行で、且つＰ型ウエル層１に垂直又は角度をもった砒素イオン等のイオン注入を行い、トレンチ３底面からトレンチ側壁３ｂに延在するフローティングゲートＦＧ６と広い面積で対峙するＮ＋型ソース層４を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱保護回路を備えたＩＣにおいて、ＩＣの端子数を削減してＩＣチップの面積を小さくする。また、樹脂封止後においても熱保護回路の動作テストの実施を可能にする。
【解決手段】半導体集積回路１００は、パワーアンプ１５と、パワーアンプ１５の異常発熱を検知してパワーアンプ１５を保護する熱保護回路と、テスト電圧を印加するテスト端子を有し、テスト電圧に応じて熱保護回路の動作テストを行うテスト回路１０と、制御電圧を印加する制御端子を有し、制御電圧に応じて内部回路の制御を行う制御回路１６と、を備える。そして、テスト端子と制御端子とを１つの共通端子ＫＰに共通化した。 （もっと読む）

【課題】安価で安定して温度を検出できる温度検出回路を提供することができる。
【解決手段】温度検出回路は、定電流を生成する定電流回路と、定電流が供給されると、温度に応じて変化する降伏電圧を生成するツェナーダイオードと、降伏電圧と所定電圧との大小関係に基づいて、ツェナーダイオードの温度が、降伏電圧が所定電圧となる際のツェナーダイオードの温度より高いか否かを示す出力信号を出力する信号出力回路と、を備える。 （もっと読む）