【課題】培養した細胞を該細胞培養担体から自動的に剥離させ、また培養した細胞を自動的に取り出すことのできる細胞培養装置を提供する。
【解決手段】細胞を培養する凹部が設けられた細胞培養担体を内部空間に密閉可能に保持する密閉系部材１０と、細胞培養担体の凹部が設けられた第１面に対向する第２面に対して水圧あるいは空圧を供給する圧力供給部２０と、前記細胞培養担体の凹部における細胞の培養状態を撮像するカメラ４１と、前記カメラによって撮像された画像から培養している細胞の大きさを判定し、所定の大きさに培養されているか否かを検出する培養状態検出回路を有する画像処理動作制御部４０とを備え、細胞が所定の大きさに培養されている場合に、前記画像処理動作制御部４０の動作信号により、圧力供給部２０が第２面に対して水圧あるいは空圧を供給し、細胞培養担体Ｓの凹部Ｓ１に培養された細胞を剥離する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハを縦向きに並べて支持する横型のウエハボートにおいて、ウエハ面を傾斜させることなく安定して垂直に支持し、ウエハ傾斜に依る不具合発生を防止する。
【解決手段】第二の支持ロッド２Ｂに形成されたＶ字溝５の溝中央部は、支持ロッド２の軸線方向において、第一の支持ロッド２ＡのＶ字溝５の一方の傾斜面が形成される軸線方向の範囲内に位置し、第三の支持ロッド２Ｃに形成されたＶ字溝５の溝中央部は、支持ロッド２の軸線方向において、第一の支持ロッド２ＡのＶ字溝５の他方の傾斜面が形成される軸線方向の範囲内に位置し、第二の支持ロッド２ＢのＶ字溝５の傾斜面と、第二の支持ロッド２ＢのＶ字溝５の傾斜面と反対方向に傾斜した第三の支持ロッド２ＣのＶ字溝５の傾斜面によって、半導体ウエハＷの左右両側の外縁部を係止し、第一の支持ロッド２ＡのＶ字溝５の二つの傾斜面によって、半導体ウエハＷの下側外縁部を係止する。 （もっと読む）

【課題】刃部および柄部を備えた穴加工用工具（電着ドリル）において、その刃部の先端が摩耗しにくい、製品寿命が長い穴加工用工具を提供する。
【解決手段】機械主軸に取り付けられる柄部（シャンク）２０と、ねじれ溝１２が形成された刃部１０とを備えた穴加工に用いられる穴加工用工具１であって、刃部１０の先端部１０ａの回転軸付近には、先端部１０ａから突出したメタルダイヤ１３が埋設されていると共に、先端部１０ａおよび周辺部にダイヤモンド砥粒３０が電着により付着されている。 （もっと読む）

【課題】従来のような手作業による剥離・移動作業を行う必要がなく、自動で細胞を大きく制御しながら培養することができる細胞培養システムを提供すること。
【解決手段】本発明の細胞培養システムは、第１の細胞培養担体が収容された第１の培養容器、前記第１の培養容器内に第１の培養液を供給する第１の培養液供給系及び前記第１の培養液供給系における前記第１の培養液の流動方向を制御する第１の制御手段を備える第１の細胞培養手段と、第２の細胞培養担体が収容された第２の培養容器、前記第２の培養容器内に第２の培養液を供給する第２の培養系供給系及び前記第２の培養系供給系における前記第２の培養液の流動方向を制御する第２の制御手段を備える第２の細胞培養手段と、前記第１の培養容器内で培養された細胞を前記第１の培養液ごと前記第２の培養容器に供給する供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部が高い応力耐性、更には高品位の結晶性を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを、非酸化性雰囲気下で１１５０℃以上１２５０℃以下の温度で一定時間保持する熱処理を施したのち、引きつづき８５０℃以下まで一旦温度を下げ、そこから酸素が１．０％以上５．０％以下の体積比である雰囲気に置換して１１００℃以上１２００℃以下の範囲まで温度をあげて、その後直ちに酸素が０．１％以上１．０％以下の体積比の雰囲気に切り替えて温度を下げていき、その後ウェーハを炉出しする。 （もっと読む）

【課題】シリコンブロックを該ルツボから脱型する際、保護膜とシリコンブロックとの付着に伴うシリコンブロックのカケや割れの発生を、保護膜自身が壊れることによって抑制することができる離型性に優れた保護膜を備えたシリコン溶融ルツボやそれに用いられる離型材を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融ルツボは、耐熱性部材からなるルツボ本体１の少なくとも内表面１ａ上に保護膜２が設けられたシリコン溶融ルツボであって、保護膜２は、少なくとも表面がＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）組成を有する第１の固体粒子と、前記第１の固体粒子よりも粒径が小さいＳｉＯ_２組成を有する第２の固体粒子とを含有してなり、前記第２の固体粒子は、前記第１の固体粒子間の界面の一部で前記第１の固体粒子同士を連結させている。 （もっと読む）

【課題】トリプシン処理等の酵素処理を行う事無く、細胞培養担体で培養した細胞を、該細胞培養担体から容易に剥離させることができ、更に、ピペッティング等による移動作業も行う必要が無いため、複数の細胞培養担体を用いた段階的な細胞培養を容易に行うことができる細胞培養モジュールの提供。
【解決手段】本発明に係る細胞培養モジュールは、第１凹部が設けられた第１細胞培養担体を密閉可能に保持する第１密閉系部材と第１細胞培養担体の第２面に対して第１水圧を供給する第１水圧供給部と第１凹部よりも大きい第２凹部が設けられた第２細胞培養担体を密閉可能に保持する第２密閉系部材と第２細胞培養担体の第４面に対して第２水圧を供給する第２水圧供給部と第１凹部から剥離された細胞を第１内部空間から第２内部空間に搬送する細胞搬送部と第２水圧により第２凹部から剥離された細胞を第２内部空間から回収する細胞回収部とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱熱的衝撃や物理的衝撃が発生した場合でも保護膜が剥がれることがなく、かつ、離型性に優れた保護膜を備えたシリコン溶融ルツボやそれに用いられる離型材を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン溶融ルツボは、耐熱性部材からなるルツボ本体１の少なくとも内表面１ａ上に保護膜２が設けられたシリコン溶融ルツボであって、前記保護膜２は、表面に酸化膜が形成され、前記酸化膜の直接的な内層がＳｉＯ_ＸＮ_Ｙ（Ｘ＞０、Ｙ＞０）組成を有する複数の固体粒子が前記酸化膜を介して各々連結されている。 （もっと読む）

【課題】この発明は、Ｙ、Ａｌ、Ｏ以外の不純物濃度が元素換算して３０００ppm以下、気孔体積量が１００ppm未満で算術表面粗さＲａが１nm未満でかつ幅５μｍ以上のキズや直径5μｍ以上の窪みがなく、多結晶体を構成している単位結晶粒子間の高低差が５nm以下と平滑な多結晶体基板を提供し、それを研磨加工する方法である。
【解決手段】Ｙ、Ａｌ、Ｏ以外の不純物濃度が元素換算で３０００ppm以下、気孔体積量が１００ppm未満のＹＡＧ多結晶体を、ブリネル硬度４０以下の定盤と、研磨材としてアルミナまたはアルミナを主成分としたダイヤモンド混合砥粒を用いて研磨する。このときの、ＹＡＧ多結晶体基板の面は、算術表面粗さＲａが１nm未満でかつ幅５μｍ以上のキズや直径5μｍ以上の窪みがなく、多結晶体を構成している単位結晶粒子間の高低差を５nm以下と平滑であり、平坦度も１００ｎｍ未満となっている。このように、平滑で高平坦度なＹＡＧ多結晶体基板とその研磨方法についての発明である。 （もっと読む）

【課題】誘電層に無機材料を用い、無機材料の利点である耐熱性や耐食性、表面平坦性等の特性を損なうことなく、かつ、ポリイミド等の有機材料を誘電層に用いた静電チャックと同等程度の吸着力を発生することができる静電チャックを提供する。
【解決手段】導電性を有するシリコン基板１からなる基材上に誘電層３を備えた静電チャックにおいて、前記誘電層３を、シリコン基板１上にバッファ層２を介して、ＡｌＮ、ＧａＮおよびＡｌＧａＮのうちのいずれかからなる絶縁破壊電界強度が１ＭＶ／ｃｍ以上の単結晶薄膜により形成し、前記バッファ層２を、前記シリコン基板１上に形成された第１の窒化物半導体単結晶層と、前記第１の窒化物半導体単結晶層と異なる材料または組成からなる第２の窒化物半導体単結晶層とがこの順に交互に積層された多重積層構造で構成する。 （もっと読む）