【課題】 ２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼り合せる２枚のウェーハの厚さを最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ２枚のウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、少なくとも一方の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下である第１の半導体ウェーハ１０２および第２の半導体ウェーハ１０４を準備する工程と、この第１の半導体ウェーハ１０２と第２の半導体ウェーハ１０４とを貼り合せる工程と、第１の半導体ウェーハ１０２と第２の半導体ウェーハ１０４との接合界面の酸化膜１０８を除去する熱処理工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表層の酸素濃度低下を抑制しつつ、半導体基板表層のＣＯＰを低減させることによって、半導体デバイスの高歩留まりを実現する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶インゴットをスライスする工程と、このスライスする工程によって得られた半導体ウェーハを、常圧より高い圧力において、還元性ガス、不活性ガス、または、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中、１０００℃以上１３５０℃以下の温度範囲で熱処理する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＤＳＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｂｏｎｄｉｎｇ）構造を有する半導体基板およびその製造方法において、貼りあわせる２枚のウェーハの回転角を最適化することによって、半導体基板上に形成される半導体デバイスの歩留まりの向上を可能にする半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】{１００}面方位を有する第１の半導体ウェーハ１０２と、{１１０}面方位を有する第２の半導体ウェーハ１０４とが直接接合することによって形成される半導体基板であって、
第１の半導体ウェーハ１０２表面の＜１１０＞方向と、第２の半導体ウェーハ表面１０４の＜１１０＞方向と間の角度（回転角）が、７度以上１３度以下であることを特徴とする半導体基板およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表層の酸素濃度低下を抑制しつつ、半導体基板表層のＣＯＰを低減させることによって、半導体デバイスの高歩留まりを実現する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶インゴットをスライスする工程と、このスライスする工程によって得られた半導体ウェーハを、常圧下、還元性ガス、不活性ガス、または、還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中、１００℃／秒以上１０００℃／秒以下の昇降温速度、１２００℃以上１４００℃以下の温度、５秒以上５分以下の時間で熱処理する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】育成された光学的二軸性単結晶の加工が煩雑でなく、育成された光学的二軸性単結晶のうち実際に素子に使用できる割合が高い光学的二軸性単結晶の育成方法及びこの方法を用いて製造された光学的二軸性単結晶を提供する。
【解決手段】加熱溶融した原料融液に種結晶２０を付けて単結晶２１を薄板状に成長させるＥＦＧ法を用いた光学的二軸性単結晶２１の育成方法において、加熱溶融した原料融液の液だまりを形成する短冊形ダイの長手方向の稜線Ｄと種結晶２０の光軸Ｌ₂₀とのなす角度θ２を８５度以上かつ９５度以下の範囲になし、かつ種結晶２０の光軸Ｌ₂₀と種結晶２０を引上げる引上げ軸方向Ｚとのなす角θ１を８５度以上かつ９５度以下の範囲になして、単結晶２１を薄板状に成長させる。 （もっと読む）

【課題】２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、接合熱処理条件を最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、第１および第２の半導体ウェーハを準備する工程と、第１および第２の半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する工程と、第１および第２の半導体ウェーハの鏡面研磨された面同士を重ね合わせて接合する工程と、接合された半導体ウェーハを不活性ガス等の雰囲気中で熱処理する第１の熱処理工程と、第１の熱処理工程後、連続して、第１の熱処理工程よりも高温で、不活性ガス等の雰囲気中で熱処理する第２の熱処理工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学フィルタや固体レーザ等の光学素子に好適なフォルステライト単結晶を、結晶のクラックや割れ、曲がりがなく、また、結晶内部に気泡等の欠陥が混入していない高品質で、かつ、直径５０ｍｍ以上の大口径の結晶として、歩留よく得られる製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるフォルステライト単結晶の製造方法において、ｂ軸に対して±５°以内の方位のフォルステライト単結晶を種結晶として用いて、単結晶引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平坦化と伴に欠陥部を形成させ、その欠陥部に重金属などの不純物を捕捉、固定させることができる半導体ウェーハの平坦化方法、平坦化装置及び半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングガスをプラズマにより励起して、中性活性種及びイオンを生成し、前記中性活性種及び前記イオンを開口窓を介して前記開口窓よりも面積の大きな半導体ウェーハの裏面に局所的に供給して、局部的なエッチングと欠陥部の形成を行うこと、を特徴とする半導体ウェーハの平坦化方法が提供される。また、プラズマによりエッチングガスを励起するプラズマ発生手段を備えた半導体ウェーハの平坦化装置であって、半導体ウェーハのま裏面に対向するように設けられた前記プラズマ発生手段と、前記プラズマ発生手段と前記半導体ウェーハの裏面との間に設けられ前記半導体ウェーハよりも開口面積が小さい開口窓と、を備えることを特徴とする半導体ウェーハの平坦化装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ヒトＥＳ細胞等の未分化細胞を効率よく増殖させることができ、かつ、その未分化状態を保持しつつ継代することができる未分化細胞培養担体およびそれを用いた継代培養法を提供する。
【解決手段】培養される細胞の大きさに対して１倍以上５０倍以下の径を有する複数の凹部が基材表面に形成されている培養担体を用いて、未分化細胞を該培養担体の凹部の少なくとも１ヶ所に撒種して培養し、未分化な状態のままで増殖した細胞塊を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、半導体ウェーハ面内の平坦度及びうねりを改善できる半導体ウェーハのエッチング装置を提供する。
【解決手段】本半導体ウェーハのエッチング装置は、エッチング槽内で回転され多数の半導体ウェーハが離間して搭載されるウェーハマガジンと、このウェーハマガジンを回転させる回転駆動機構と、ウェーハマガジンにエッチング液をエッチング槽の底部近傍から供給する供給側とこの供給側とエッチング槽の上部からエッチング液が流出する流出側間に配されかつ、半導体ウェーハの全周を半導体ウェーハが回転可能に覆い、エッチング液の供給口及びこの供給口に対向して半導体ウェーハのほぼ中心線上に配されるエッチング液の流出口を設けた円筒形状の包囲体を備える。 （もっと読む）