【課題】ＳｉＣボート表面の酸化膜中の金属汚染を簡便に除去することによって半導体ウェーハへの金属汚染を防止し、半導体ウェーハの製造時間および製造コストの抑制を可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がＳｉＣ１０２で形成される半導体熱処理用ボートの表面清浄化方法であって、熱酸化により熱処理用ボートの表面を酸化する工程と、酸化する工程で形成された酸化膜１０４の一部を除去する工程を有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】基板の片面を研磨する片面研磨装置において、平滑性に優れ、欠陥の無い基板を得ることができ、且つ研磨後の基板を装置から容易に取り出すことのできる片面研磨装置を提供する。
【解決手段】基板を下方に保持する保持定盤１と、上面に研磨布８を有する研磨定盤９とを具備し、前記保持定盤１に保持された基板Ｇを前記研磨布８に圧接しつつ、基板Ｇを回転させて該基板Ｇの研磨処理を行なう片面研磨装置１００であって、前記保持定盤１は、定盤本体３と、前記定盤本体３の下方に平坦状態で支持された弾性を有するプレート４と、前記プレート４の下面に貼着され、基板Ｇを吸着する吸着シート６とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型かつ単純な構成の液体加熱装置であって、所望量の液体を短時間で所望温度に昇温することのできる液体加熱装置を提供する。
【解決手段】カーボンワイヤー発熱体８をシリカガラス管７に封入してなるヒータ部６と、ヒータ部６を内部に配する加熱管２とを具備し、加熱管２に供給された液体Ｗを加熱する液体加熱装置１であって、加熱管３は、ヒータ部６の外周囲に形成された内管４と、内管４の外周囲に形成された外管３と、内管４と外管３との間の空間に形成され、液体Ｗの導入口３ａ及び導出口３ｂに連通する液体流路５とを備え、導入口３ａから液体流路５に導入された液体は、ヒータ部６により加熱され、導出口３ｂから導出される。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボにおいて、耐久性を確保すると共に、ルツボの安定支持性を向上させ、充分な単結晶化率を得ることのできるシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】第一の曲率を有する底部９と、底部９の周りに形成され、第二の曲率を有する底部コーナー８と、底部コーナー８から上方に延びる側部７を有するシリカガラスルツボ１において、ルツボ上端６から側部７、及び底部９と底部コーナー８との間の曲率変化点を基準とする所定範囲までが、結晶化促進剤添加シリカガラスからなる外層２と天然原料シリカガラスからなる不透明中間層３と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４で形成された３層構造からなり、底部９が、天然原料シリカガラスからなる不透明外層５と天然原料シリカガラスまたは合成原料シリカガラスからなる透明内層４で形成された２層構造からなる。 （もっと読む）

【課題】電刷子の磨耗を大幅に低減させることができる整流子モータを提供すること。
【解決手段】電刷子５ａが円柱状に形成され、電刷子の円柱側面が整流子２の周側面に対して回転しながら接触されるように構成されている。前記円柱状電刷子５ａには、円柱体の軸芯を通るようにして導電性の支軸６ａが具備され、前記支軸を介して電刷子の回転ならびに電刷子に対する通電を行うように構成されている。また、導電性の支軸６ａに対して接触する導電性の板バネ部材７が具備され、当該板バネ部材を介して前記電刷子５ａに駆動電流が伝達され、さらに整流子２を介して回転子巻線に対して駆動電流が供給されるようになされる。 （もっと読む）

【課題】二重ルツボ法によるＬｉＮｂＯ₃、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂、Ｌｕ₂ＳｉＯ₅、Ｇｄ₂ＳｉＯ₅、ＹＶＯ₄等の酸化物、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体等の単結晶引き上げにおいて、簡単な装置構成で、単結晶の組成制御操作性に優れ、メンテナンスも容易であり、高品質の単結晶を低コストで効率的に得られる製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】側面に孔１ａが形成された内ルツボ１と外ルツボ２とかならなる二重ルツボを用い、前記内ルツボ１と外ルツボ２に、異なる組成の原料融液４，５をそれぞれ充填し、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より高い位置に保持して、内ルツボ１内の原料融液４と外ルツボ２内の原料融液５とを分離し、単結晶６引き上げ開始後、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より低い位置にして、内ルツボ１内に外ルツボ２内の原料融液５を流入させて、内ルツボ１内の原料融液４の組成制御を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶膜を有する化合物半導体デバイスにおいて、高耐圧かつ低損失であり、ＨＥＭＴ等に好適に用いられる化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】導電性ＳｉＣ単結晶２上に、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層（０＜ｘ≦１）３ａおよび厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_yＧａ_1-yＮ単結晶層（０≦ｙ＜１、ｘ≠ｙ）３ｂが交互に５〜５００組繰り返し積層されている多層単結晶層３と、厚さ０．５〜５μｍのＧａＮ単結晶層４と、デバイス活性層５とを順次積層した化合物半導体デバイス用基板に、ショットキー電極およびオーミック電極６を形成する。 （もっと読む）

【課題】スラッジの堆積を抑制し、ドレッシングの頻度を低減することによって、内周刃のライフを向上させる単結晶インゴット用内周刃切断機およびこれを用いた切断方法を提供する。
【解決手段】本発明の内周刃切断機には、シリコン単結晶インゴット１を切断するための高速回転可能な内周刃２が備わっている。この内周刃２は、ドーナッツ形状のステンレス薄板製台金の内周に、ダイヤモンド砥粒層が電着されて形成されている。さらに、切削液供給ノズルとして、サプライ側切削液供給ノズル３と、クリーニング側切削液供給ノズル４を有している。そして、切削液として、比抵抗が１ＭΩ・ｃｍ以上の水を供給する機能を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】供給された液体を加熱する液体加熱装置において、装置の破損を防止すると共に効率的な液体加熱を行うことのできる液体加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱管２に供給された液体Ｌにより形成される流路の上流側に設けられた第１のヒータ部７と、下流側に設けられた第２のヒータ部８とを具備し、前記ヒータ部７、８が有する発熱部７ｂ、８ｂにより加熱管２内の液体Ｌを加熱する液体加熱装置１であって、前記ヒータ部７、８は、カーボンワイヤー発熱体１３をガラス管１０ａに封入してなる前記発熱部７ｂ、８ｂと、前記発熱部７ｂ、８ｂのガラス管１０ａよりも大径のガラス管１０ｂを有し、発熱部７ｂ、８ｂを前記加熱管２内に支持する端子部７ａ、８ａとを備え、少なくとも前記第２のヒータ部８において、前記端子部８ａが有するガラス管１０ｂの所定部分が、前記発熱部８ｂのガラス管１０ｂと共に、前記加熱管２内に供給された液体Ｌ中に配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの両面研磨の途中で半導体ウェーハの上面及び下面を反転させることなく、ウェーハエッジ部の上面と下面を均等に研磨し、品質が高く、かつ、製造コストの低い半導体ウェーハの製造を可能にする両面研磨装置および両面研磨方法を提供する。
【解決手段】対向面にウェーハ表裏面研磨用の研磨布２２ａ、２４ａを設けてなる下定盤および上定盤の回転により、半導体ウェーハ１０の表裏両面を研磨する両面研磨装置であって、下定盤および上定盤の間に配置されるキャリア１４に半導体ウェーハ保持孔３０が設けられ、半導体ウェーハ保持孔３０の内周部に環状の半導体ウェーハエッジ研磨用の研磨材１２が設けられ、研磨材１２が上下対称な垂直断面形状を有し、研磨材１２の上部および下部が、半導体ウェーハ保持孔３０の中心方向に延出していることを特徴とする両面研磨装置およびこれを用いた研磨方法。 （もっと読む）