【課題】リング状の支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートでありながら、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハ熱処理用ボートを提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートであって、このリング状の半導体ウェーハ支持部の半導体ウェーハ支持面が、半導体ウェーハが接触する上段面と、この上段面に対しリング状の半導体ウェーハ支持部のリング中心側に位置し半導体ウェーハが接触しない少なくとも一つの下段面からなる段差形状となっていることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートおよびこれを用いた熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】高速焼成時における耐ベンド性および耐熱衝撃性に優れ、電子部品の焼成用道具材として好適に用いることができるアルミナ−ムライト質焼成用道具材を提供する。
【解決手段】アルミナ粉末６０〜８０重量％および粒度１００〜６００μｍのムライト粉末２０〜４０重量％を原料とし、１５５０〜１７５０℃で焼成された焼成体であって、原料粉末の粒度組成を、粒度４５μｍ超〜６００μｍが４０〜６０重量％、粒度１０μｍ超〜４５μｍが２０〜４０重量％、粒度１０μｍ以下が２０〜４０重量％であり、かつ、粒度４５μｍ以下の原料粉末をアルミナ粉末とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣボート表面の酸化膜中の金属汚染を簡便に除去することによって半導体ウェーハへの金属汚染を防止し、半導体ウェーハの製造時間および製造コストの抑制を可能にする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がＳｉＣ１０２で形成される半導体熱処理用ボートの表面清浄化方法であって、熱酸化により熱処理用ボートの表面を酸化する工程と、酸化する工程で形成された酸化膜１０４の一部を除去する工程を有することを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートの表面清浄化方法。 （もっと読む）

【課題】見かけ比重を調整し球状細胞培養担体に適する球状リン酸カルシウム系セラミックスを提供する。
【解決手段】本球状リン酸カルシウム系セラミックスは、リン酸カルシウム系セラミックスからなる球体の表面部が緻密質、内部に気孔が存在し、直径が０．５ｍｍ以上、１０ｍｍ以下であり、かつ見かけ比重が０．７５以上、１．２５以下である。 （もっと読む）

【課題】効率良く悪臭を脱臭でき、メンテナンスの容易な光触媒担持セラミックフォームを提供する。
【解決手段】本光触媒担持セラミックフォームは、三次元網目構造を有するセラミックフォーム表面上に二酸化チタン光触媒を膜厚１μｍ以下のポーラスな状態で担持してできた５ｍ^２／ｃｍ^３以上の表面積を有する光触媒担持セラミックフォームの光触媒膜上に、金属粒子または金属酸化物粒子または金属イオンを部分的に点在させて担持する。 （もっと読む）

【課題】ネック部でシリコン単結晶を支える従来通りのダッシュ法を用いながらも、引上げ中のシリコン単結晶の落下を防止できる単結晶製造装置および単結晶製造装置の制御方法を提供する。
【解決手段】単結晶落下防止装置２００が設けられたチョクラルスキー（ＣＺ）法による単結晶製造装置１００であって、単結晶落下防止装置２００が、引上げ単結晶１５０に向けて射出可能な３本以上の棒状の保持治具２０２を備え、保持治具２０２が単結晶１５０の引上げ軸を中心として放射状に配置され、保持治具２０２が、水平に、または、チャンバ壁から単結晶１５０の引上げ軸方向に向けて仰角を有するように設けられていることを特徴とする単結晶製造装置およびその制御方法。 （もっと読む）

【課題】耐薬液性（アルカリ性および酸性のスラリー）を向上させたＳｉＣ焼結体の接合体を提供する。
【解決手段】本ＳｉＣ焼結体の接合体は、Ｂ系焼結助剤を用いたＳｉＣ焼結体同士が、Ｓｉからなる接合部を介して接合され、接合部中のＢ濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（５００ｐｐｍ）以上、１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】硫化水素やアンモニア等の有害ガスの脱臭に使用される光触媒担持セラミックフォームにおいて、光触媒の劣化の程度を簡便に判断することができる光触媒担持セラミックフォームおよびその劣化の程度の簡易的な判断方法を提供する。
【解決手段】硫化水素またはアンモニア分解能を有する光触媒の表面に銅イオンが含まれている光触媒担持セラミックフォームにおいて、前記銅イオンの反応生成物の色の濃淡度を指標として、光触媒の劣化度を判断する。 （もっと読む）

【課題】低い温度で溶融し、飛び跳ねの生じにくい、炭素のドープ剤を使用することにより、炭素をドープしたシリコン単結晶の生産性を向上させ、製造コストを低減することを可能とするシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー（ＣＺ）法による炭素をドープしたシリコン単結晶の製造方法であって、ルツボにシリコン原料と、少なくとも炭素を含有したシリコンのドープ剤とを供給する工程と、シリコン原料とドープ剤とを溶融して原料融液とする工程を有し、ドープ剤中の炭素含有量が、ドープ剤中のシリコン含有量と炭素含有量の総和に対し、０．２原子％以上１．０原子％以下であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】リチャージ管を長大化させることなく固形状原料の充填量を増やすことにより、単結晶の生産性を向上させ、製造コストを低減することを可能とするリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボを有する単結晶製造装置に設けられ、ルツボに固形状原料を充填するための固形状原料のリチャージ装置２００であって、リチャージ装置２００に備えられたリチャージ管２０１が、リチャージ管上部２０１ａ、リチャージ管下部２０１ｃ、および、リチャージ管上部２０１ａと前記リチャージ管下部２０１ｃとの間に設けられたテーパ部２０１ｂによって構成され、リチャージ管上部２０１ａの外径が、リチャージ管下部２０１ｃの外径よりも大きいことを特徴とする固形状原料のリチャージ装置２００およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）