【課題】ウェーハの研磨精度を高めるとともに研磨能率が向上する炭化珪素系研磨プレートを提供する。
【解決手段】本炭化珪素系研磨プレートは、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上で、ヤング率が４５０ＧＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】基材の反りや破断を抑制し、しかも、低コストで、かつ、簡便に、セラミックス等からなる基材表面を粗面化する手段を用いて、耐プラズマ性溶射膜の密着力を向上させることができる脆性材料基材への溶射膜形成方法を提供する。
【解決手段】セラミックス、ガラスまたは石英等の脆性材料からなる基材表面を、マスキング材またはメッシュを用いたマイクロブラスト加工により粗面化した後、該基材表面にプラズマ溶射法により溶射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低複屈折かつ屈折率均質性に優れたシリカガラスを、簡便かつ効率的に、歩留まりよく得るための精密アニール用部材およびそれを用いた精密アニール方法を提供する。
【解決手段】純度９９％以上のシリカ粉の板状または容器状の焼結体からなり、１０００℃以上での熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ未満である精密アニール用部材により、被処理シリカガラスを覆った状態で、精密アニール処理を行うことにより、フォトマスク用に好適なシリカガラスが得られる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単であり、低温で動作可能な水素センサを提供する。
【解決手段】水素センサ１０は、平板状でプロトン伝導性を有する固体電解質板１１と、水素ガスの分子をプロトンと電子に解離させるために固体電解質板１１の一方の主面に設けられた触媒電極１２と、触媒電極１２によって生じたプロトンと電子を固体電解質板の他方の主面において再結合させるために固体電解質板１１の他方の主面に設けられた参照電極１３と、触媒電極１２で生じた電子を参照電極１３へ送るための電子伝導性材料からなる金具１６，１７とリード線１８，１９を有し、触媒電極１２と参照電極１３との間の電位差を測定することにより水素ガスを検知する。 （もっと読む）

【課題】融液面の固化割合の低い状態で固形状原料のルツボへの投入を可能にし、単結晶製造の生産性を向上させる固形状原料のリチャージ装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】固形状原料が充填される筒状のリチャージ管１と、リチャージ管１の下部外側に設けられ、リチャージ管１に対して摺動可能な構造となっている漏斗状外筒２と、漏斗状外筒２を吊り下げるワイヤ７を備え、漏斗状外筒２は下端に縮径傾斜部を有し、縮径傾斜部下端に固形状原料をルツボに供給するための開口部５が設けられ、リチャージ管１内部は分割板３によってリチャージ管１縦軸方向に複数に分割され、リチャージ管１下端中央には、漏斗状外筒の開口部５を塞ぐことが可能な拡径傾斜部を有する下端蓋４が設けられていることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置およびこれを用いたリチャージ方法。 （もっと読む）

【課題】ルツボシャフトの振動に起因する有転位化をなくして、高単結晶化率が得られ、万一融液がシリカガラスルツボ外に流出しても、融液がシャフトを覆う溶接ベローズを破損するのを防止し、チャンバ内を気密に保ち、チャンバ内のカーボン部材が酸化するのを防ぎ、復旧時にカーボン部材を交換する必要がない単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本単結晶引上装置はチョクラルスキー法を用い、チャンバ２の底部２ａ内側に湯受体９、底部２ａ外側に湯受機構１０を各々設け、湯受機構１０はルツボシャフト６に設けた湯受部と、ルツボシャフト６が遊貫し、底部２ａから気密接続部１２まで延設された伸縮自在の筒状体を有し、筒状体を溶接ベローズ１４で覆う。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、３Ｃ−ＳｉＣ層を形成することなく、優れた結晶性で成膜されたＡｌＮまたはＧａＮからななり、発光ダイオード、レーザ発光素子、高速高温動作可能電子素子等の他、高周波デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１０）基板上に、２Ｈ−ＡｌＮバッファー層を介して、ＧａＮ（０００１）もしくはＡｌＮ（０００１）単結晶膜、または、ＧａＮ（０００１）およびＡｌＮ（０００１）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ロッドマークと呼ばれているウエハ裏面に発生する傷を抑止し、パーティクルの発生を防止することのできる縦型ボートを提供することである。
【解決手段】 本発明の縦型ウエハボートは、鉛直方向に互いに平行状態に配置された３本以上のウエハ支持棒と、これらの上下端部に配置され、これらを固定する上支持プレート及び下支持プレートを具備する縦型ウエハボートであって、上記ウエハ支持棒には、該ウエハ支持棒長手軸方向に垂直に複数の溝部が形成されており、その溝部によって構成されるウエハ支持腕部は、ウエハ中心部に向かって先細り形状であって、上方に傾斜しており、それら各ウエハ支持椀部の先端部に水平な半円状のウエハ支持面が存在し、前記溝部の奥側に前記傾斜に対し、８７°〜９３°の角度で、溝部背面が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づきＢＭＤ密度を算出することにより、簡便な方法で正確にＢＭＤ密度を評価できるシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハのＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔｓ）密度評価方法であって、Ｆｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係を決定するステップと、ＳＰＶ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ）法によりシリコンウェーハのＦｅ以外の再結合中心密度を測定するステップと、測定されたＦｅ以外の再結合中心密度と、あらかじめ決定されたＦｅ以外の再結合中心密度とＢＭＤ密度との相関関係に基づき、シリコンウェーハのＢＭＤ密度を算出するステップを有することを特徴とするシリコンウェーハのＢＭＤ密度評価方法。 （もっと読む）

【課題】エネルギー損失が少ない、高効率の化合物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】低抵抗基板１上に、キャリア濃度１０¹¹／ｃｍ³以上１０¹⁶／ｃｍ³以下のｎ型低キャリア濃度層２と、キャリア濃度１０¹¹／ｃｍ³以上１０²¹／ｃｍ³以下のｐ型層３と、キャリア濃度１０¹⁶／ｃｍ³以上１０²¹／ｃｍ³以下のｎ型高キャリア濃度層４とを順次積層し、各層２〜４をいずれも、マイクロパイプ、ダブルポジショニング・ドメイン、アンチフェーズ・ドメイン、スタッキング・フォルトおよびツイン・バンドの欠陥密度が１０⁴／ｃｍ²以下の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶とし、さらに、少なくともｐ型層３に接触したゲート絶縁膜５と、該ゲート絶縁膜５に接触し、かつ、前記各層２〜４のいずれとも電気的に分離している制御電極６と、少なくともｐ型層３およびｎ型高キャリア濃度層４に接触した上部電極７と、低抵抗基板１に接触した下部電極８とを設ける。 （もっと読む）